导读:本文包含了上变频论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:滤波器,混频器,衰减器,多相,多普勒,微带,吉尔。
上变频论文文献综述
杜鹏,张炎[1]（2019）在《可同时发射Ⅲ波段和L波段的DMB发射上变频电路的设计》一文中研究指出本文介绍了一种可同时发射Ⅲ波段和L波段的DMB发射上变频电路的实现方法,将该电路运用于DMB发射系统中,有效的解决了实际运用中的信号覆盖问题,提升了DMB产品的用户体验度。1.引言数字多媒体广播(Digital Multimedia Broadcas ting,DMB)是一种无线高速信息传输技术,可传输音频、数据、文字、图形与视频等多种载体的(本文来源于《电子世界》期刊2019年04期）
刘伯文,梁剑锋,崔平[2]（2019）在《一种宽带Ka频段上变频模块的设计与实现》一文中研究指出为了满足系统对工作频段宽带化的需求,设计了一种宽带Ka频段上变频模块,其功能是将C频段信号(2.0～4.0 GHz)上变频到Ka频段信号(25.0～27.0 GHz,29.0～31.0 GHz)。通过合理的链路频率配置和电平分配,减小了混频非线性导致的组合频率干扰,输出杂散降低到-60 d Bc。运用MMIC-1对本振输出信号进行二次、叁次倍频。根据倍数次数不同,运用2组滤波器进行分段滤波来消除谐波杂散。测试结果表明,输出信号在100 k Hz处的相位噪声指标优于-100 d Bc/Hz。(本文来源于《无线电工程》期刊2019年01期）
赵英相[3]（2018）在《0.3～3GHz SOI CMOS低功耗上变频混频器的设计》一文中研究指出上变频混频器作为射频收发系统中的一个重要组成部分,实现了基带频率到射频频率的变换,其性能对射频发射机有重要的影响。现代通信系统对功耗的要求越来越严格,低功耗上变频混频器是射频集成电路的研究热点和重点。SOI CMOS工艺具有寄生电容小、隔离度高、无闩锁效应等优势,适用于射频电路的设计,所以基于SOI CMOS工艺设计宽带低功耗上变频混频器具有重要的研究意义和应用价值。本文基于0.28μm SOI CMOS工艺设计了一款0.3~3GHz低功耗上变频混频器,该混频器是在Gilbert混频器的基础上改进和优化而得。上变频混频器的跨导级采用电阻源极负反馈技术,有效提高了混频器的线性度。由于电阻具有良好的宽带特性,故负载级采用电阻负载结构。采用降低工作电流的方法降低上变频混频器的功耗,并在工作电流固定的情况下采用正反馈负阻技术实现了低功耗上变频混频器转换增益的提高。宽带低功耗上变频混频器设计包括:电路设计、前仿真、版图设计和后仿真,其中版图的整体面积为0.6630mm~2。宽带低功耗上变频混频器的后仿真结果表明:在1.8V的工作电源电压下,工作带宽为0.3~3GHz,转换增益为5.89~8.42dB,输入1dB压缩点大于-6dBm,输入叁阶截点大于3dBm,功耗为1.3mW。本文设计的上变频混频器在满足宽带和低功耗的要求下,综合性能良好,可应用于WSN、WLAN和WIFI等通信系统。(本文来源于《东南大学》期刊2018-05-01）
陶继[4]（2018）在《基于光注入半导体激光器的微波光子滤波器和上变频系统》一文中研究指出光电子系统的低损耗和大带宽的能力使其在微波信号的处理和传输上备受吸引力。与此同时,人们对高容量通信系统的需求也使得微波技术在光发射机和接收机中被广泛使用。这两种趋势促使了微波光子学领域的发展。微波光子学利用光学的处理方法来代替电域的处理方法,具有低损耗、大带宽、质量轻和抗电磁干扰等优点,在军事通信、民用通信、商用通信、有线电视、天文探索、光信号处理以及光交换网络等领域都有重要应用。光注入技术可以优化分布反馈式(DFB)半导体激光器的工作性能,能够让半导体激光器表现出丰富多样的光学特性。半导体激光器在光注入锁定的情况下具有扩大调制带宽、增强谐振峰、降低调制信号啁啾和减小系统噪声等特性。此外,当有多种频成分的光注入到半导体激光器时,半导体激光器对注入光中特定波长的光起选择性放大作用,这在微波光子学领域有及其重要的实用价值。论文以微波光子学的应用为导向,探索了光注入半导体激光器的特点,并基于光注入半导体提出了新的微波光子滤波器以及全光信号上变频方案。本论文的整体架构如下:1、本章主要介绍了微波光子学的研究领域和意义,然后对光注入半导体激光器进行了理论分析和概述。2、本章主要介绍了基于光注入DFB激光器产生的单边带调制以及嵌入型OEO实现的光子学全光信号上变频方案。通过光注入锁定一个直接调制的DFB半导体激光器,实现了一个接近OdB光载波抑制比(OCSR)的单边带调制,成功地避免了传统双边带调制的光学信号在传输过程中的周期性衰落效应。系统嵌入的OEO提供了一个频率为10.66 GHz的本振信号,以实现光学信号的上变频,其在10-kHz偏移频率处的相位噪声为-102.96dBc/Hz。本方案中,我们同样使用了一个射频信号源作为对比,其在10-kHz偏移频率处的相位噪声为-92 dBc/Hz,显然我们的方案便显出更好的低相位噪声特性。这使得上变频系统实现了低成本、高集成度。在实验中,数据速率高达2.5 Gb/s的基带信号可以在输出频率为10.66 GHz的OEO成功进行上变频。由于SSB调制,光纤传输后的上变频信号没有出现功率衰减,表明了该方案的无色散补偿传输特性。3、本章对基于光注入半导体锁定激光器的微波光子滤波器(MPF)进行了研究,我们提出了一种基于光注入FP激光器的单通带微波光子滤波器,并进行了实验验证。基于光注入法布里-珀罗(F-P)激光器的波长选择性放大理论,我们提出了一种窄带可调谐的微波光子滤波器,来自主激光器的光波加到相位调制器上,产生的相位调制的信号通过环形器进入从激光器。通过改变失谐频率,注入功率比以及偏置电流等注入参数,实现了 3dB带宽为275MHz、带外抑制比为27.9dB以及可调谐范围为9-32GHz的微波光子滤波器。然后,我们在系统中巧妙地加入了一个可调谐激光器,用来锁定F-P半导体激光器的另一个波长,从而实现了一个可调谐的双通带微波光子滤波器。4、本章是整篇论文的概括和展望。(本文来源于《南京大学》期刊2018-05-01）
孙磊,蒋德富[5]（2018）在《多通道信号发射机中上变频技术的研究》一文中研究指出多通道信号发射机采用频分复用技术提高了频带利用率,在雷达通信领域得到广泛应用。数字上变频技术是信号发射机的关键技术之一,为了提高信号处理的速度,降低硬件资源消耗,利用CORDIC算法和基于多相滤波的上变频方法,改进了传统的移相滤波方法,分别实现上变频。运用MATLAB软件对CORDIC上变频方法和多相滤波上变频方法进行原理验证。仿真结果表明,CORDIC算法和基于多相滤波的上变频方法完全可以实现数字上变频功能,而且可以减少计算量,降低硬件资源消耗。(本文来源于《国外电子测量技术》期刊2018年04期）
高鹏鹏,姚金杰[6]（2018）在《多普勒雷达的微波上变频模块设计》一文中研究指出微波多普勒雷达可以在复杂的内弹道物理环境下进行目标测速,其中上变频模块是多普勒雷达发射机的重要组成部分。针对大口径身管微波测速雷达的需求,对3cm测速雷达微波上变频模块进行研究设计,通过设计双平衡二极管混频器HMC410AMS8G、切比雪夫响应下的微带并联耦合电路的带通滤波器以及含有3阶放大器EMM5068VU的功率放大器模块,能够实现将0~3 MHz的输入信号变频到9.6~9.603 GHz,滤波特性在8.6~10 GHz范围内,功率放大器增益为-40dB,对内弹道目标测速具有十分重要的工程应用价值。(本文来源于《国外电子测量技术》期刊2018年02期）
吴新伟[7]（2017）在《CMOS上变频混频器》一文中研究指出随着通信市场的快速发展,人们对高集成度、高性能和低成本射频前端的需求愈发迫切。CMOS工艺能较好实现模拟射频电路模块和数字电路模块的集成,这满足了高集成度的需求,从而降低功耗和成本。混频器作为射频前端的关键电路之一,其电路性能将直接影响射频前端的总体性能,本文将对发射机中使用的混频器深入展开研究。论文介绍了混频器的基本理论,包括混频器的基本原理、性能参数和混频器的基本电路结构。并研究了应用最广泛的双平衡混频器,即吉尔伯特混频器,通过对吉尔伯特混频器的电路结构进行分析,提出了电流注入技术和源极负反馈技术,分析其对混频器线性度、噪声系数、转换增益的改进作用,进一步为混频器的电路设计提供知识基础。本文采用TSMC65nmCMOS工艺进行谐波抑制、增益可调谐CMOS上变频混频器的电路设计和版图实现,并进行仿真验证。仿真结果表明,该混频器的增益可以在-12～OdB增益范围内调谐,增益步进为6dB,最高增益工作条件下,噪声系数优于25dB,IIP3优于20dBm,叁次谐波的抑制水平优于50dB。(本文来源于《浙江大学》期刊2017-12-10）
荆宜青[8]（2017）在《数字上变频FIR半带滤波器仿真与设计》一文中研究指出在通信系统中,FIR半带滤波器对于数字上变频的实现具有重要的作用,在FPGA中对数字上变频FIR滤波器的进行仿真与设计,半带插值滤波器通过多相位滤波和移位寄存器串折返相加达到节省逻辑资源的目的,同时,将多相位滤波通过一个数据与一个系数相乘达到相位处理简化,并进一步简化为一个简单的移位加法器。仿真结果表明,利用FPGA实现FIR半带滤波器该滤波器所使用的逻辑资源大幅减少,功耗降低,有效实现数字上变频功能。(本文来源于《计算机仿真》期刊2017年11期）
张佳佳,王平,李帅永,严冬[9]（2017）在《面向电场能量采集的上变频振荡电源管理电路关键参数分析与最优选择》一文中研究指出以往上变频振荡电源管理电路理论分析存在不足,没有分析最优开关参数的选择依据和开关驱动方式对输出电压影响,由于忽略了储能电路的泄漏电流,充电过程的理论与实验结果误差太大。本文从基于模拟电荷法建立电场能量采集器等效电流源模型出发,结合开关闭合/断开时电路微分方程,获得上变频振荡匹配电路的输出电压,分析最优开关参数的选择和开关驱动方式对输出电压的影响;考虑到储能电路泄漏电流的影响,新的充电微分方程被建立来分析储能电容的充电过程,与以往的分析相比,使得误差下降了82%。(本文来源于《第28届中国过程控制会议（CPCC 2017）暨纪念中国过程控制会议30周年摘要集》期刊2017-07-30）
李潇然[10]（2017）在《K波段集成上变频信道芯片的研究与设计》一文中研究指出卫星通信是利用卫星进行转发,建立在地球终端之间或地球终端与卫星间的无线通信系统,广泛应用于工业生产和日常生活中。随着应用市场逐渐扩大,卫星通信逐渐向更高的频段、更高质量的方向发展。通信收发芯片是通信终端的核心单元,其性能很大程度上决定了通信终端和卫星通信的工作质量和应用范围。随着工作频率提高,微波、毫米波无线系统的应用范围大幅度增加,卫星通信对射频前端的设计要求也日益提升。发射机主要用于将基带信号变频至射频频段,发射机芯片的指标主要有增益、线性度、杂散抑制、面积、功耗等。在实际应用中,工艺、电源电压等的变化也对整个系统的稳定性提出了更严格的要求。传统毫米波收发前端以微波分立器件为主,具有成本高昂、功耗偏大、体积庞大,难以压缩等缺点。硅基CMOS工艺不仅功耗低,成本低,而且便于将模拟电路、射频电路和数字电路集成在同一芯片上,从而实现小型化设计。但是它同时也面临着增益低、功率低等不足之处。本文基于90nm CMOS工艺,研究设计并实现了K波段高集成度片上变频发射信道芯片,解决了在CMOS工艺下信号从基带变频至K波段过程中,发射信道整体及各个模块的杂散、谐波、增益调节等关键问题。论文首先介绍了发射机芯片的研究背景、意义和国内外发展现状,并对发射机的主要性能指标、基本结构做出概述。然后文章根据指标要求对系统的实现方案进行规划,确定系统架构、模块组成以及各个模块的基本指标。整个芯片集成了变频信道、时钟单元、电源模块、数字模块等。其中,变频信道主要包括可控增益单元、低通滤波器、两次上变频混频器、带通滤波器和功率放大器;时钟模块采用900MHz锁相环以及K波段频率综合器分别提供两次上变频所需的本地振荡信号;针对电源电压抖动问题,发射机芯片采用线性稳压源提供电源电压;上位机控制串行外设接口对模块进行控制。文章着重对上变频信道的六个关键模块进行电路与版图的设计、仿真分析和优化,并基于模块设计完成了最终的整体发射机芯片的流片和测试。根据系统的叁个频率域,本文对六个模块的论述分为叁个部分。第一部分针对基带频率域的电路,主要包括可调增益的衰减器和低通滤波器。杂散和谐波抑制、增益控制、端口阻抗匹配等是这一部分的设计关键。可控衰减器采用改进的电流模逻辑结构保证系统的增益调节范围和调节精度,同时保证输入阻抗匹配,并占用较小的芯片面积。针对杂散和谐波问题,本文采用两个双二阶级联的Gm-C滤波器,合理分配每级性能,从而有效滤除前级产生的杂散和谐波,完成了指标要求。第二部分针对第一次上变频以及中频频域,包括第一次上变频混频器和带通滤波器。在对混频器概述的基础上,本文对第一次上变频混频器的设计和仿真进行了分析,同时实现本振信号摆幅调节的功能,并对后级带通滤波器的指标提出了相应要求。在上变频信道设计中,镜像抑制和本振泄漏抑制是带通滤波器设计的主要难点和关键之处。本文提出并实现了两级带通滤波器和一级带阻滤波器级联的射频有源带通滤波器设计方案,将滤波器的中心频率相互错开,并引入品质因子增强技术,基于多级级联结构进行设计,在保证带宽较宽、增益可调和品质因数可调的情况下,增加了可调的镜像抑制功能,从而对系统的杂散和谐波抑制的性能进行优化。第叁部分包括K波段混频器和功率放大器的设计。由于前级为非正交系统,导致混频器会输出较高的差频信号,影响后级功率放大器的工作。针对这一问题,本文在变频信道中分别产生正交的中频信号和正交的本振信号,芯片上集成正交耦合器,采用具有镜像抑制性能优势的正交混频器,创新性提出并实现一种针对非正交基带信号系统的上变频解决方案。本文在简述功率放大器的基础上,选择合适的放大器结构、匹配方式进行设计,采用MOS电容补偿的方式解决了功率放大器的稳定性问题,通过级间匹配级联正交混频器和功率放大器,完成仿真验证并最终达到指标要求。在关键模块功能正确和指标完善后,本文从模块设计回到整体设计,完成了K波段集成发射前端芯片的电路、版图的级联设计,并基于90nm 1P9M CMOS工艺完成流片,整个芯片面积为3.2×2.05mm~2。本文采用裸片与PCB板级结合的方式进行测试,测试结果与仿真结果相符。整体芯片输出频率范围为25GHz-27GHz,增益调节范围为28dB,调节步长为1dB,杂散抑制为40dB,输入1dB压缩点为-6dB。集成上变频芯片达到预期效果,并可将其应用于非正交基带输入信号的系统,具有广泛的应用性。(本文来源于《北京理工大学》期刊2017-06-02）
上变频论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了满足系统对工作频段宽带化的需求,设计了一种宽带Ka频段上变频模块,其功能是将C频段信号(2.0～4.0 GHz)上变频到Ka频段信号(25.0～27.0 GHz,29.0～31.0 GHz)。通过合理的链路频率配置和电平分配,减小了混频非线性导致的组合频率干扰,输出杂散降低到-60 d Bc。运用MMIC-1对本振输出信号进行二次、叁次倍频。根据倍数次数不同,运用2组滤波器进行分段滤波来消除谐波杂散。测试结果表明,输出信号在100 k Hz处的相位噪声指标优于-100 d Bc/Hz。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
上变频论文参考文献
[1].杜鹏,张炎.可同时发射Ⅲ波段和L波段的DMB发射上变频电路的设计[J].电子世界.2019
[2].刘伯文,梁剑锋,崔平.一种宽带Ka频段上变频模块的设计与实现[J].无线电工程.2019
[3].赵英相.0.3～3GHzSOICMOS低功耗上变频混频器的设计[D].东南大学.2018
[4].陶继.基于光注入半导体激光器的微波光子滤波器和上变频系统[D].南京大学.2018
[5].孙磊,蒋德富.多通道信号发射机中上变频技术的研究[J].国外电子测量技术.2018
[6].高鹏鹏,姚金杰.多普勒雷达的微波上变频模块设计[J].国外电子测量技术.2018
[7].吴新伟.CMOS上变频混频器[D].浙江大学.2017
[8].荆宜青.数字上变频FIR半带滤波器仿真与设计[J].计算机仿真.2017
[9].张佳佳,王平,李帅永,严冬.面向电场能量采集的上变频振荡电源管理电路关键参数分析与最优选择[C].第28届中国过程控制会议（CPCC2017）暨纪念中国过程控制会议30周年摘要集.2017
[10].李潇然.K波段集成上变频信道芯片的研究与设计[D].北京理工大学.2017
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