导读:本文包含了湿法刻蚀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:湿法,磁控溅射,各向异性,集成电路,薄膜,电阻,各向同性。
湿法刻蚀论文文献综述写法
杜秀蓉,宋学富,孙元成,张晓强,花宁[1]（2019）在《半球谐振陀螺用石英玻璃性能及湿法刻蚀特性》一文中研究指出熔融石英玻璃是半球谐振陀螺的关键核心材料。针对半球谐振陀螺用石英玻璃及湿法刻蚀减薄工序,分析了石英玻璃种类、性能指标差异,研究了熔融石英玻璃湿法刻蚀过程表面缺陷及形态变化。结果表明,熔融石英玻璃机械加工残留的亚表面缺陷在湿法刻蚀过程中会发生形态和大小变化,对熔融石英玻璃的均匀刻蚀影响较大。基于上述研究结果,给出了半球谐振陀螺的选材和球壳湿法刻蚀减薄工艺参考。(本文来源于《导航定位与授时》期刊2019年06期）
祝福生,夏楠君,赵宝君,黄鑫亮,王文丽[2]（2019）在《湿法刻蚀提高硅刻蚀均匀性技术研究》一文中研究指出介绍了硅湿法刻蚀的工作原理,分析了影响硅刻蚀均匀性的主要因素,重点阐述了在湿法腐蚀设备中提高硅刻蚀均匀性的方法。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2019年05期）
罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我[3]（2019）在《镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO_3:H_2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽(15±1)μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。(本文来源于《真空》期刊2019年05期）
张小辉,胡亚明,梁军生,宿世界,王大志[4]（2019）在《各向异性湿法刻蚀中刻蚀温度对硅尖形貌的影响》一文中研究指出纳米硅尖在原子力学显微镜、微机械电子、光学研究、纳米级图形加工上具有广泛的用途。然而,如何制备小曲率半径高纵横比的硅尖仍为有待解决的问题和挑战。根据各项异性湿法刻蚀硅尖原理,设计了硅尖的加工工艺流程,并制备出不同纵横比的纳米硅尖。通过观察掩模对角线刻蚀进程,得到了掩模对角线刻蚀速率与刻蚀温度的关系;对比了不同刻蚀温度对刻蚀硅尖的影响,发现采用40wt%KOH刻蚀液,水浴78℃的刻蚀条件满足自锐化且刻蚀出纳米硅尖曲率半径小而纵横比大,其曲率半径为26 nm,纵横比为1.9。(本文来源于《机电工程技术》期刊2019年09期）
董艳,刘艳,赵岩,崔向兰[5]（2019）在《湿法刻蚀车间有害气体扩散规律及控制技术数值模拟》一文中研究指出集成电路制造企业湿法刻蚀工序中使用了大量的刻蚀液,且刻蚀液极易挥发。为有效防治集成电路制造业湿法刻蚀车间有害气体的扩散,保护作业人员的身体健康,采用CFD方法对刻蚀车间更换刻蚀液的过程进行数值模拟计算,研究有害气体扩散的规律和控制技术。结果表明:刻蚀设备局部通风的风速和车间局部排风罩的位置是影响有害气体质量浓度分布的关键因素。当刻蚀设备的局部排风风速为6m/s,并在刻蚀设备上方车间顶部设置局部排风罩时,可使车间内作业工位处HF的质量浓度降到职业接触限值(2 mg/m~3)以下。(本文来源于《安全与环境学报》期刊2019年04期）
刘波[6]（2019）在《多晶硅纳米线的湿法刻蚀及光学性质研究》一文中研究指出介绍了采用湿法刻蚀的方法来制备多晶硅纳米线,通过扫描电镜、反射率测试和XRD晶形分析等手段来对制备样品的形貌和光学性质进行表征。通过实验研究HF浓度、AgNO_3浓度、H_2O_2浓度、反应时间对硅纳米线表面形貌和漫反射率的影响,从而得到刻蚀的最佳条件,制备出低反射率而又均匀的多晶硅纳米线材料。(本文来源于《湖北农机化》期刊2019年13期）
罗俊尧,杨曌,李保昌,沓世我[7]（2018）在《磁控溅射制备镍铬硅薄膜电阻的湿法刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO_3:H_2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽15±1um,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。(本文来源于《粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2018-11-30）
张凌越,王雷[8]（2018）在《二氧化硅湿法刻蚀的片内及片间均匀性的改善》一文中研究指出随着硅片尺寸的加大和工艺尺寸的不断缩小,硅片上薄膜的均匀性对产品的良率影响越来越大,湿法蚀刻均匀性也逐渐成为影响产品良率的一个关键参数。通过对化学清洗槽中刻蚀剂流速的优化,化学清洗槽之后水槽的去离子水水流量优化,去离子水水管设计优化都可显着改善二氧化硅薄膜湿法刻蚀的片内及片间刻蚀均匀性。二氧化硅薄膜(SiO_2)湿法刻蚀速率片内均匀性与化学槽中刻蚀剂流速呈现抛物线关系,片间均匀性随化学槽中刻蚀剂流速增加而减少。当刻蚀剂流速为零时可获得最优的片内及片间刻蚀均匀性。同时,化学清洗槽之后水槽的去离子水的流量和水管设计优化也能改变二氧化硅薄膜湿法刻蚀的片内及片间刻蚀均匀性。(本文来源于《集成电路应用》期刊2018年07期）
张云泽[9]（2018）在《石英湿法刻蚀微结构及其水平集方法计算模拟》一文中研究指出α-石英作为一种压电材料,其各向异性腐蚀是MEMS材料加工工艺的重要组成部分。石英的各向异性腐蚀特性复杂,速率极大值和极小值重复出现,石英各向异性刻蚀的结构、掩模尺寸的大小、掩模的方向都直接影响着刻蚀的最终形貌。本文结合水平集方法(Level Set Method),探究了掩模对刻蚀的影响,主要内容如下:1)实验获得了石英各向异性湿法刻蚀的全空间速率。根据平面波理论,利用石英各向异性湿法刻蚀的全空间速率,探讨了速率曲线和各向异性腐蚀特性的内在联系,给出了特征晶面在刻蚀速率正向极值条件下的变化规律,并在此基础上开发出用于简单二维形貌预测的特征值法。2)开发出用于AT,BT切向石英刻蚀模拟的水平集方法。通过石英各向异性湿法刻蚀系统,可以获得石英湿法刻蚀模拟形貌,并且通过模拟结果,指导实验。同时,将石英各向异性湿法刻蚀系统拓展到不同切向的石英晶片中,拓展系统的适应程度。3)通过石英长矩形凹槽和凹槽、凸台的组合图形的刻蚀,研究AT-cut和BT-cut石英晶片的各向异性腐蚀特性。以AT-cut石英晶片为例,利用Level Set方法,帮助分析其双面刻蚀特性,包括厚度与最小开口尺寸之间的关系,上下掩模的偏移尺寸,垂直侧壁等;通过Level Set方法,验证了不同温度、不同配比条件下的石英各向异性腐蚀特性;同时,验证了Level Set在复杂掩模和复杂结构下的模拟能力,并指导微针阵列的设计。4)设计并验证了一种高密度曲面微针阵列,提出了控制微针高度和密度的掩模尺寸设计方法,包括Level Set优化迭代寻优尺寸程序和基于石英各向异性腐蚀的特征面速率模型,并验证Level Set的正确性。本文通过理论与实验相结合的方法,全面地分析了石英湿法刻蚀工艺和用途,验证了理论模型的准确性,并成功通过理论设计出实验,对石英晶体在MEMS工艺中的应用具有一定的指导意义。(本文来源于《东南大学》期刊2018-06-07）
张照云[10]（2018）在《添加剂对石英单晶湿法刻蚀特性的影响机理及应用研究》一文中研究指出石英单晶是MEMS中的一种重要材料,由于其具有优良的机械弹性,温度特性,高品质因数,化学稳定性,石英MEMS已经用于各种行业,特别是在惯性传感领域得到了很大的发展,如石英音叉陀螺、石英振梁加速度计己经在航空、航天、航海、导弹控制等方面得到广泛应用。化学湿法刻蚀具有批量制造、成本低的特点,石英单晶一般采用化学湿法刻蚀的方法,其主要的问题是刻蚀表面会出现金字塔型的小丘,导致刻蚀表面比较粗糙:另外,石英晶体材料具有复杂的晶向,很难加工出理想的矩形截面,且刻蚀截面的形貌会随着晶向、方向角、开孔大小以及刻蚀深度发生变化。目前,对石英单晶刻蚀特性的研究还不充分,刻蚀表面出现金字塔型小丘的机理还未见分析,还没有有效减小刻蚀表面粗糙度的方法,对于侧向刻蚀截面形貌的演化规律也还缺乏充分的认识,有必要进一步研究石英单品的湿法刻蚀特性,弄清小丘的形成机理,找到减小表面粗糙度的方法和充分认识刻蚀截面形貌的演化规律。在单晶硅湿法刻蚀研究中,常通过在刻蚀液体中加入添加剂改变单晶硅的湿法刻蚀特性,而在石英单晶湿法刻蚀中,还未查到在刻蚀液体中加入添加剂来改变石英单晶的刻蚀特性。因此,在进一步深入研究石英单晶湿法刻蚀特性的基础上,研究添加剂对石英单晶刻蚀特性的影响机理研究,并利用添加剂调控石英湿法刻蚀特性,必将更加有效的提高微机电器件的性能和加快新型器件的开发研制,具有重要的学术意义和应用价值,并取得显着经济效益和社会效益。本文针对石英单晶刻蚀表面和侧面刻蚀形貌的问题,进一步深入研究了石英单晶的湿法刻蚀特性,在此基础上探索了添加剂对石英单晶湿法刻蚀特性的影响,并将相关成果应用于一种新型的石英摆式微加速度计的制作中,主要研究内容如下:1.进一步深入研究了石英单晶在氟化氢铵溶液中的刻蚀特性。在研究石英单晶湿法刻蚀机理的基础上,进一步深入研究了石英单品在氟化氢铵溶液中的刻蚀特性,研究了刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度和侧向刻蚀形貌随刻蚀条件的变化规律,首次深入分析了Z向刻蚀表面小丘的形成机理以及小丘的形成过程,并讨论了侧向刻蚀形貌随时间的演化规律。2.研究添加剂分子在石英单晶表面的吸附机理,建立吸附模型。在研究石英表面特性和固-液界面特性的基础上,以表面活性剂DPC在石英表面上的吸附等温线为基础,深入分析了表面活性剂在石英表面的吸附机理,在此基础上,建立了添加剂在石英表面的吸附模型。3.研究了添加剂修饰的石英单晶湿法刻蚀特性。首先研究了单一添加剂对石英单晶刻蚀速率和刻蚀表面粗糙度的影响,并分析了其影响机理,然后研究了两种添加剂对石英单晶刻蚀表面粗糙度的影响,并分析了其影响机理。通过以上研究,有效揭示了添加剂作用的石英单晶湿法刻蚀机理。4.制作出基于湿法刻蚀技术的石英摆式微加速度计。根据以上研究结果,将石英单晶湿法刻蚀技术应用于石英摆式微加速度计制作中,设计了石英摆式微加速度计的结构,讨论了其关键工艺步骤,通过优化刻蚀条件,制作出高质量石英摆式微加速度计。通过测试,石英摆式微加速度计中间敏感结构质量块侧壁陡直,左右对称性以及上下对称性好,敏感结构悬臂梁刻蚀表面粗糙度减小50%左右,对器件性能进行了初步测试,具有较好的指标。(本文来源于《中国工程物理研究院》期刊2018-04-01）
湿法刻蚀论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介绍了硅湿法刻蚀的工作原理,分析了影响硅刻蚀均匀性的主要因素,重点阐述了在湿法腐蚀设备中提高硅刻蚀均匀性的方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
湿法刻蚀论文参考文献
[1].杜秀蓉,宋学富,孙元成,张晓强,花宁.半球谐振陀螺用石英玻璃性能及湿法刻蚀特性[J].导航定位与授时.2019
[2].祝福生,夏楠君,赵宝君,黄鑫亮,王文丽.湿法刻蚀提高硅刻蚀均匀性技术研究[J].电子工业专用设备.2019
[3].罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我.镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究[J].真空.2019
[4].张小辉,胡亚明,梁军生,宿世界,王大志.各向异性湿法刻蚀中刻蚀温度对硅尖形貌的影响[J].机电工程技术.2019
[5].董艳,刘艳,赵岩,崔向兰.湿法刻蚀车间有害气体扩散规律及控制技术数值模拟[J].安全与环境学报.2019
[6].刘波.多晶硅纳米线的湿法刻蚀及光学性质研究[J].湖北农机化.2019
[7].罗俊尧,杨曌,李保昌,沓世我.磁控溅射制备镍铬硅薄膜电阻的湿法刻蚀工艺研究[C].粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集.2018
[8].张凌越,王雷.二氧化硅湿法刻蚀的片内及片间均匀性的改善[J].集成电路应用.2018
[9].张云泽.石英湿法刻蚀微结构及其水平集方法计算模拟[D].东南大学.2018
[10].张照云.添加剂对石英单晶湿法刻蚀特性的影响机理及应用研究[D].中国工程物理研究院.2018