导读:本文包含了高长径比论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:长径,纳米,涤纶,硫化钠,硫酸钙,电解液,分度。
高长径比论文文献综述
朱金铭,钱建华,孙丽颖,李正平,彭慧敏[1]（2019）在《用高长径比银纳米线制备功能性复合涤纶织物及其性能》一文中研究指出为制备一种功能性的复合涤纶织物,首先利用氧等离子体技术改性处理增加涤纶纤维的润湿性,然后采用溶液法制备银纳米线(Ag NWs)并分散到无水乙醇中,通过浸渍-烘干工艺整理到涤纶(PET)织物表面,并采用热压工艺处理Ag NWs/PET织物以提高Ag NWs的吸附牢度。探讨不同银纳米线溶液质量浓度对Ag NWs/PET性能的影响。结果表明:随着银纳米线质量浓度由1 mg/m L增加到4 mg/m L,Ag NWs/PET织物的方块电阻由■减小至■,但耐洗性能较差;经等离子体改性处理后,Ag NWs/PET织物的导电性能明显优于未处理织物;先经过氧等离子体处理再采用热压工艺处理,不仅能提高织物的导电性,且经过50次洗涤后,Ag NWs/PET织物的方块电阻由■增加至■,仅增加了24.89%,耐洗性有较大改善。(本文来源于《纺织学报》期刊2019年11期）
惠龙飞,李建国,龚婷,孙道安,吕剑[2]（2019）在《高长径比管式反应器内壁SiO_2与TiO_2钝化层的原子层沉积制备及抗积碳性能》一文中研究指出采用原子层沉积技术(ALD)在不锈钢微通道管式反应器内壁沉积二氧化硅(SiO_2)和二氧化钛(TiO_2)薄膜,以抑制碳氢燃料热裂解过程中由于金属催化作用导致的结焦.使用石英晶体微天平(QCM)测得SiO_2和TiO_2薄膜的生长速率分别为0. 15 nm/周期和0. 11 nm/周期,因此可以通过改变沉积周期数精确控制钝化层的厚度.在结焦实验中,当钝化膜层较薄时,其抗积碳钝化作用较弱;随着钝化薄膜厚度的增加,其钝化作用逐渐增强,微通道反应器的运行寿命显着延长.实验表明,TiO_2薄膜的抗积碳钝化性能普遍优于SiO_2薄膜.沉积周期数为1000的TiO_2膜层具有最佳的抗积碳钝化效果,能够使反应器的运行时间延长4～5倍.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2019年02期）
王欢,陈雪梅[3]（2019）在《晶种法制备高长径比纳米银线的研究》一文中研究指出利用AgNO_3和NaCl反应生成的AgCl颗粒作为晶种合成纳米银线。详细研究了纳米银线在溶液中的生长过程,探讨了AgCl晶种与银源AgNO_3物质的量的比和反应时间对纳米银线形貌的影响。通过SEM、TEM、XRD、紫外可见光光谱等测试方法,对纳米银线的生长过程和不同条件下制备的纳米银线的微观形貌和晶体结构进行表征。实验表明,纳米银线是在AgCl颗粒表面上定向生长,AgCl与AgNO_3物质的量的比和反应时间影响纳米银线的长度和直径大小。当AgCl与AgNO_3的物质的量比为1∶5,反应时间4 min时,制备的纳米银线平均直径52 nm,长径比超过了1000。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年01期）
朱金铭[4]（2018）在《高长径比银纳米线的制备及AgNWs/涤纶复合织物性能研究》一文中研究指出本研究采用简单高效的一步多元醇法以FeCl_3·6H_2O为成核控制剂,在高温条件下合成了形貌尺寸均匀、长径比大于800的银纳米线(AgNWs)。将此银纳米线分散到无水乙醇中,用浸渍-烘干工艺处理涤纶织物进而制备出多功能AgNWs/涤纶复合织物,分别研究了合成条件对银纳米线长径比的影响,不同工艺、不同银纳米线溶液浓度及不同长径比的银纳米线对AgNWs/涤纶复合织物性能的影响。研究了AgNWs/涤纶复合织物的各项性能,对复合织物的紫外线防护性能、导电性、抗菌性能和微观形貌等进行测试分析。具体研究内容如下:(1)利用多元醇法合成银纳米线。影响银纳米线的长径比因素有很多,为确定银纳米线合成的最优工艺,研究了合成过程中PVP/AgNO_3摩尔比、反应温度、反应时间、添加剂FeCl_3·6H_2O用量、滴加速度和搅拌速度等合成条件对银纳米线形貌的影响。研究表明合成银纳米线的最优工艺为160℃温度下反应1.5h、PVP/AgNO_3摩尔比为1.4:1、FeCl_3·6H_2O浓度为3mmol/L、滴加速度为70mL/h、搅拌速度为300r/min,利用SEM、TEM、UV-Vis和XRD测试分析表明所合成的银纳米线形状规整、粗细均匀、表面光滑无团聚,无其他纳米粒子产生,平均长度可达50um,直径均在60nm左右,长径比约为800。(2)将以上合成的长径比为800的银纳米线分散到无水乙醇中,得到一系列质量体积浓度的银线分散液。将原样涤纶和经过氧等离子体改性的涤纶织物用浸渍-烘干工艺分别处理,通过热压工艺提高涤纶织物对AgNWs的吸附牢度。探讨了不同浓度的银纳米线溶液对通过浸渍工艺得到的AgNWs/涤纶复合织物的性能影响。结果表明,随着银纳米线溶液浓度由1mg/mL增加到4mg/mL,AgNWs/原样涤纶织物的UPF值从15.61上升至87.47,方块电阻由25.38Ω/sq减小至2.51Ω/sq。经洗涤后发现,两种银纳米线涤纶复合织物的耐洗性能均较差。AgNWs/氧等离子体改性涤纶织物的防紫外线性能、导电性明显优于AgNWs/原样涤纶织物。将经过氧等离子体改性后得到的AgNWs/涤纶复合织物,再采用热压工艺处理,不仅能提高织物的初始导电性,而且经过50次洗涤后,方块电阻增加了24.89%,UPF值降低了24.76%,耐洗性大大改善,可以满足使用要求。(3)用交联剂BTCA对涤纶纤维进行改性,通过分子间交联提高了AgNWs的粘附能力。研究了不同长径比的AgNWs对AgNWs/BTCA/涤纶复合织物性能的影响,分析了BTCA作为交联剂将AgNWs交联到涤纶纤维表面的作用机制。结果表明,通过TEM观察到AgNWs在织物表面分布均匀、贴附紧密、形成导电网络结构;随着银纳米线长径比的增大,AgNWs/BTCA/涤纶复合织物的UPF值呈现先上升后下降的趋势,当银纳米线长径比为600时,UPF值最大为25.10;方块电阻由2.06Ω/sq持续减小到0.3Ω/sq。AgNWs/BTCA/涤纶复合织物经过50次洗涤和1000次弯曲后测试,织物重量和方阻基本不变,耐洗性和抗弯曲性能好。(本文来源于《浙江理工大学》期刊2018-12-05）
方东,罗志平,鲍瑞,易健宏[5]（2018）在《高长径比的稀土共掺杂BaSiF_6纳米线的快速发光性能》一文中研究指出一系列具有高长径比的六氟硅酸钡(BaSiF_6)超长纳米线有快速光致发光(PL)性能,其与Ce~(3+)/Tb~(3+)/Eu~(3+)离子共掺杂时具有亚纳秒衰减时间。溶剂热合成的BaSiF_6纳米线表现出了均匀的形态,平均直径小于40nm,长径比超过几百,在c轴方向上生长{110}表面。当被254nm源激发时,共掺杂的BaSiF_6纳米线的PL发射性能,取决于Tb~(3+)浓度;在近紫外光源激发时从Ce~(3+)到Tb~(3+)和Eu~(3+)离子的能量转移可在可见光谱中的有效发射。在600℃下在真空中退火BaSiF_6纳米线,会产生由纳米晶体组成的氟化钡(BaF_2)纳米线。与其共掺杂的微米尺度的对应物颗粒相比,BaSiF6和BaF_2纳米线在可见光谱中都表现出快速荧光发射性能和具有增强的强度。发现共掺杂的BaSiF6纳米线的衰减时间短于共掺杂的BaF_2纳米线的衰减时间。在高能辐射的阴极发光光谱中也观察到能量转移。(本文来源于《第十届中国功能玻璃学术研讨会暨新型光电子材料国际论坛会议摘要集》期刊2018-11-08）
刘琳,李鑫,陈喜芳,易早,易有根[6]（2018）在《高长径比银纳米线的可控制备及其在透明导电薄膜中的应用》一文中研究指出利用溶剂热法,乙二醇为溶剂和还原剂,PVP为表面活性剂,硝酸银为银源,讨论硫化钠浓度对银纳米线尺度的影响。用SEM、XRD和紫外光谱对银纳米线及其薄膜的形貌和透过率进行分析。实验表明,银纳米线薄膜的光透过率与其直径大小有重要关系。当Na2S浓度为0.4 mol/L时,银纳米线的尺度最均匀,平均直径为90 nm,以此制备的薄膜透过率平均值大于85%,且在330 nm波长处有最大值89%,高于平均直径45 nm组的透过率,而平均直径200 nm组的透过率仅为65%。(本文来源于《湖南文理学院学报(自然科学版)》期刊2018年03期）
罗婷,顾幸勇,吴军明,罗雪珍,李萍[7]（2018）在《利用沙漠沙低温合成高长径比莫来石晶须》一文中研究指出利用沙漠沙独特的化学组成特性和矿物特性,将沙漠沙荒料作为硅源,工业Al(OH)3作为铝源制备莫来石晶须。改变硅源/铝源配比和合成温度,结合XRD、SEM、TEM研究莫来石生长环境和自由生长形态的变化。研究结果表明:当沙漠沙与Al(OH)3的质量比为35/65时,在1200℃的低温下就能获得平均值>60的高长径比莫来石晶须;随着煅烧温度的升高,莫来石晶须长径比不断增大,当温度升至1300℃,平均长径比>94。随着合成温度的升高,莫来石的形成经过了一次莫来石和二次莫来石化两个阶段;若配方中Al2O3处于过饱和状态,样品中刚玉相会随着煅烧温度的升高出现先增多后降低的变化现象。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年08期）
管青军,孙伟,刘润清,殷志刚,张谌虎[8]（2018）在《少量CuCl_2·2H_2O作用下制备高长径比α-半水硫酸钙晶须（英文）》一文中研究指出为了制备高长径比的α-半水硫酸钙(α-CaSO_4·0.5H_2O)晶须,在以二水硫酸钙(CaSO_4·2H_2O)前驱体为原料的水热反应过程中加入CuCl_2·2H_2O作为媒晶剂。当反应体系中加入2.60×10–3 mol/L的CuCl_2·2H_2O时可以使产物α-半水硫酸钙晶须的长径比由81增加到253。EDS和XPS检测结果表明,CuCl_2·2H_2O能够显着增加α-半水硫酸钙晶须的长径比主要是因为Cu2+优先吸附于α-CaSO_4·0.5H_2O晶体带负电的{110}和{100}面,从而阻碍了侧面的生长,最终导致晶体长径比的增加。ATR-FTIR进一步证实了Cu2+主要通过配位吸附的形式与α-CaSO_4·0.5H_2O晶体表面进行作用。(本文来源于《Journal of Central South University》期刊2018年03期）
陈奇,王国政,王蓟,杨继凯,端木庆铎[9]（2018）在《光电化学腐蚀法制备高长径比硅微通道》一文中研究指出在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流。研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线。根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处HF质量分数与通道长度的关系。根据腐蚀后的暗扫描I-V曲线计算出暗电流密度。与腐蚀电流密度相比,阴离子表面活性剂的暗电流可忽略不计,进而获得了腐蚀电流修正曲线。根据腐蚀电流修正曲线,通过控制光照强度制备出高长径比(大于60)的等径硅微通道阵列。对修正的腐蚀电流进行调整,制备出通道尺寸空间周期性变化的硅微通道结构。研究结果可为高长径比硅微通道的制备提供技术方法。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年03期）
陈祥,王玉魁,迟关心,王振龙,黄涛[10]（2017）在《基于微细电火花线切割加工的高长径比阵列电极制作》一文中研究指出基于微细电火花线切割机床开展一种端面为六边形的高长径比阵列电极的制作。为实现圆柱工件的分度转动,研制了高精度分度回转主轴系统,其装夹在X/Y加工平台上,可实现圆柱工件的任意角度转动,结合微细电极丝的往复运动可实现复杂分度结构的加工。为获得良好的加工性能,开展开路电压、放电电容、脉宽、进给速度以及工件厚度的单因素工艺实验。通过对材料去除率和放电间隙进行分析,确定合适的加工参数,并将不同切割厚度的加工间隙补偿在加工轨迹中。实现高长径比阵列电极的高精密加工。(本文来源于《第17届全国特种加工学术会议论文集（上册）》期刊2017-11-17）
高长径比论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用原子层沉积技术(ALD)在不锈钢微通道管式反应器内壁沉积二氧化硅(SiO_2)和二氧化钛(TiO_2)薄膜,以抑制碳氢燃料热裂解过程中由于金属催化作用导致的结焦.使用石英晶体微天平(QCM)测得SiO_2和TiO_2薄膜的生长速率分别为0. 15 nm/周期和0. 11 nm/周期,因此可以通过改变沉积周期数精确控制钝化层的厚度.在结焦实验中,当钝化膜层较薄时,其抗积碳钝化作用较弱;随着钝化薄膜厚度的增加,其钝化作用逐渐增强,微通道反应器的运行寿命显着延长.实验表明,TiO_2薄膜的抗积碳钝化性能普遍优于SiO_2薄膜.沉积周期数为1000的TiO_2膜层具有最佳的抗积碳钝化效果,能够使反应器的运行时间延长4～5倍.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高长径比论文参考文献
[1].朱金铭,钱建华,孙丽颖,李正平,彭慧敏.用高长径比银纳米线制备功能性复合涤纶织物及其性能[J].纺织学报.2019
[2].惠龙飞,李建国,龚婷,孙道安,吕剑.高长径比管式反应器内壁SiO_2与TiO_2钝化层的原子层沉积制备及抗积碳性能[J].高等学校化学学报.2019
[3].王欢,陈雪梅.晶种法制备高长径比纳米银线的研究[J].人工晶体学报.2019
[4].朱金铭.高长径比银纳米线的制备及AgNWs/涤纶复合织物性能研究[D].浙江理工大学.2018
[5].方东,罗志平,鲍瑞,易健宏.高长径比的稀土共掺杂BaSiF_6纳米线的快速发光性能[C].第十届中国功能玻璃学术研讨会暨新型光电子材料国际论坛会议摘要集.2018
[6].刘琳,李鑫,陈喜芳,易早,易有根.高长径比银纳米线的可控制备及其在透明导电薄膜中的应用[J].湖南文理学院学报(自然科学版).2018
[7].罗婷,顾幸勇,吴军明,罗雪珍,李萍.利用沙漠沙低温合成高长径比莫来石晶须[J].人工晶体学报.2018
[8].管青军,孙伟,刘润清,殷志刚,张谌虎.少量CuCl_2·2H_2O作用下制备高长径比α-半水硫酸钙晶须（英文）[J].JournalofCentralSouthUniversity.2018
[9].陈奇,王国政,王蓟,杨继凯,端木庆铎.光电化学腐蚀法制备高长径比硅微通道[J].半导体技术.2018
[10].陈祥,王玉魁,迟关心,王振龙,黄涛.基于微细电火花线切割加工的高长径比阵列电极制作[C].第17届全国特种加工学术会议论文集（上册）.2017
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