电子自旋密度论文-秦渝,方志刚,赵振宁,马填棋,李历红

电子自旋密度论文-秦渝,方志刚,赵振宁,马填棋,李历红

导读:本文包含了电子自旋密度论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:团簇V_3P_2,成键,电子自旋密度,化学反应活性

电子自旋密度论文文献综述

秦渝,方志刚,赵振宁,马填棋,李历红[1](2019)在《团簇V_3P_2成键、电子自旋密度与催化活性》一文中研究指出基于密度泛函理论,在B3LYP/Lan12dz水平下对团簇V_3P_2进行优化,得到6种优化构型。通过分析其成键与电子自旋密度分布来研究稳定性,并从能隙差值,HOMO、LUMO轨道贡献以及态密度图叁个方面来研究团簇V_3P_2的化学反应活性、潜在催化活性位点以及催化活性,最终得到以下结论:金属与非金属键(P-V键)是团簇V_3P_2构型稳定性的主要贡献者;团簇的稳定性与构型外围电子自旋密度分布的均匀度、对称性及α、β电子重叠程度有关;团簇V_3P_2所有优化构型中最稳定的是构型1(4),最不稳定的是构型3(2);构型1(4)的化学反应活性最差,构型3(2)的化学反应活性最好;多重度对团簇V_3P_2的化学反应活性具有一定程度的影响;V原子是团簇V_3P_2前线轨道的主要贡献者,即可能是团簇V_3P_2的潜在催化活性位点;构型3(4)可以提供较多的电子、构型2(4)极易接受较多的电子从而实现电子转移,说明构型3(4)和2(4)都具有良好的催化活性。(本文来源于《辽宁科技大学学报》期刊2019年04期)

秦渝,方志刚,张伟,李历红[2](2018)在《团簇Co_3NiB_2结构稳定性与电子自旋密度》一文中研究指出为了深入了解非晶态Co-Ni-B合金的性质,本文以团簇Co_3NiB_2为代表,采用密度泛函理论(DFT)方法,在B3LYP/Lan12dz水平下对团簇Co_3NiB_2构型进行全参数优化,结果得到12种优化构型,分别是五棱锥、单帽四棱锥、单帽叁角双锥和四棱双锥。其中,二重态构型5种,四重态构型7种。通过对其立体结构、能量及电子自旋密度进行分析,得到以下结论:多重度是影响构型稳定性的因素之一,四重态构型的稳定性优于二重态构型;外围α与β电子自旋密度分布越均匀,对称性越好,能量越低,结合能越大,吉布斯自由能变越小,构型稳定性就越好。其中,构型1(4)稳定性最好,构型5(2)稳定性最差。(本文来源于《辽宁科技大学学报》期刊2018年04期)

崔远东,方志刚,赵振宁,刘琪,韩建铭[3](2018)在《团簇V_3BP电子自旋密度的研究》一文中研究指出基于密度泛函理论,对B3LYP/Lanl2dz赝势基组水平的V_3BP的11种优化构型通过分析其电子自旋密度分布进行稳定性的研究。结果表明:团簇V_3BP最稳定构型1(4)外围电子自旋密度分布均匀,对称性好;内部原子间成键强弱均匀,对称性好;最不稳定构型8(2)外围α电子和β电子交替分布且分布不均匀,对称性差且极不规整;内部原子间成键强度各不相同,同一类型键原子间成键强弱也不均匀;团簇V_3BP各优化构型的外围电子分布由α电子和β电子共同组成,且α电子所占比例较大;构型2~((4))、1~((2))、4~((2))、8~((2))内部原子间成键后均为β电子过剩,其余构型内部原子间成键后均为α电子过剩。(本文来源于《北京化工大学学报(自然科学版)》期刊2018年03期)

周帅,方志刚,崔远东,张伟,徐诗浩[4](2017)在《团簇Mn_3BP的电子自旋密度》一文中研究指出为研究团簇Mn_3BP电子自旋密度的性质,借助密度泛函理论(DFT),在B3LYP/Lan12dz水平下对团簇Mn_3BP的全部可能构型进行优化和计算,得到二、四重态共有9种不同的优化构型;分析各构型的电子自旋密度对构型稳定性的影响。研究表明所有构型中B、P原子外是自旋向下的β电子(除了构型1~((4))外),B-P原子间电子分布为α电子过剩,金属原子Mn影响B-P原子成键时的电子分布;多重度不同但几何构型相同或相似的构型,四重态构型更稳定;电子自旋密度是影响构型稳定性的重要因素但不是唯一因素。(本文来源于《辽宁科技大学学报》期刊2017年06期)

余华梁,陈曦矅,狄俊安[5](2013)在《自旋密度光栅和本征GaAs量子阱中的电子自旋双极扩散(英文)》一文中研究指出为研究空穴对自旋极化电子扩散的影响,提出用自旋密度光栅方法来观察电子自旋扩散过程。由飞秒激光在本征GaAs多量子阱中激发产生瞬态自旋光栅和瞬态自旋密度光栅,并用于研究电子自旋扩散和电子自旋双极扩散。实验测得自旋双极扩散系数D as=25.4 cm2/s,低于自旋扩散系数D s=113.0 cm2/s,表明自旋密度光栅中电子自旋扩散受到空穴的显着影响。(本文来源于《中国光学》期刊2013年05期)

Brenda,A.,Dougan,薛子陵[6](2009)在《极化中子衍射及在电子自旋密度研究中的应用》一文中研究指出极化中子衍射方法常用于研究含未配对电子化合物中电子自旋密度的分布.分子中电子自旋密度分布从一个独特的角度反映化合物的磁性质.本文介绍极化中子衍射方法的背景知识和基本原理.包括中子源、中子和X射线衍射、极化中子衍射,以及一些常用的实验数据处理方法.选用几个实例总结了用极化中子衍射方法得到的电子自旋密度分布在无机和有机化学中的应用.通过单分子磁体[Fe8O2(OH)12(tacn)6]8+和氰基桥联化合物K2[Mn(H2O)2]3[Mo(CN)7]2·6H2O,说明如何用该方法研究金属原子间的磁相互作用;并通过Ru(acac)3这个只含一个未配对电子的化合物来说明如何获得化合物中金属和配体上小的自旋密度;最后介绍了该方法在nitronyl nitroxide自由基研究中的应用.(本文来源于《中国科学(B辑:化学)》期刊2009年12期)

电子自旋密度论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

为了深入了解非晶态Co-Ni-B合金的性质,本文以团簇Co_3NiB_2为代表,采用密度泛函理论(DFT)方法,在B3LYP/Lan12dz水平下对团簇Co_3NiB_2构型进行全参数优化,结果得到12种优化构型,分别是五棱锥、单帽四棱锥、单帽叁角双锥和四棱双锥。其中,二重态构型5种,四重态构型7种。通过对其立体结构、能量及电子自旋密度进行分析,得到以下结论:多重度是影响构型稳定性的因素之一,四重态构型的稳定性优于二重态构型;外围α与β电子自旋密度分布越均匀,对称性越好,能量越低,结合能越大,吉布斯自由能变越小,构型稳定性就越好。其中,构型1(4)稳定性最好,构型5(2)稳定性最差。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

电子自旋密度论文参考文献

[1].秦渝,方志刚,赵振宁,马填棋,李历红.团簇V_3P_2成键、电子自旋密度与催化活性[J].辽宁科技大学学报.2019

[2].秦渝,方志刚,张伟,李历红.团簇Co_3NiB_2结构稳定性与电子自旋密度[J].辽宁科技大学学报.2018

[3].崔远东,方志刚,赵振宁,刘琪,韩建铭.团簇V_3BP电子自旋密度的研究[J].北京化工大学学报(自然科学版).2018

[4].周帅,方志刚,崔远东,张伟,徐诗浩.团簇Mn_3BP的电子自旋密度[J].辽宁科技大学学报.2017

[5].余华梁,陈曦矅,狄俊安.自旋密度光栅和本征GaAs量子阱中的电子自旋双极扩散(英文)[J].中国光学.2013

[6].Brenda,A.,Dougan,薛子陵.极化中子衍射及在电子自旋密度研究中的应用[J].中国科学(B辑:化学).2009

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