导读:本文包含了位错方程论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:薄膜,位错方程,边界效应
位错方程论文文献综述
白建会[1]（2017）在《薄膜中的螺位错方程及边界效应》一文中研究指出由于表面的出现,薄膜材料的力学性质与相应的块体材料有很大的不同。即使在小尺度,位错仍然是影响晶体材料塑性等力学行为的重要因素。本文旨在建立描述薄膜中位错结构的基本方程——位错方程,研究边界效应对位错性质的影响。根据Peierls-Nabarro(P-N)模型的中心思想,推导薄膜中的位错方程首先要解决薄膜表面上的位移场与表面上应力分布的关系,即边界平衡问题。在弹性理论中,薄膜的平衡问题还没有被很好的解决。本文首先利用格林张量函数分别推导了薄膜中任意内点满足的平衡方程和边界上满足的平衡方程。任意内点的位移由边界上的位移和应力分布确定。但是边界上的位移场和应力场不是独立的,它们之间的关系由边界平衡方程确定。利用傅里叶变换,在波矢k空间基于边界平衡方程推导位错方程是容易的,困难的是如何找到实空间中对应的位错方程。如果确定了薄膜中的位错方程,通过求解位错方程得到滑移面两侧的位移和应力分布,进而利用薄膜内点的平衡方程可以完全地确定位错在薄膜中产生的位移场。基于P-N模型,推导了薄膜中的螺位错方程,并且考虑了薄膜的任意边界条件:自由边界、固定边界和外加负载。薄膜的边界条件分为应力边界和应变边界。与块体中的位错方程相比,边界的出现对位错方程的修正分为两部分:应力边界和应变边界对位错间相互作用的修正是相反的,靠近应力边界位错相互作用减弱,反之,靠近应变边界位错相互作用增强;边界上的外加应力或位移的影响作为独立的一项迭加到位错方程中。位错方程是决定位错结构的基本方程,为研究边界效应和外加负载对薄膜中位错性质的影响提供了基础。定量研究了螺位错靠近自由表面和固定边界时的边界效应。具有自由表面的半空间模型可以描述外延薄膜中的位错,具有固定边界的半空间模型可以描述位错与晶界的相互作用。自由边界是应力边界的典型代表,固定边界是应变边界的典型代表,这两种边界对位错相互作用的修正是相反的,位错靠近自由表面时变得更窄,靠近固定边界时变得更宽,位错宽度的相对变化反比于其到表面的距离。位错与边界的相互作用除了包括来源于像位错的长程镜像力,还包括失配能变化引起的短程作用力。边界效应对宽位错的影响更加明显。对于自由薄膜中的位错,由于第二个自由表面的出现,位错的应变能会进一步降低,位错宽度进一步减小。随着薄膜厚度的减小,Peierls应力增大,位错的可动性减弱。自由薄膜模型与原子模拟中的选取的原胞一致,有助于理论模型与原子模拟结果的直接比较,澄清边界对Peierls应力的影响等问题。推导的位错方程中明确给出了薄膜边界上外加应力场和位移场与位错的相互作用形式,由此可以直接研究薄膜边界上外加负载对位错的影响,具有明确的实际物理意义。本文中通过在表面施加一个局域外应力场研究了位错变形的难易程度,即位错的刚度,宽位错的结构更加容易发生变形。(本文来源于《重庆大学》期刊2017-04-01）
牛银菊,朱策,邵明珠,罗诗裕[2]（2013）在《Seeger方程及其位错对超晶格光电性质的影响》一文中研究指出周期介质的特殊性质引起了人们的广泛兴趣,为人们寻找新材料和新光源开辟了全新领域。周期介质的交变应力场决定了超晶格的光电性能。在经典力学框架内,利用广义叁角函数的Bessel展开和多尺度法导出了系统的一级近似解;并对强场和弱场情况进行了分析。结果表明,当位错能量大于周期势垒,或位错振幅大于超晶格层厚时,位错可在滑移面内运动实现能量转移与释放,有利于改善超晶格材料的光电性质。(本文来源于《半导体光电》期刊2013年04期）
叶金琴[3]（2008）在《位错方程系数与声子谱之间的关系》一文中研究指出由晶格动力学导出的准连续位错方程包含离散效应修正。位错方程具有普适结构,不同晶格的位错方程形式相同,只是方程中的物理参数不同。本文主要讨论方程中离散效应修正项的物理意义,确定方程中的物理参数与声学波波速及晶格结构之间的关系,建立起实验上不可测的物理量与可测物理量之间的联系。在考虑原子间最近邻和次近邻相互作用的情况下,给出了二维叁角晶格和简立方晶格的满足平移求和规则和转动求和规则的力常数矩阵;在只考虑原子间最近邻相互作用力的情况下,给出了面心立方晶格满足平移求和规则和转动求和规则的力常数矩阵。在位错晶格理论的基础上,讨论了准连续位错方程中离散效应修正项的物理意义以及离散效应修正项系数与晶体中退耦合晶面(原子链)的波速的关系。发现晶体离散效应修正主要来自于表面原子间的相互作用,它表现为二阶导数项。基于晶格动力学理论,通过分析晶体体波速与原子间相互作用力的关系,在只考虑原子间的短程中心力相互作用下,给出了晶体中退耦合晶面(原子链)的波速与体波速及晶格结构的关系。其目的是为了建立起位错方程中离散效应修正项系数与实验上可测量的物理量之间的联系。如果考虑原子间的非中心力部分的修正,该关系近似成立。最后由不同的晶格结构验证了该关系的可靠性。(本文来源于《重庆大学》期刊2008-04-01）
王坤[4]（2006）在《各向异性简立方晶体的位错方程》一文中研究指出最近,人们基于晶格动力学理论,考虑原子之间的相互作用,利用格林函数方法严格推导了二维叁角晶体和各向同性简立方晶体中的位错方程。这套位错晶格理论考虑了晶格的离散效应,较好地体现了晶格的特性,获得的理论结果与实验数据吻合的很好,所发展的理论使求解不同类型晶体中的位错方程成为了可能。简立方晶体中的计算对晶体作了各向同性近似,虽然各向同性数学计算简单,并且可以得到一些有用的结果,但得到的结果仅仅数值表达式,不能反映其物理本质。本文利用晶格位错理论对各向异性简立方晶体的位错方程重点研究,主要涉及了以下几个内容:1)首先简单介绍了位错概念的提出、理论的发展、模型的证实;然后对影响力巨大的着名模型进行了详细描述,分析了模型提出的背景、得出的结论,并且结合晶体材料的特性分析了这些模型各自的特性。2)利用基于晶格动力学的晶体位错全离散解析理论,考虑最近邻原子间和次近邻原子间的中心相互作用以及最近邻原子间的角向相互作用,考虑晶格的离散效应,利用格林函数方法严格推导出了准连续近似下各向异性简立方晶体中的位错方程,与已有的位错方程相比表明了位错方程具有普适结构:非线性的微分积分方程;不同的相互作用模型,不同类型的晶格只影响方程的相关系数。本文首次利用模型中的各相互作用参数精确描述方程中的各项系数,分析了各项系数随各相互作用系数变化;发现二阶微分项系数可以用数弹性常数近似表示;而积分项中一阶微分项的系数与弹性位错理论的能量因子在角向相互作用常数为零时完全吻合。3)由位错位移场的缓变性质采用截断近似法求解了位错方程,得到了位错的解析解。解为各相互作用参数的函数,文中分析了各相互作用参数对位错宽度的影响,发现二阶相互作用参数β的增大使位错结构参数c1减小;并且随着β的增大c1趋于定值;随着角向相互作用参数γ的增大, c1的变化是先减小后增大,出现了一个极小值,β越大,出现极值的γ越大。4)由简立方晶体材料Ⅰ-Ⅶ族化合物的弹性张量求得其中的各相互作用参数,从而求得各化合物的位错宽度,发现这些位错芯结构参数c1在近似范围内基本相等。并且发现KCl、KBr、KI的位错宽度近似相同,NaCl的位错宽度较小一些。(本文来源于《重庆大学》期刊2006-05-05）
范庆华[5]（2006）在《基于晶体位错理论的F-K模型方程的导出》一文中研究指出以晶体的位错理论为基础,建立完全离散的晶体位错模型,仅考虑最近邻原子间相互作用,运用格林函数法,严格、定量导出F—K模型方程。(本文来源于《河南科技大学学报(自然科学版)》期刊2006年02期）
葛庭燧,方前锋[6]（1997）在《溶质原子在位错芯区内扩散所引起的非线性滞弹性内耗峰的理论——Ⅰ.溶质原子在位错芯区内的扩散方程》一文中研究指出应用位错弯结气团模型,讨论了坐落在弯结部分和坐落在弯结两端的直位错段部分的溶质原子的扩散情况,并引入溶质原子在(x,y)位置出现的几率密度或分布函数的概念,当弯结在外力作用下进行侧向运动时,上述的分布函数发生相应的变化,用弯结链向外弓出的模型来描述弯结链在外力作用下的重新分布,从而算出所导致的能量变化,进而求出施加于溶质原子上的横向力和纵向力,式列出溶质原子的横向漂移和纵向漂移的扩散方程。(本文来源于《自然科学进展》期刊1997年04期）
张胜利[7]（1996）在《非线性缺陷连续统的位错和旋错的连续性方程》一文中研究指出根据非线性缺陷连续统的４维几何理论，导出了位错和旋错的连续性方程．该方程具有广义坐标变换的协变性，并且其中仅出现与缺陷连续统自然构形对应的Ｒｉｅｍａｎｎ－Ｃａｒｔａｎ时空的联络，改进了原来需要两种联络的连续性方程．在线性近似下，导出的缺陷连续性方程简化为与线性缺陷连续统理论的位错和旋错连续性方程相同的形式．(本文来源于《西安交通大学学报》期刊1996年06期）
董连科[8]（1993）在《位错密度的演化动力学方程》一文中研究指出将位错的增殖、湮没与相互反应看作化学反应,位错在热激活作用下具有扩散性质。因此,位错系统是一个反应-扩散系统。依据自组织理论,给出了两个位错密度演化动力学方程,当系统发生结构失稳之后,第一个方程变成第二个方程;第一个方程含有对称性破缺,按Higgs机制将发射偶极子。(本文来源于《高压物理学报》期刊1993年04期）
欧发[9]（1978）在《关于宏观位错动力学的基本方程问题》一文中研究指出一、引言位错周围存在着应变、应力场,需要有一组方程将位错源(位错分布、代表位错运动的位错流)与它的场连系起来——场的方程;位错在外应力场作用下发生运动,也需要方程将两者联系起来——位错的运动方程。这十分类似于电动力学的基本方程:场的方程——Maxwell 方程;运动方程——Lorentz 方程。寻求建立位错的这两方面的方程,以至于求解,是建立位错动力学的基本任务。位错动力学的建立过程受到已有的弹性力学理论与电动力学理论的影响是很大的。位错场和一般情况下的电磁场一样属于线(本文来源于《哈尔滨工业大学学报》期刊1978年Z1期）
位错方程论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
周期介质的特殊性质引起了人们的广泛兴趣,为人们寻找新材料和新光源开辟了全新领域。周期介质的交变应力场决定了超晶格的光电性能。在经典力学框架内,利用广义叁角函数的Bessel展开和多尺度法导出了系统的一级近似解;并对强场和弱场情况进行了分析。结果表明,当位错能量大于周期势垒,或位错振幅大于超晶格层厚时,位错可在滑移面内运动实现能量转移与释放,有利于改善超晶格材料的光电性质。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
位错方程论文参考文献
[1].白建会.薄膜中的螺位错方程及边界效应[D].重庆大学.2017
[2].牛银菊,朱策,邵明珠,罗诗裕.Seeger方程及其位错对超晶格光电性质的影响[J].半导体光电.2013
[3].叶金琴.位错方程系数与声子谱之间的关系[D].重庆大学.2008
[4].王坤.各向异性简立方晶体的位错方程[D].重庆大学.2006
[5].范庆华.基于晶体位错理论的F-K模型方程的导出[J].河南科技大学学报(自然科学版).2006
[6].葛庭燧,方前锋.溶质原子在位错芯区内扩散所引起的非线性滞弹性内耗峰的理论——Ⅰ.溶质原子在位错芯区内的扩散方程[J].自然科学进展.1997
[7].张胜利.非线性缺陷连续统的位错和旋错的连续性方程[J].西安交通大学学报.1996
[8].董连科.位错密度的演化动力学方程[J].高压物理学报.1993
[9].欧发.关于宏观位错动力学的基本方程问题[J].哈尔滨工业大学学报.1978