导读:本文包含了晶粒间界能态论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:晶粒,多晶硅,薄膜晶体管,光电子,薄膜,模型,场效应管。
晶粒间界能态论文文献综述
黄君凯,刘璐,邓婉玲[1]（2011）在《多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展》一文中研究指出随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能态分布信息的基础上.本研究全面分析了多晶硅材料中晶界带隙能态分布的研究现状及数学模型,这是多晶硅薄膜晶体管建模的基础;重点介绍了RPI模型及最新的模型研究进展,并对这些模型进行了评述;最后提出了多晶硅薄膜晶体管模型的建模方向与研究策略,包括模型的完整性、普适性和系统性.(本文来源于《暨南大学学报(自然科学与医学版)》期刊2011年05期）
江小舟[2]（2010）在《多晶硅TFTs晶粒间界能态的OEMS分析》一文中研究指出多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFT)由于具有高迁移率、更快的开关速度和更高的电流驱动能力,在有源矩阵液晶显示(AMLCD)等领域具有广阔的应用前景。但由于多晶硅薄膜材料存在晶粒间界,间界的带隙上产生大量的悬挂键和缺陷,形成可作为陷阱的连续型及离散型带隙能态,使多晶硅TFT呈现出十分复杂的电学特性。因此,对多晶硅薄膜晶体管晶粒间界微观陷阱能态信息有效获取技术的研究开发,及其定量分析理论的建构,便成为多晶硅薄膜材料及其器件研究和应用的基础,以及亟需解决的核心问题。本文将光电子调制谱(OEMS)技术应用于固相晶化(SPC)方法制备的Poly-Si TFTs,对多晶硅薄膜材料的晶界陷阱态和界面态分布进行研究。首先,以波长被调制的红外光波循环激发晶界带隙态和界面态上的电子,获取光电子跃迁形成的高分辨率OEMS响应谱,以及与光学调制信号之间OEMS相延谱。其次,在Swanson等人建立的OEMS唯象理论基础上,建立Poly-Si TFTs的OEMS分析理论：分析了多晶硅TFTs的器件模型,计算了直流偏置与光调制下的沟道电流,讨论了OEMS电流调制效应并给出了对不同带隙能态OEMS电流一阶响应的表达式。再次,通过定量分析光激发函数,确定了利用OEMS响应谱与相延谱分析陷阱态性质的方法。最后,将所建立的分析方法应用于实验获得的多晶硅薄膜OEMS谱,在0～1.2eV之间探测到了四个离散型晶界陷阱态与一个连续型界面态；同时,对于OEMS谱1.2～2.4eV之间中出现的带隙展宽现象,提出了晶间氢化非晶硅模型,分析并给出了四个离散型晶界陷阱态与一个连续型界面态。所提取的带隙能态与文献结果较好地吻合,进一步验证了OEMS技术的可靠性。因此,OEMS技术为深入研究多晶硅薄膜场效应器件晶粒间界的能态分布与能态性质,以及进一步揭示Poly-Si TFTs的物理机理,提供了一种既全面又直接的分析方法。(本文来源于《暨南大学》期刊2010-05-01）
张坤[3]（2003）在《多晶硅薄膜场效应结构的晶粒间界能态分布》一文中研究指出本课题组与英国伦敦大学电子和电机工程系Swanson教授的实验室合作，首次将光电子调制谱技术(OEMS)应用于多晶硅薄膜场效应结构，对晶粒间界陷阱能态进行研究。本文介绍了OEMS的基本理论，并就检测结果的带隙展宽现象进行深入分析，提出多晶硅晶粒间界结构的氢化非晶硅模型。通过已有实验获得的OEMS响应谱和相延谱来分析多晶硅薄膜晶粒间界缺陷能态性质，确定出多晶硅晶粒间界a-Si：H结构的六个陷阱能态。对晶粒间界能态信息的有效获取和分析，是多晶硅薄膜材料及其器件在VLSI中应用的前提条件和研究的核心问题之一，因此本文的研究结果具有现实意义。(本文来源于《暨南大学》期刊2003-04-01）
晶粒间界能态论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFT)由于具有高迁移率、更快的开关速度和更高的电流驱动能力,在有源矩阵液晶显示(AMLCD)等领域具有广阔的应用前景。但由于多晶硅薄膜材料存在晶粒间界,间界的带隙上产生大量的悬挂键和缺陷,形成可作为陷阱的连续型及离散型带隙能态,使多晶硅TFT呈现出十分复杂的电学特性。因此,对多晶硅薄膜晶体管晶粒间界微观陷阱能态信息有效获取技术的研究开发,及其定量分析理论的建构,便成为多晶硅薄膜材料及其器件研究和应用的基础,以及亟需解决的核心问题。本文将光电子调制谱(OEMS)技术应用于固相晶化(SPC)方法制备的Poly-Si TFTs,对多晶硅薄膜材料的晶界陷阱态和界面态分布进行研究。首先,以波长被调制的红外光波循环激发晶界带隙态和界面态上的电子,获取光电子跃迁形成的高分辨率OEMS响应谱,以及与光学调制信号之间OEMS相延谱。其次,在Swanson等人建立的OEMS唯象理论基础上,建立Poly-Si TFTs的OEMS分析理论：分析了多晶硅TFTs的器件模型,计算了直流偏置与光调制下的沟道电流,讨论了OEMS电流调制效应并给出了对不同带隙能态OEMS电流一阶响应的表达式。再次,通过定量分析光激发函数,确定了利用OEMS响应谱与相延谱分析陷阱态性质的方法。最后,将所建立的分析方法应用于实验获得的多晶硅薄膜OEMS谱,在0～1.2eV之间探测到了四个离散型晶界陷阱态与一个连续型界面态；同时,对于OEMS谱1.2～2.4eV之间中出现的带隙展宽现象,提出了晶间氢化非晶硅模型,分析并给出了四个离散型晶界陷阱态与一个连续型界面态。所提取的带隙能态与文献结果较好地吻合,进一步验证了OEMS技术的可靠性。因此,OEMS技术为深入研究多晶硅薄膜场效应器件晶粒间界的能态分布与能态性质,以及进一步揭示Poly-Si TFTs的物理机理,提供了一种既全面又直接的分析方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶粒间界能态论文参考文献
[1].黄君凯,刘璐,邓婉玲.多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展[J].暨南大学学报(自然科学与医学版).2011
[2].江小舟.多晶硅TFTs晶粒间界能态的OEMS分析[D].暨南大学.2010
[3].张坤.多晶硅薄膜场效应结构的晶粒间界能态分布[D].暨南大学.2003
论文知识图
