导读:本文包含了硅衬底论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:衬底,荧光,衰减器,外延,晶格,薄膜,多层。
硅衬底论文文献综述
万能[1]（2019）在《努力打造硅衬底LED千亿级产业》一文中研究指出本报讯（记者 万能）11月23日，省委常委、市委书记殷美根利用周末时间来到晶能光电（江西）有限公司，向硅衬底LED技术发明人、晶能光电联合创始人、南昌大学江风益教授当选中国科学院院士表示祝贺，并围绕扶持企业发展进行专题调研。市委常委、市委秘书长郭毅参加调(本文来源于《南昌日报》期刊2019-11-25）
胡学英[2]（2019）在《高质量发展视角下南昌硅衬底LED产业发展探析》一文中研究指出LED产业是国家战略性新兴产业,LED半导体照明技术不但节能低耗而且用途广泛,拥有无可比拟的优势。结合南昌硅衬底LED产业发展的现状以及产业发展遇到的五道难关,提出要打好自主创新的保卫战、细分市场的争夺战、技术推广的协同战、产业强链的攻坚战、人才引进的持久战五场硬仗。(本文来源于《中国经贸导刊(中)》期刊2019年10期）
姚小康[3]（2019）在《硅衬底上铁酸铋薄膜的生长与表征》一文中研究指出多铁性作为材料的一种功能特性,在新型数据存储、能源转换、光电传感等方面有着极大的潜在应用价值。目前,研究最广泛的多铁性材料属于复杂过渡金属氧化物,这些复杂氧化物中存在的晶格、电荷、轨道、自旋等多种自由度相互作用,是研究新一代低功耗、绿色环保的多功能光电器件的关键。铁酸铋(BiFeO_3)是一种少见的室温下具有铁电和反铁磁性的多铁性材料,一直是铁电和多铁领域研究的热门材料。科研工作者们已经在BiFeO_3中发现包括体光伏效应和可翻转二极管效应在内的许多有应用前景的新奇功能特性。随着薄膜生长技术的发展,利用激光分子束外延实现原子尺度上控制氧化物薄膜的生长已成为可能,从而大幅提升了氧化物薄膜、异质结及超晶格结构的质量。在硅(Si)衬底上生长BiFeO_3薄膜,将半导体与铁电氧化物结合起来,可以用来设计用于信息存储和传感的新型器件。因此,在Si衬底上生长高质量的BiFeO_3薄膜对设计和开发新型多功能氧化物器件有着重要的作用。但是,由于晶格失配度和界面互扩散等因素的影响,很难直接在Si衬底上生长出具有铁电性的单相BiFeO_3薄膜。目前所报道的在Si上生长的BiFeO_3薄膜均是在两者之间加入了不同程度的缓冲层以减小晶格失配度及互扩散作用。本论文主要研究了在p型导电Si衬底上BiFeO_3薄膜的直接生长及物理性质,主要取得如下成果。利用激光分子束外延技术,我们探索和优化了生长条件,直接在Si衬底上成功生长出具有较好铁电特性的单相BiFeO_3薄膜。我们发现在薄膜生长的初始阶段,室温和高真空条件下的约2 nm厚度的BiFeO_3薄膜预沉积过程,不但可以抑制Si表面非晶层的增长,而且能够有效地避免BFO薄膜中杂质相的形成。因此,室温和高真空条件下的预沉积过程是获得单相BiFeO_3薄膜的关键。另外,X射线衍射结果表明生长在Si上的BiFeO_3薄膜无杂相,呈现多晶状态,且结晶度随着薄膜厚度增加而增高。透射电镜表明在Si与BiFeO_3薄膜界面处存在厚度大约3 nm的非晶界面层。铁电电滞回线显示薄膜具有较好的铁电性,随薄膜厚度增加,剩余极化强度增加,矫顽场减小。此外,薄膜具有较小的漏电流,分析表明非晶界面层可能对薄膜的漏电流减小有贡献。椭圆偏振光谱研究表明随着薄膜厚度的增大,吸收边出现轻微红移,光学带隙宽度减小,主要与受晶粒尺寸的影响有关。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
Latticepower,(jiangxi),Corporation[4]（2019）在《硅衬底UV LED技术与应用》一文中研究指出目录CONTENTS1硅衬底UV LED外延技术2硅衬底UV LED器件技术3UV产品及应用简介晶能光电简介·由VC支持成立的大功率LED公司(金沙江,永威,Mayfield,亚太资源,淡马锡)·总共投资是～1.8亿美元·注册于开曼群岛,运作基地在江西南昌·公司主要由两大部分组成–外延,芯片事业部(晶能光电)–大功率LED封装事业部(晶能半导体)(本文来源于《2019第十八届辐射固化技术高级研讨会——UV LED光固化专题报告集》期刊2019-05-29）
张一飞,李孟委,吴倩楠[5]（2019）在《一种基于高阻硅衬底的高精度RF MEMS衰减器设计》一文中研究指出针对RF MEMS衰减器插入损耗及衰减精度较差的问题,设计了一种高阻硅衬底的高精度RF MEMS衰减器,采用共面波导(Coplanar waveguide简称CPW)将喇叭式功分器结构、悬臂梁式直板状RF MEMS开关以及π形衰减电阻网络集成,作为衰减器的基本单元.此外,本文还设计了喇叭式功分器将信号渐变式传输到衰减器中,用以减小系统的插入损耗,并结合悬臂梁式直板状RF MEMS开关结构和衰减电阻,提高衰减系统的衰减精度.同时通过HFSS仿真软件对衰减器的射频性能进行模拟验证,得到DC～20GHz频段内,插入损耗中心值优于1.35dB,驻波比小于1.08dB,0～70dB范围内的衰减精度优于±2dB,这些指标均优于目前常用的RF MEMS衰减器.由此可见,优化衰减器中的功分器与开关结构是提高射频衰减器射频性能的一种有效方法,为高精度、低驻波比的衰减器工艺制作提供了一种设计方案.(本文来源于《中北大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
张建伟[6]（2019）在《裂解型的瞬态硅衬底结构设计以及工艺研究》一文中研究指出随着半导体技术的发展,使得电子设备在各行各业中扮演着越来越重要的角色,与人们的生活密不可分。大量电子设备的使用,相应的也就带来诸多的问题,比如电子垃圾的增长,个人信息的泄漏等。而瞬态电子技术正是解决这些问题的关键和未来,瞬态电子是指具有某种功能的电路或者电子器件能够接收外来的特定刺激信号,并能够及时做出反应,如完成自我损坏,或破坏主要电路功能;另一方面,瞬态电子也指那些在特定环境中实现部分甚至完全降解的器件和电路。目前的瞬态电子技术一般基于新型可降解衬底材料和先进的工艺,且其一般结构简单、功能单一,无法实现硅衬底芯片的复杂功能。本文提出了一种硅衬底结构的裂解型器件,主要研究内容如下:在断裂理论的基础上,对硅片背部填充金属引入应力的方案进一步研究,发现其引入的应力不足以使得硅片断裂或实现多块碎裂。由此提出了引入膨胀性能更高的微球作为填充物,以增大应力实现器件的失效,并进行了实验验证。在温度达到微球的触发温度时,热微球膨胀所带来的应力能够使得刻有凹槽的300μm硅片断裂。并对不同种类的热微球的膨胀性能做了鉴定,并考察了其低温和温度循环处理下的可靠性。在可降解瞬态电子中,提出了将微球膨胀材料埋置于可水解的封装材料中的方案,并通过制作带有凹槽的模具进行实验模拟,对其工艺制作进行了可行性分析;并对热膨胀微球的热源进行分析讨论,通过实验验证了使用电热丝的方式,即将电能转化为热能,提供给热微球使其能吸收足够的热达到体积膨胀的目的,并实现了硅片失效的结果。使用ABAQUS软件对热微球在相同埋置体积,不同埋置形状下产生应力的模拟,并确定了使用方柱体的埋置方式。最后使用水溶性的封装材料,硅片和膨胀微球完成了可降解瞬态器件的失效过程模拟。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
周之琰,杨坤,黄耀民,林涛,冯哲川[7]（2018）在《硅衬底生长的InGaN/GaN多层量子阱中δ型硅掺杂n-GaN层对载流子复合过程的调节作用》一文中研究指出为了解决在单晶硅衬底上生长的InGaN/GaN多层量子阱发光二极管器件发光效率显着降低的问题,使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为n型层释放多层界面间的张应力。采用稳态荧光谱及时间分辨荧光谱测量,提取并分析了使用该方案前后的多层量子阱中辐射/非辐射复合速率随温度(10～300K)的变化规律。实验结果表明引入δ-Si掺杂的n-GaN层后,非辐射复合平均激活能由(18±3)meV升高到(38±10)meV,对应非辐射复合速率随温度升高而上升的趋势变缓,室温下非辐射复合速率下降,体系中与阱宽涨落有关的浅能级复合中心浓度减小,PL峰位由531nm左右红移至579nm左右,样品PL效率随温度的衰减受到抑制。使用周期性δ型Si掺杂的GaN取代Si均匀掺杂的GaN作为生长在Si衬底上的InGaN/GaN多层量子阱LED器件n型层,由于应力释放,降低了多层量子阱与n-GaN界面、InGaN/GaN界面的缺陷密度,使得器件性能得到了改善。(本文来源于《发光学报》期刊2018年12期）
潘书万,庄琼云,郑力新[8]（2018）在《硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性》一文中研究指出采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9nm增加到5.3nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60eV左右.研究发现:位于1.48eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.(本文来源于《华侨大学学报(自然科学版)》期刊2018年05期）
王龙龙,周文广,张连水,李晓莉,周川[9]（2018）在《硼掺杂和磷掺杂对硅衬底的变温荧光光谱特性的影响》一文中研究指出在Si(110)衬底上通过原位掺杂的方法可得到磷掺杂和硼掺杂硅片.测量了本征、磷掺杂和硼掺杂硅片的变温荧光光谱,研究了不同温度时杂质对硅片性质的影响.本征硅片的荧光发射光谱中只存在1个特征峰,进行掺杂后,由于能级发生分裂,在主峰左侧分裂出杂质峰.2种情况下均表现为杂质峰的波长随温度升高逐渐增加,而主峰的波长随温度升高逐渐减小.随着温度升高到135K,杂质峰消失并逐渐并入到主峰中,而且它们的主峰波长在275K时都与本征硅片的特征峰波长趋于一致.(本文来源于《河北大学学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
陶喜霞[10]（2018）在《高光效硅衬底GaN基黄光发光二极管发光性能研究》一文中研究指出近年来,发光二极管(LED)技术发展迅速,AlGa InN体系的紫光、青光、蓝光和绿光LED,以及AlGa InP体系的红光、橙光LED都能获得较高的发光效率。但是,作为红橙黄绿青蓝紫七彩基色之一的黄光,无论AlGaInN体系还是AlGaInP体系都很难制备成高光效LED,这一现象被称为“黄光鸿沟”。本文依托国家硅基LED工程技术研究中心,在Si衬底上生长了GaN基黄光LED外延薄膜,其材料结构依次为:AlN缓冲层、N型GaN层、准备层(超晶格结构)、多量子阱有源层、p-AlGaN电子阻挡层和P型GaN层。本文系统分析了GaN基LED中的空穴输运,并研究了超晶格的周期数、量子阱个数以及有源层垒厚等对Si衬底GaN基黄光LED发光性能的影响,获得了以下新结果:首次观测到Si衬底Ga N基LED中超晶格准备层的低温电致发光(EL)现象;并在此基础上提出了含V形坑的Si衬底GaN基LED中五种路径的空穴输运模型,此五种路径包括:通过c面注入平台量子阱,通过V形坑侧壁注入平台量子阱,在V形坑侧壁量子阱中与电子复合发光,通过V形坑侧壁传输至位于有源层之前的超晶格层,沿位错泄漏。研究了超晶格的周期数对Si衬底GaN基黄光LED发光性能的影响,结果表明:增加超晶格的周期数能够有效消除有源层中微米级的富In团簇。通过优化超晶格的周期数,在20 A/cm~2电流密度下,Si衬底GaN基黄光LED的外量子效率提高了~30%,同时工作电压明显降低(2.56-2.38V),其原因可归结于微米级富In团簇这一类非辐射复合中心的消除和V形坑增大对空穴注入的促进作用。研究了量子阱个数对Si衬底GaN基黄光LED的影响。用量子阱卫星峰的半高宽随衍射级数的变化曲线的斜率表征了量子阱的阱垒界面质量,结果表明:随着阱个数增加,量子阱的阱垒界面质量先变好再变差;这与以往报道的蓝光、绿光LED的阱垒界面随阱个数增加而单调变差的现象不同。出现上述实验现象的原因可能是在高In组分的黄光有源层中,先生长的量子阱缓解了后生长的量子阱的压应力,这部分抵消或补偿了由In涨落随阱个数增加而增强所产生对阱垒界面的破坏作用,从而延迟了最优阱垒界面对应的阱个数。此外,本文用GaN基LED载流子复合的ABC模型与EL数据相结合的方法,定性分析了量子阱的晶体质量,结果表明:当阱个数在5-8之间时,量子阱的晶体质量没有明显区别,当阱个数增加至9时,量子阱的晶体质量才开始下降。本文的研究结果还表明:随着阱个数增加,LED工作电压逐渐减小,这与以往报道的LED的工作电压随阱个数增加而增加的趋势相反,将其原因归结于V形坑增大对空穴注入的促进作用。通过优化量子阱个数,在20 A/cm~2电流密度下,Si衬底GaN基黄光LED的外量子效率提高了~10%,工作电压降低了0.10V。研究了有源层垒厚对Si衬底Ga N基黄光LED的影响。结果表明:随着垒厚增加,低电流密度区,外量子效率明显增加,其原因可归结于垒厚增加改善了量子阱的阱垒界面质量;随着垒厚增加,高电流密度区,LED光效的“droop”现象更严重,其原因可能是垒厚增加增大了量子阱中的压应力;随着垒厚增加,LED工作电压呈现先增大后减小的趋势,其原因可归结于垒厚增加所导致的串联电阻增大与V形坑增大的综合作用。高光效黄光LED在智能照明和可见光通信领域应用潜力巨大。本文的研究结果为本单位获得已知最高光效的黄光LED提供了技术支撑。在20A/cm~2的电流密度下,本单位所研制的主波长为565 nm的GaN基黄光LED的电光转换效率高达21.7%,远高于其他单位文献报道的最好水平9.63%。(本文来源于《南昌大学》期刊2018-06-30）
硅衬底论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
LED产业是国家战略性新兴产业,LED半导体照明技术不但节能低耗而且用途广泛,拥有无可比拟的优势。结合南昌硅衬底LED产业发展的现状以及产业发展遇到的五道难关,提出要打好自主创新的保卫战、细分市场的争夺战、技术推广的协同战、产业强链的攻坚战、人才引进的持久战五场硬仗。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅衬底论文参考文献
[1].万能.努力打造硅衬底LED千亿级产业[N].南昌日报.2019
[2].胡学英.高质量发展视角下南昌硅衬底LED产业发展探析[J].中国经贸导刊(中).2019
[3].姚小康.硅衬底上铁酸铋薄膜的生长与表征[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[4].Latticepower,(jiangxi),Corporation.硅衬底UVLED技术与应用[C].2019第十八届辐射固化技术高级研讨会——UVLED光固化专题报告集.2019
[5].张一飞,李孟委,吴倩楠.一种基于高阻硅衬底的高精度RFMEMS衰减器设计[J].中北大学学报(自然科学版).2019
[6].张建伟.裂解型的瞬态硅衬底结构设计以及工艺研究[D].电子科技大学.2019
[7].周之琰,杨坤,黄耀民,林涛,冯哲川.硅衬底生长的InGaN/GaN多层量子阱中δ型硅掺杂n-GaN层对载流子复合过程的调节作用[J].发光学报.2018
[8].潘书万,庄琼云,郑力新.硅衬底上多层Ge/ZnO纳米晶薄膜的制备及光学特性[J].华侨大学学报(自然科学版).2018
[9].王龙龙,周文广,张连水,李晓莉,周川.硼掺杂和磷掺杂对硅衬底的变温荧光光谱特性的影响[J].河北大学学报(自然科学版).2018
[10].陶喜霞.高光效硅衬底GaN基黄光发光二极管发光性能研究[D].南昌大学.2018
论文知识图
