磁控溅射法制备LiTaO3薄膜及其结晶性能研究

论文摘要

用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si（100）基片上沉积了LiTaO3薄膜,并在氧气气氛中不同温度下进行退火。采用SEM、XRD、XPS等表征方法分析了薄膜的结晶性能、各元素化学价态和元素原子百分比。结果表明,经700℃退火处理1h得到的薄膜结晶性能最好,在（104）晶向上具有强烈的择优取向性。薄膜退火温度的升高导致薄膜中Li空位缺陷和O空位缺陷减少。研究表明,薄膜中O/Li的原子比对结晶性能有着非常明显的影响,原子值越接近晶体化学计量比,结晶性能越好。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验方案
•   1.1 Pt/Ti/SiO2/Si（100）底电极衬底的制备
•   1.2 LiTaO3薄膜的制备
•   1.3 样品的性能及表征
• 2 实验结果与分析
•   2.1 钽酸锂薄膜的XRD表征
•   2.2 钽酸锂薄膜的SEM表征
•   2.3 钽酸锂薄膜的XPS表征
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 孙斌玮,杨明,苟君,王军,蒋亚东

关键词: 钽酸锂,铁电薄膜,射频磁控溅射,结晶性能,近化学计量比

来源: 半导体光电 2019年06期

年度: 2019

分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑

专业: 材料科学,工业通用技术及设备

单位: 电子科技大学光电科学与工程学院

基金: 国家自然科学基金创新研究群体项目(61421002),国家自然科学基金项目(61501092)

分类号: TB383.2

DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2019.06.012

页码: 806-809+814

总页数: 5

文件大小: 1839K

下载量: 267