全文摘要
本实用新型公开了一种二极管吸收电路，包括可变电阻RP、二极管D1和TVS二极管ZD1；所述TVS二极管ZD1的正极分别与外接电源的正极V+、变压器T1原边的第一端连接；所述二极管D1的正极分别与MOS开关管的漏极、变压器T1原边的第二端连接；所述TVS二极管ZD1的负极通过所述可变电阻RP与所述二极管D1的负极连接。本实用新型采用三颗甚至两颗元器件能够实现原有RCD电路的吸收作用，减小了元器件的使用数量，降低了PCB占用空间，并提高了其布局利用率；相比于RCD吸收电路在负载端空载、轻载时具有更低的损耗；降低了MOS开关管上的震荡，有效改善了整个电路的EMI性能。
主设计要求
1.一种二极管吸收电路，其特征在于，包括可变电阻RP、二极管D1和TVS二极管ZD1；所述TVS二极管ZD1的正极分别与外接电源的正极V+、变压器T1原边的第一端连接；所述二极管D1的正极分别与MOS开关管的漏极、变压器T1原边的第二端连接；所述TVS二极管ZD1的负极通过所述可变电阻RP与所述二极管D1的负极连接。
设计方案
1.一种二极管吸收电路，其特征在于，包括可变电阻RP、二极管D1和TVS二极管ZD1；所述TVS二极管ZD1的正极分别与外接电源的正极V+、变压器T1原边的第一端连接；所述二极管D1的正极分别与MOS开关管的漏极、变压器T1原边的第二端连接；所述TVS二极管ZD1的负极通过所述可变电阻RP与所述二极管D1的负极连接。
2.根据权利要求1所述的一种二极管吸收电路，其特征在于，当MOS开关管Q1关闭时，二极管吸收电路用于吸收变压器T1副边的反射电压和由变压器漏感所产生的尖峰电压。
3.根据权利要求1所述的一种二极管吸收电路，其特征在于，所述可变电阻RP的阻值随着二极管吸收电路吸收功率的增加而增大。
4.根据权利要求3所述的一种二极管吸收电路，其特征在于，二极管吸收电路吸收功率不大于18W时，所述可变电阻RP的阻值为零或者可省略所述可变电阻RP。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种二极管吸收电路，其特征在于，采用DO-15封装形式将所述二极管D1和TVS二极管ZD1封装为单颗元器件。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及到电子电源技术领域，尤其涉及到一种二极管吸收电路。
背景技术
在电源电路设计领域，传统RCD电路和阻尼电路在充电器，适配器等应用中应用广泛，可以降低变压器漏感对开关器件所造成的冲击，如图2所示的传统的RCD吸收电路包括两个电阻、一个电容、一个二极管，但是，其仍然存在以下问题：
1)传统RCD电路的3pcs-4pcs器件占用空间比较大；
2)空载及低载损耗比较高；
3)传统的RCD线路的EMI特性不够优化。
因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
实用新型内容
本实用新型提供一种二极管吸收电路,解决的上述问题。
为解决上述问题，本实用新型提供的技术方案如下：
一种二极管吸收电路，包括可变电阻RP、二极管D1和TVS二极管ZD1；所述TVS二极管ZD1的正极分别与外接电源的正极V+、变压器T1原边的第一端连接；所述二极管D1的正极分别与MOS开关管的漏极、变压器T1原边的第二端连接；所述TVS二极管ZD1的负极通过所述可变电阻RP与所述二极管D1的负极连接。
优选的技术方案，当MOS开关管Q1关闭时，二极管吸收电路用于吸收变压器T1副边的反射电压和由变压器漏感所产生的尖峰电压。
优选的技术方案，所述可变电阻RP的阻值随着二极管吸收电路吸收功率的增加而增大。
优选的技术方案，二极管吸收电路吸收功率不大于18W时，所述可变电阻RP的阻值为零或者可省略所述可变电阻RP。
优选的技术方案，采用DO-15封装形式将所述二极管D1和TVS二极管ZD1封装为单颗元器件。
相对于现有技术的有益效果是，采用上述方案，本实用新型采用三颗甚至两颗元器件能够实现原有RCD电路的吸收作用，减小了元器件的使用数量，降低了PCB占用空间，并提高了其布局利用率；相比于RCD吸收电路在负载端空载、轻载时具有更低的损耗；降低了MOS开关管上的震荡，有效改善了整个电路的EMI性能。
附图说明
为了更清楚的说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需使用的附图作简单介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的一种二极管吸收电路电路原理图；
图2为传统的RCD吸收电路电路原理图；
图3为本实用新型与传统的RCD吸收电路在空载时的损耗对比图；
图4为本实用新型的吸收电路与普通二极管在AC90V时的输入条件下的Vds电压对比；
图5为本实用新型的吸收电路与普通二极管在AC230V时的输入条件下的Vds电压对比；
图6为本实用新型的吸收电路与普通二极管在AC264V时的输入条件下的Vds电压对比。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面结合附图和具体实施例，对本实用新型进行更详细的说明。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本说明书所使用的术语“固定”、“一体成型”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，在图中，结构相似的单元是用以相同标号标示。
除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本实用新型。
如图1所示，本实用新型的一个实施例是：
一种二极管吸收电路，包括可变电阻RP、二极管D1和TVS二极管ZD1；所述TVS二极管ZD1的正极分别与外接电源的正极V+、变压器T1原边的第一端连接；所述二极管D1的正极分别与MOS开关管的漏极、变压器T1原边的第二端连接；所述TVS二极管ZD1的负极通过所述可变电阻RP与所述二极管D1的负极连接。
当MOS开关管Q1关闭时，二极管吸收电路用于吸收变压器T1副边的反射电压和由变压器漏感所产生的尖峰电压。
所述可变电阻RP的阻值随着二极管吸收电路吸收功率的增加而增大。
二极管吸收电路吸收功率不大于18W时，所述可变电阻RP的阻值为零或者可省略所述可变电阻RP。
采用DO-15封装形式将所述二极管D1和TVS二极管ZD1封装为单颗元器件。采用封装形式能够进一步降低PCB占用空间啊，并提高其布局利用率。
如图2所示：传统的RCD吸收电路包括了两个电阻，一个电容，一个二极管。
如图3所示：本实用新型与传统的RCD吸收电路相比，空载时，在交流输入电压、输出电压及电流相同的情况下，本实用新型的损耗更低。
如图4-6所示：本实用新型的二极管吸收电路和普通二极管的在90v、230v和264v输入条件下的Vds电压对比。
本实用新型的工作原理：
当MOS开关管关闭时，MOS开关管上的电压为:初级整流输出的最大电压、变压器漏感产生的电压和次级的反向电压三项之和，所以电压会超出MOS开关管的规格，此时TVS和二极管同时导通利用TVS的吸收能量的功能由吸收电路把由变压器漏感产生的电压吸收并钳位住(尖峰电压的能量由二极管吸收电路吸收，以转化为热能的方式散发)，而使MOS开关管上的电压不会超规格。
需要说明的是，上述各技术特征继续相互组合，形成未在上面列举的各种实施例，均视为本实用新型说明书记载的范围；并且，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920104413.2
申请日:2019-01-22
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:94(深圳)
授权编号:CN209283085U
授权时间:20190820
主分类号:H02M 1/32
专利分类号:H02M1/32
范畴分类:37C;
申请人:深圳市沃尔德实业有限公司
第一申请人:深圳市沃尔德实业有限公司
申请人地址:518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道布沙路245号茂业书画交易广场812
发明人:张定华;李石义
第一发明人:张定华
当前权利人:深圳市沃尔德实业有限公司
代理人:郭晓宇
代理机构:44545
代理机构编号:深圳众邦专利代理有限公司 44545
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计