光斑尺寸对GaAs1-xBix光致发光谱线型的影响

光斑尺寸对GaAs1-xBix光致发光谱线型的影响

论文摘要

针对低激发功率密度光致发光(photoluminescence,PL)谱信噪比(signal-to-noise ratio,SNR)对GaAs1-xBix带尾能级探究的限制问题,基于傅里叶变换红外PL光谱实验系统对两个GaAs1-xBix外延膜开展变激发光斑尺寸PL光谱测试分析.结果表明,激发功率恒定时光斑直径增大导致PL峰位红移和线宽先降低后增大.这一现象是由于等效激发功率密度的降低而导致的.在保持激发功率密度为5. 1 W/mm2时,光斑增大不影响光谱线型但显著提升SNR.由此,低激发功率密度PL光谱的弱信号探测能力得以提高,有助光谱定量拟合分析.本工作表明,适当增大激发光斑尺寸有助于低激发功率密度PL光谱的SNR和弱信号分辨能力的提升.

论文目录

  • 引言
  • 1 实验条件
  • 2 PL光谱分析
  • 3 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 闫冰,陈熙仁,刘锋,邵军

    关键词: 光斑尺寸,信噪比,光致发光

    来源: 红外与毫米波学报 2019年02期

    年度: 2019

    分类: 基础科学

    专业: 物理学

    单位: 上海师范大学数理学院,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

    基金: 国家重点基础研究发展计划(2014CB643901),国家自然科学基金(61675224,61334004和U1531109),上海市基础研究重点项目(16ZR1441400,16JC1402400和17142200100),中国科学院上海技术物理研究所创新项目(CX-195,CX-151)~~

    分类号: O472.3

    页码: 210-214

    总页数: 5

    文件大小: 1632K

    下载量: 47

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