论文摘要
利用射频磁控溅射法和快速热退火处理,在高电阻Si基片上制备了具有较低介电损耗的MgO掺杂Ba0.25Sr0.75TiO3（BST）铁电薄膜。通过XRD和SEM,分别对BST铁电薄膜的微结构和表面形貌进行了分析。利用铁电分析仪和低频阻抗分析仪分别测试了BST薄膜样品的铁电特性和介电性能。研究表明,MgO掺杂的BST薄膜的介电损耗要低于纯的BST薄膜,并且在掺杂浓度为5%（摩尔分数）时,获得最佳的实验结果。在室温和250 Hz的条件下,测得700℃退火的BST铁电薄膜样品的矫顽电场强度（EC）和剩余极化强（Pr）分别为1.15 V/cm和4.06μC/cm2,介电常数和介电损耗因子分别为370和0.005。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 陈含笑,盛苏
关键词: 可调谐微波器件,铁电薄膜,磁控溅射,介电损耗,铁电性能
来源: 功能材料 2019年04期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备
单位: 湖北师范大学物理与电子科学学院
基金: 国家自然科学青年科学基金资助项目(61302046)
分类号: TB383.2
页码: 4126-4129
总页数: 4
文件大小: 1206K
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