导读:本文包含了原位氮化论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氮化,原位,涂层,复合材料,氮化硅,磁控溅射,奥氏体。
原位氮化论文文献综述
杨永杰,吴法宇,滕越,赵志伟,延睿桐[1]（2019）在《不锈钢316L氮化/(Cr,Ti)N涂层原位复合制备》一文中研究指出目的研究不同复合涂层的结构及其对力学性能的影响。方法采用等离子体增强磁控溅射系统在奥氏体不锈钢表面分别进行等离子体氮化、(Cr,Ti)N涂层、氮化+(Cr,Ti)N涂层、氮化+Cr+(Cr,Ti)N涂层四种复合表面强化处理。采用XRD、SEM、纳米压痕仪、摩擦磨损仪和划痕仪等分别研究了不同改性层对微观结构以及力学性能的影响。结果氮化后,形成了较高含氮量的过饱和固溶体相(γN),并伴有少量Cr_2N和Fe_2N析出,硬度及杨氏模量分别为18.3 GPa、264.7 GPa。氮化后原位沉积涂层有效避免了氮化物相的析出,过饱和氮原子向基体进一步扩散,增加了氮化层的深度。两种氮化后复合(Cr,Ti)N涂层的硬度和模量均高于单一的(Cr,Ti)N涂层(分别为20.2GPa和271.8GPa),其中氮化+(Cr,Ti)N涂层的硬度和模量均最高(分别为25.4 GPa和345.6 GPa),氮化+Cr+(Cr,Ti)N涂层次之(22.4 GPa和326.3 GPa)。由于氮化层起到了良好的梯度过渡作用,氮化+(Cr,Ti)N涂层的膜基结合力最高,从单一涂层的9.5 N提高到50.9 N,其摩擦系数降低到0.43,磨损量最低,仅为基体的0.66%。结论氮化+(Cr,Ti)N复合涂层的力学性能最佳。(本文来源于《表面技术》期刊2019年03期）
李文杰[2]（2018）在《硅粉原位氮化结合氮化硅粉制备氮化硅陶瓷及基板》一文中研究指出氮化硅(Si_3N_4)陶瓷因具有优异的力学性能,良好的热导率和耐热冲击性,逐渐成为宽禁带大功率半导体器件首选的基板材料。由于高纯Si_3N_4粉体成本较高,为降低成本,硅(Si)粉流延制备Si_3N_4陶瓷基板的方法成为近年研究的热点。然而,Si粉在氮化过程中出现的“熔硅”现象将导致大尺寸薄片基板的变形与开裂,从而降低Si_3N_4基板的性能与良品率。因此,结合Si粉与Si_3N_4粉(作为氮化稀释剂),利用Si粉原位氮化,有望成为从成本和性能上改善现有Si_3N_4基板制备方法的有效途径。基于此,本文研究原料粉中Si:Si_3N_4的配比及烧结助剂的含量对Si_3N_4陶瓷及基板的致密度、显微结构和力学性能的影响规律,以获得高性能Si_3N_4陶瓷及基板的制备方法。首先,在Si_3N_4粉中添加0 mol%至100 mol%的Si粉,以Zr O_2+Gd_2O_3+Mg O为烧结添加剂(其中Zr O_2为氮化催化剂),经混合、干燥、干压成型后进行氮化及烧结,研究Si粉含量对Si_3N_4陶瓷性能的影响。结果表明,经反应结合重烧结后,Si粉全部转化为Si_3N_4,α-Si_3N_4全部转化为β-Si_3N_4相;除添加100 mol%Si粉的样品外,随Si含量的增加,Si_3N_4陶瓷的密度从3.39 g/cm~3下降到2.92 g/cm~3,但热扩散系数变化较小。当原料中Si粉的含量为25 mol%时,Si_3N_4陶瓷的性能最佳,四点抗弯强度为924±54 MPa,断裂韧性为10.3±1.2 MPa·m~(1/2),热导率为60W·m~(-1)·K~(-1)。除Si粉含量以外,烧结助剂的含量对Si_3N_4陶瓷的性能也有重要影响。因此,基于25 mol%Si粉配比,研究6 wt%、8 wt%、10 wt%和12 wt%的烧结助剂含量对Si_3N_4块体性能的影响。结果表明,当烧结助剂含量不超过10 wt%时,Si_3N_4陶瓷的密度与β-Si_3N_4晶粒的长径比随烧结助剂含量的增加而变大,四点抗弯强度与热导率也逐渐增大。然而,当烧结助剂含量从10 wt%增加到12 wt%时,Si_3N_4陶瓷的致密度、四点抗弯强度及热导率降低,β-Si_3N_4晶粒的直径变大、长径比变小。添加10 wt%烧结助剂所制备的Si_3N_4块体的四点抗弯强度为949±78 MPa,断裂韧性为10.8±0.7 MPa·m~(1/2),热导率为61 W·m~(-1)·K~(-1)。最后,采用流延成型方法,研究烧结助剂的含量对Si_3N_4基板性能的影响。结果表明,与Si_3N_4块体类似,当烧结助剂含量从8 wt%增加到12 wt%时,Si_3N_4基板的密度、四点抗弯强度及热导率均先增加后减小,并在烧结助剂含量为10 wt%时获得性能最佳的Si_3N_4基板,其等双轴弯曲强度和热导率分别为453±46 MPa和55W·m~(-1)·K~(-1)。本研究基于Si粉原位氮化并结合Si_3N_4粉,成功制备出Si_3N_4陶瓷及基板。因此,利用Si粉结合Si_3N_4粉反应烧结Si_3N_4,可以在保证其性能的前提下,降低Si_3N_4陶瓷的成本,进而获得颇具前景的Si_3N_4基板制备方法。(本文来源于《广东工业大学》期刊2018-05-01）
王鑫[3]（2018）在《磁控溅射法制备六方氮化硼薄膜及其原位掺杂的研究》一文中研究指出六方氮化硼(hBN)是一种人工合成的宽禁带半导体材料,禁带宽度达到了6eV,属于准直接带隙材料。其具有许多优异的物理和化学性质,并且,由于它与石墨烯的晶格十分匹配(失配率小于1.7%),因而被认为是制备石墨烯的最佳的衬底材料,很有希望在石墨烯电子器件领域发挥重要作用。但是由于hBN的制备条件十分苛刻,要获得结晶质量好、大尺寸的薄膜材料仍十分困难;并且由于hBN材料的本征电阻率非常高,限制了其在微电子和光电子学领域的应用。因此如何提高hBN材料的结晶质量和稳定性、对hBN材料进行电学性质的调控显得尤为重要,针对以上两个方面,本论文研究了生长气氛对hBN薄膜质量的影响以及hBN薄膜的原位掺杂,取得的主要研究结果如下:1.研究了工作气氛对hBN薄膜质量的影响,采用射频磁控溅射技术,分别以纯氩(Ar)气和氩/氮(Ar/N_2)混合比为1:1的工作气氛制备hBN薄膜,X射线光电子能谱(XPS)的表征结果发现在纯Ar气氛中制备的薄膜存在大量氮(N)空位,硼/氮(B/N)比约为2:1,薄膜中多余的B原子会与空气中的O原子结合导致大量硼氧化合物产生,使得薄膜不稳定。而在混合气氛中制备的薄膜,由于通入了N_2,有效的弥补了N空位,XPS的表征结果发现B/N比为1.07:1,导致hBN薄膜的结晶质量变好,薄膜更加稳定。2.研究了hBN薄膜的锌(Zn)原位掺杂技术,在射频磁控溅射工艺中分别使用锌条法和双靶共溅法进行Zn原位掺杂实验,XPS结果发现用锌条法制备出的hBN薄膜中Zn杂质的原子百分比达到6.36%,通过紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)测试发现薄膜的光学带隙约为5.15eV,但存在的问题是:薄膜的结晶质量不好、在掺杂过程中无法对掺杂浓度进行自由控制,而且容易对薄膜造成污染。用双靶共溅方法制备的hBN薄膜的结晶质量很好,但XPS的结果显示Zn杂质的原子百分比为0.19%,计算出的杂质浓度是2.43×10~(20)cm~(-3),UV-Vis光谱的结果说明薄膜的吸收边红移,约在250nm处,计算出的光学带隙约为4.7eV,经霍尔效应测试,薄膜是P型导电,霍尔迁移率是186cm~2/V·s,空穴浓度是1.3×10~(15)/cm~3。测得的电离能的数据为0.071eV,虽然杂质的电离能很小,但hBN薄膜中的Zn杂质并没有完全激活,可能的原因是一部分Zn原子存在于间隙中,并没有和N成键导致其空穴浓度并不高。3.研究了hBN薄膜的镁(Mg)原位掺杂,使用了两种方法,在射频磁控溅射工艺中分别使用双靶共溅法以及混合靶溅射的方法。然而,由于Mg的性质十分活泼,在使用双靶共溅法时,从高纯Mg靶溅射出来的Mg原子会与混合工作气体中的N_2反应,导致Mg_3N_2的生成。在用混合靶掺杂时,为了防止Mg_3N_2的生成,使用纯Ar做工作气体,XPS的测试结果说明薄膜中存在大量的N空位,导致薄膜的结晶质量变差,并且Mg杂质也不能有效激活,这一实验还需进一步完善。(本文来源于《吉林大学》期刊2018-05-01）
杨宝震[4]（2018）在《微波原位合成氮化钒/氮化铬复合粉末及其应用研究》一文中研究指出本文从原料创新着手,摒弃传统的微米级原料,采用纳米级氧化钒、氧化铬和炭黑为实验原料,分别使用了传统碳热还原和较为新颖的微波原位合成方法制备了纳米氮化钒/铬复合粉末,以及单一的氮化钒粉末和氮化铬粉末。实验主要研究了传统碳热还原法中反应温度、保温时间和配碳量,及微波原位合成方法中微波功率、加热时间和配碳量对合成产物的物相组成、微观结构等方面的影响。在物相表征方面,利用XRD、TG-DSC、SEM、BET和TEM对合成产物进行了分析。实验及检测结果表明:1、采用传统碳热还原氮化法制备复合粉末时,最佳工艺参数为:加热温度1200℃、流动N_2,保温时间2 h。制备出的氮化钒/铬复合粉末主要由VN、CrN和VCrN_2叁种物质组成,颗粒大多呈球形或类球形,平均直径为300 nm左右,粉末的比表面积为21.09 m~2/g。将合成的复合粉末作为添加剂使用时,能够使陶瓷结合剂的抗折强度提高130%,流动性提高约91%。2、采用微波加热合成单一氮化钒粉末时,最佳工艺条件为20 wt.%的配碳量、微波功率900 W、加热2 h。制备出的VN粉末大多呈球形,粉末颗粒平均尺寸约为48 nm。微波作为热源制备VN粉末可明显降低合成温度。3、采用微波加热合成单一氮化铬粉末时,最佳工艺条件为22 wt.%的配碳量、微波功率1100 W、加热2 h。制备出CrN粉末颗粒大都呈多边形状,部分区域颗粒发生烧结,颗粒间出现烧结颈,颗粒平均尺寸约为500 nm。Cr_2O_3逐步还原氮化过程中发生的物质转变顺序为:Cr_2O_3→(Cr_3C_2)→Cr_2N_(0.39)C_(0.61)→Cr_(6.2)N_(3.5)C_(0.3)→CrN→Cr_2N。4、采用微波原位合成氮化钒/氮化铬复合粉末时,采用22 wt.%的配碳量,在1100 W的微波功率、N_2气氛中加热2 h,可制备出平均颗粒尺寸约为400 nm、氮质量分数为16.45%、比表面积为7.22 m~2/g的氮化钒/氮化铬复合粉末。粉末颗粒大多为多边形状,少数颗粒间存在烧结颈,出现硬团聚。制备过程中,氮化钒/氮化铬的最低生成温度为929℃,与传统碳热还原法相比(>1200℃),微波加热能够明显降低反应温度。氮化钒/氮化铬复合粉末作为添加剂使用时,能够使陶瓷结合剂的抗折强度提高188%,流动性提高90.2%。5、通过热力学分析可知,原料中的V_2O_5在加热过程中首先被还原为V_2O_3,之后V_2O_3直接被氮化,生成了VN;其反应过程可表示为V_2O_5→VO_2→V_2O_3→VN;Cr_2O_3在加热过程中先发生还原碳化生成了Cr_3C_2,Cr_3C_2随后发生氮化生成CrN,该过程可表示为:Cr_2O_3→Cr_3C_2→CrN/Cr_2N。提高反应温度和增加保温时间都有利于氮原子向晶体内扩散,从而使生成的VN/CrN复合粉末含氮量提高。(本文来源于《河南工业大学》期刊2018-05-01）
何永钦,李晓云,张景贤,李晓光[5]（2018）在《原位裂解碳对氮化铝基微波衰减陶瓷性能的影响》一文中研究指出碳材料具有优异的吸波性能,但是难以在陶瓷基体中均匀分散。本研究通过酚醛树脂裂解的方法在氮化铝陶瓷基体中引入碳,研究了酚醛树脂的添加量对氮化铝陶瓷烧结性能、微观形貌、导热性能和介电性能的影响。研究发现,酚醛裂解形成的碳能够有效促进氮化铝陶瓷的致密化进程,降低烧结温度。当酚醛树脂含量为3wt%,1700℃烧结后陶瓷的致密度达到99.26%。此外,裂解碳的引入能够显着提高材料的导热性能,并在材料的气孔中和氮化铝的晶界处形成碳膜,从而显着提高材料的介电性能。当酚醛树脂含量为6wt%时,材料热导率达135.1W/(m·K),在X波段的介电损耗为0.3,表明材料具有良好的微波衰减能力,有望应用于大功率的微波电真空器件中。(本文来源于《无机材料学报》期刊2018年04期）
叶超超,姜岩,冯东,岳新艳,贾洪声[6]（2018）在《原位包覆制备氮化硅复合粉体的研究》一文中研究指出通过尿素均匀沉淀方法制备氮化硅复合粉体,利用尿素的分解来生成Y-Al前驱体包覆层.此方法既解决反向共沉淀法pH值难以控制的难题,又避免球磨法分散不均匀的现象.结果表明:Si3N4粉体通过尿素均匀沉淀的方法可实现Y-Al前驱体包覆,利用SEM图可观察到氮化硅粉体表面形成核壳结构.对Y-Al前驱体包覆的Si_3N_4粉体采用1 750℃热压烧结,研究发现样品具备优良的烧结性能和力学性能,其抗弯强度达到817 MPa.(本文来源于《材料与冶金学报》期刊2018年01期）
宿冠群,付尧,张显程,王正东,涂善东[7]（2018）在《激光气体氮化原位合成制备TiN/Ti_3Al复合涂层及其抗高温冲蚀性能》一文中研究指出通过在氮气中加入铝粉,采用激光气体氮化技术在Ti-6Al-4V钛合金表面原位制备了TiN/Ti_3Al复合涂层,研究了涂层的微观形貌、物相组成、硬度分布以及抗含SiC和SiO_2颗粒的高温高速水蒸气冲蚀的能力。结果表明:涂层的表面硬度为(1 400±50)HV,是Ti-6Al-4V钛合金的4倍;用SiC颗粒冲蚀较短时间或用SiO_2颗粒冲蚀后,涂层的冲蚀质量损失随冲蚀角度的增大而增加,Ti-6Al-4V钛合金的则减小;在相同冲蚀角度下,涂层的冲蚀质量损失随冲蚀颗粒硬度的增加而增大,Ti-6Al-4V合金的冲蚀质量损失在较小冲蚀角度时也遵循此规律,但在较大冲蚀角度下,质量损失的变化不大。(本文来源于《机械工程材料》期刊2018年02期）
李淑萍,张志利,付凯,于国浩,蔡勇[8]（2017）在《基于原位等离子体氮化及低压化学气相沉积-Si_3N_4栅介质的高性能AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的研究》一文中研究指出通过对低压化学气相沉积(LPCVD)系统进行改造,实现在沉积Si_3N_4薄膜前的原位等离子体氮化处理,氮等离子体可以有效地降低器件界面处的氧含量和悬挂键,从而获得了较低的LPCVD-Si_3N_4/GaN界面态,通过这种技术制作的MIS-HEMTs器件,在扫描栅压范围V_(G-sweep)=(-30 V,+24 V)时,阈值回滞为186 mV,据我们所知为目前高扫描栅压V_(G+)(>20 V)下的最好结果.动态测试表明,在400 V关态应力下,器件的导通电阻仅仅上升1.36倍(关态到开态的时间间隔为100μs).(本文来源于《物理学报》期刊2017年19期）
李永伟[9]（2017）在《硼原位氮化制备含硼氮化硅陶瓷基复合材料》一文中研究指出碳化硅(SiC)纤维增强陶瓷基复合材料具有强度高,热稳定性好,耐腐蚀,抗氧化等优良性能,可作为结构及功能一体化吸波隐身材料,在航空航天、能源等高科技领域有广阔的发展前景。本研究以SiC纤维作为复合材料的增强体和吸波剂,以氮化硅(Si3N4)作为复合材料的基体,在基体中引入硼粉(B)原位氮化生成BN调节纤维与基体的结合力,最终通过反应烧结法制备SiC纤维增强陶瓷基复合材料。研究了B原位氮化对基体氮化率、相组成、微观结构、力学性能、介电性能以及可加工性能等的影响,同时探究了B原位氮化对复合材料性能的影响。研究结果表明:Zr02作为催化剂,提高了基体的氮化率。成型压力为8MPa的条件下,B含量为Owt%、5wt%、10wt%的样品经1390℃氮化处理后,氮化率分别为89.91%,89.15%,87.22%。而未添加ZrO2的含B量为Owt%、5wt%、10wt%的基体经1390℃氮化处理后,氮化率仅为59.11%,62.43%,64.60%,经1470℃氮化处理后,氮化率达到87.91%,85.02%,83.08%。原位生成的BN呈弯曲的片层状,在Si3N4晶粒周围形成类似于核-壳结构。随着B原位氮化生成BN含量的增加,β-Si3N4相的量增加,基体的孔隙率逐渐增加,弯曲强度逐渐降低。B原位氮化生成的BN有效地改善了基体的机械加工性能及介电性能,在2-18GHz的频率下,基体的介电常数和介电损耗正切值随着B原位氮化生成BN量的增加而降低。对于添加ZrO2的基体,当B含量为10wt%时,基体的介电常数为3.36-3.81,介电损耗正切值为3.62×10-3-1.38×10-2。而未添加Zr02的基体经1470℃氮化处理后才充分氮化,B含量为10wt%的基体介电常数为3.26-3.57,介电损耗正切值为 1.01×10-3-1.07×10-2。原位生成的BN改善了纤维与基体的结合状态。未添加B的复合材料断面为脆性断裂,无SiC纤维拔出,纤维与基体结合较强。添加B粉原位生成BN后,复合材料断面有明显的SiC纤维拔出和解离脱粘,为假塑性断裂行为。在2-18GHz的频率下,陶瓷基复合材料介电常数和介电损耗正切值随着B原位氮化生成BN量的增加而下降。此外,提高SiC纤维体积分数后,介电常数和介电损耗正切值也随之增加。(本文来源于《厦门大学》期刊2017-06-30）
宋云飞,王少华,邓承继,祝洪喜[10]（2017）在《氮化保温时间对原位合成AlON结合MgAl_2O_4-C耐火材料的影响》一文中研究指出为了确定制备AlON结合Mg Al_2O_4-C耐火材料的最佳保温时间,以电熔尖晶石、Si粉和鳞片石墨为主要原料,纸浆废液为成型结合剂,在氮气气氛下1 550℃分别保温1、2、3和4 h制备了AlON结合Mg Al_2O_4-C材料,研究了不同保温时间下试样的物相组成、显微结构及性能。结果表明:保温时间对试样中的物相组成无明显影响,主要有Mg Al_2O_4相、AlON相、石墨相、Al N相和Si C相;当保温时间增加到3 h时,AlON的晶体形貌呈现出表面光滑且较为完整的晶体形貌,厚度也相应增加,在试样内部与尖晶石形成化学结合,此时试样的常温和高温强度最高;保温时间为3 h的试样热震后的强度保持率也最高,且在AlON晶粒周围有少量棒状和晶须状的Al N,在试样内部形成了交织的网状结构。(本文来源于《耐火材料》期刊2017年03期）
原位氮化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氮化硅(Si_3N_4)陶瓷因具有优异的力学性能,良好的热导率和耐热冲击性,逐渐成为宽禁带大功率半导体器件首选的基板材料。由于高纯Si_3N_4粉体成本较高,为降低成本,硅(Si)粉流延制备Si_3N_4陶瓷基板的方法成为近年研究的热点。然而,Si粉在氮化过程中出现的“熔硅”现象将导致大尺寸薄片基板的变形与开裂,从而降低Si_3N_4基板的性能与良品率。因此,结合Si粉与Si_3N_4粉(作为氮化稀释剂),利用Si粉原位氮化,有望成为从成本和性能上改善现有Si_3N_4基板制备方法的有效途径。基于此,本文研究原料粉中Si:Si_3N_4的配比及烧结助剂的含量对Si_3N_4陶瓷及基板的致密度、显微结构和力学性能的影响规律,以获得高性能Si_3N_4陶瓷及基板的制备方法。首先,在Si_3N_4粉中添加0 mol%至100 mol%的Si粉,以Zr O_2+Gd_2O_3+Mg O为烧结添加剂(其中Zr O_2为氮化催化剂),经混合、干燥、干压成型后进行氮化及烧结,研究Si粉含量对Si_3N_4陶瓷性能的影响。结果表明,经反应结合重烧结后,Si粉全部转化为Si_3N_4,α-Si_3N_4全部转化为β-Si_3N_4相;除添加100 mol%Si粉的样品外,随Si含量的增加,Si_3N_4陶瓷的密度从3.39 g/cm~3下降到2.92 g/cm~3,但热扩散系数变化较小。当原料中Si粉的含量为25 mol%时,Si_3N_4陶瓷的性能最佳,四点抗弯强度为924±54 MPa,断裂韧性为10.3±1.2 MPa·m~(1/2),热导率为60W·m~(-1)·K~(-1)。除Si粉含量以外,烧结助剂的含量对Si_3N_4陶瓷的性能也有重要影响。因此,基于25 mol%Si粉配比,研究6 wt%、8 wt%、10 wt%和12 wt%的烧结助剂含量对Si_3N_4块体性能的影响。结果表明,当烧结助剂含量不超过10 wt%时,Si_3N_4陶瓷的密度与β-Si_3N_4晶粒的长径比随烧结助剂含量的增加而变大,四点抗弯强度与热导率也逐渐增大。然而,当烧结助剂含量从10 wt%增加到12 wt%时,Si_3N_4陶瓷的致密度、四点抗弯强度及热导率降低,β-Si_3N_4晶粒的直径变大、长径比变小。添加10 wt%烧结助剂所制备的Si_3N_4块体的四点抗弯强度为949±78 MPa,断裂韧性为10.8±0.7 MPa·m~(1/2),热导率为61 W·m~(-1)·K~(-1)。最后,采用流延成型方法,研究烧结助剂的含量对Si_3N_4基板性能的影响。结果表明,与Si_3N_4块体类似,当烧结助剂含量从8 wt%增加到12 wt%时,Si_3N_4基板的密度、四点抗弯强度及热导率均先增加后减小,并在烧结助剂含量为10 wt%时获得性能最佳的Si_3N_4基板,其等双轴弯曲强度和热导率分别为453±46 MPa和55W·m~(-1)·K~(-1)。本研究基于Si粉原位氮化并结合Si_3N_4粉,成功制备出Si_3N_4陶瓷及基板。因此,利用Si粉结合Si_3N_4粉反应烧结Si_3N_4,可以在保证其性能的前提下,降低Si_3N_4陶瓷的成本,进而获得颇具前景的Si_3N_4基板制备方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
原位氮化论文参考文献
[1].杨永杰,吴法宇,滕越,赵志伟,延睿桐.不锈钢316L氮化/(Cr,Ti)N涂层原位复合制备[J].表面技术.2019
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[3].王鑫.磁控溅射法制备六方氮化硼薄膜及其原位掺杂的研究[D].吉林大学.2018
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[10].宋云飞,王少华,邓承继,祝洪喜.氮化保温时间对原位合成AlON结合MgAl_2O_4-C耐火材料的影响[J].耐火材料.2017
论文知识图
