GaAs/AlGaAs太赫兹量子级联激光器的热分析

GaAs/AlGaAs太赫兹量子级联激光器的热分析

论文摘要

为研究太赫兹量子级联激光器(THzQCLs)中的热传输及有效散热方法,建立了二维/三维有限元热分析模型,模拟计算了GaAs/AlGaAs THz QCLs低温工作时的温度及热流分布;并讨论了源区结构参数、热沉材料及散热膜层对器件热传输的影响规律。研究结果表明,器件源区温度水平方向分布较均匀,垂直方向温差大,源区热量主要依靠热沉导出;减小源区厚度、增加腔长与减小脊宽均有利于促进热传导并降低源区温度;在器件顶部增加AlN薄膜具有显著的辅助散热效果,当薄膜厚度大于8μm时,源区温降趋于缓慢。

论文目录

  • 1 计算模型
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 光腔结构参数对源区温度的影响
  •   2.2 不同衬底材料对源区温度的影响
  •   2.3 散热膜层对源区温度的影响
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 张颖娟,沈昌乐,王雪敏

    关键词: 太赫兹量子级联激光器,有限元,热分析,源区温度

    来源: 太赫兹科学与电子信息学报 2019年02期

    年度: 2019

    分类: 信息科技,基础科学

    专业: 物理学,无线电电子学

    单位: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

    基金: 国家科技部重大仪器设备开发专项资助项目(2011YQ130018)

    分类号: TN248

    页码: 184-188

    总页数: 5

    文件大小: 1258K

    下载量: 102

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