导读:本文包含了基态结构论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:光谱,氧化物,结构,应变,基态,爱因斯坦,氢键。
基态结构论文文献综述
杨慧[1](2019)在《简谐阱中玻色凝聚体基态结构》一文中研究指出文章研究了囚禁于简谐阱中玻色-爱因斯坦凝聚体的基态结构,首先探索了固定自旋轨道耦合强度和旋转频率的情况下,改变种内相互作用对凝聚体基态结构的影响,其次考虑了固定自旋轨道耦合强度和种内相互作用的强况下,改变旋转频率对基态结构的影响,研究结果表明以上两种情况下体系表现出丰富而奇异的基态结构,包括涡旋链、涡旋环、隐藏涡旋环等等。(本文来源于《忻州师范学院学报》期刊2019年05期)
储着峰[2](2019)在《铜锌硅硫(Cu_2ZnSiS_4)半导体的基态结构和本征缺陷的第一性原理计算》一文中研究指出在近几十年中半导体材料是深受人们关注的材料之一,其主要应用是在光伏产业、场效应晶体管、发光器件等。而这些应用与半导体材料的特定性质密切先关,当下寻找新型半导体材料成为我们研究的热点。其中深受各研究人员关注的半导体材料应属四元化合物铜铟镓硒(CuIn_xGa_((1-x))Se_2)和Cu基S族化合物Cu_2-II-IV-S_4(II=Zn,Cd,Mg,Ga;IV=Si,Ge,Sn)等,而本文研究的对象铜锌硅硫(Cu_2ZnSiS_4)就是属于这一类别。本文一共分为五章,第一章是绪论部分,主要介绍半导体的导电机理和相关太阳能电池的介绍,这也为下文中对Cu_2ZnSiS_4的相关性质的计算做了铺垫。第二章部分主要介绍的是本文所涉及的计算方法,其中主要包括有密度泛函理论。还有对本文所涉及的计算工具也做了简要的介绍,包括有VASP软件包、Material Studio等。本文的第叁章部分是基于第一性原理的计算,对Cu_2ZnSiS_4的基态结构、能带结构、态密度分析、光学带隙等做了第一性原理的计算,并且与实验值相吻合。得到Cu_2ZnSiS_4的基态结构是WKS结构,而不是之前相关文章谈到最多的WST和KS结构。计算出Cu_2ZnSiS_4是直接带隙,带隙值大小为2.94 eV,这个带隙值与单节太阳能电池吸收层最佳光学带隙有很大差别,但带隙大小却很适合光化学电池的阴极要求,并且有可能成为多结太阳能电池吸收层的可能。第四章部分也是基于第一性原理的角度研究了本征缺陷对Cu_2ZnSiS_4的光学性质的影响。从本征缺陷的形成能图发现,主要缺陷有两个浅能级的缺陷V_(Cu)和Zn_(Cu),这与Cu_2ZnSnS_4的本征缺陷是有很大区别的。我们发现S的化学势高低会对Cu_2ZnSiS_4的导电类型有影响,而Cu的化学势大小会影响Cu_2ZnSiS_4的电子-空穴对的浓度,这对在实验上合成Cu_2ZnSiS_4时有指导的意义。但是通过对Cu_2ZnSiS_4的缺陷形成能图观察来看,它的费米能级位置都是靠近禁带中线。由于主要的缺陷离都是浅能级的,所以要想获得导电效果较好的半导体可以通过掺杂等方法来实现。第五章是关于本文的结论部分,总结了Cu_2ZnSiS_4的各方面的性质在太阳能电池方面应用。(本文来源于《内蒙古大学》期刊2019-04-18)
刘爽,钟玮,刘宇迪[3](2018)在《基态位涡径向分布对浅水涡旋系统演变的影响分析PartⅡ:扰动发展和结构变化》一文中研究指出本文在基态位涡(Potential Vorticity,PV)径向分布和基态涡旋强度对热带气旋(Tropical Cyclone,TC)类涡旋系统稳定性特征影响的研究基础上,结合理想试验和数值模拟诊断分析基态PV径向分布对扰动增长和系统结构变化的影响.基于线性正压浅水模型,设计叁种典型基态PV中空结构下基态涡旋强度对系统稳定性影响的敏感性试验.结果表明:基态涡旋的强度主要影响稳定性的强弱,强度越强,不稳定增长率越大,而基态PV径向分布对系统最不稳定波动性质起着决定作用.分析不同波数下扰动的发展及不同波数间扰动的相互作用可知,对于宽且实的PV环,系统稳定性主要取决于低波数不稳定,且最不稳定波数扰动的发展具有明显的优势地位;对于窄且空的PV环,系统稳定性主要取决于高波数不稳定,且多个高波数下增长最快模态的不稳定增长率值十分接近.利用模态线性迭加法讨论扰动增长对系统结构变化的影响表明:最不稳定波数的扰动发展对系统结构变化有关键影响,而多个波数的扰动不稳定增长相当时,不同波数的扰动发生相互作用从而影响系统结构变化.最后,利用实际个例模拟资料分析基态PV径向分布及其变化对TC结构和强度的影响表明:TC内核区出现的多边形眼墙结构与当前时刻基态PV径向分布所决定的最不稳定波数有很好的对应关系,同时基态PV径向分布变化所反映出的系统动力稳定性强弱与TC强度发展阶段具有很好的相关性.(本文来源于《地球物理学报》期刊2018年09期)
鲍曼[4](2018)在《对原子核基态和低激发态结构的研究》一文中研究指出原子核结构是原子核物理学的一个重要领域,主要研究原子核基态和低激发态的能谱、电磁跃迁和衰变(如α衰变、β衰变和奇异衰变)等性质。本文主要研究原子核结构两方面的问题:一方面是对原子核结构中系统规律的研究,包括对原子核质量、α衰变能和电荷半径的描述及预言;另一方面是对原子核壳模型的理论研究,包括壳模型的一个基础性问题(单轨道上的全同粒子给定总角动量的组态空间维数)和在壳模型的配对近似理论框架下研究N=80的原子核的低激发态。核质量(或结合能)是原子核的一个基本物理量,对核质量的理论与实验研究是原子核物理以及核天体物理的一个重要问题。截止到2016年实验上已经合成了3000多种核素,其中测得质量的原子核大约有2500个。根据理论研究,自然界处于束缚态的核素种类有8000到10000个,因此许多核素的质量都是未知的。宇宙中重元素的合成过程是当代物理学研究的重要问题(被列为“物理学11个未解之谜”之一),而在合成重元素的核反应路径中起重要作用的许多丰中子核的质量在短期内还无法测量,只能依赖理论的预言。对这些未知原子核质量的研究不仅可以大幅拓展核素版图,对我们理解强相互作用下的多体问题也具有十分重要的意义。因此,原子核质量的描述和预言是当今受到重视的前沿课题。现有的原子核质量的理论工作一般分为两类:全局型(global)和局域型(local)。在本文中我们推广了Garvey-Kelson局域质量关系,研究了这些关系的系统偏差,得到了这些质量关系在中重原子核质量区的最佳外推路径;对于轻核质量区,我们研究了镜像核之间的质量差与库仑能之间的关系,并由此预言了部分丰质子核的质量;基于Garvey-Kelson质量关系的系统偏差,我们进一步构造了原子核α衰变能的局域关系式,并预言了部分重核和超重核的α衰变能;作为这些局域关系式的一个副产品,我们研究了电荷半径局域关系的预言能力,为判断原子核是否具有质子晕结构提供了新的途径。利用壳模型研究原子核的低激发态是原子核结构理论中的一个核心问题。本文研究了原子核壳模型理论的两个问题。第一个问题是关于壳模型组态空间的维数。壳模型的哈密顿量具有转动不变性,因此原子核的状态具有确定的总角动量。构造具有给定总角动量(自旋)的、线性独立的多粒子态是壳模型理论的一个基础性问题,一般需要事先知道组态空间的维数。然而组态空间的维数问题是一个复杂的数学问题;传统上很难构造维数的递推公式。在本文中我们首次构造并证明了n个全同粒子和n-1个全同粒子的给定总自旋的单轨道组态维数之间的递推公式,并利用递推公式直接得到了3个和5个全同粒子的维数的解析表达式。第二个问题是关于原子核低激发态的配对近似理论研究。中重核的壳模型组态空间非常大,因此空间截断必不可少。利用集体配对的壳模型配对近似是一种自然而高效的空间截断途径。在本文中我们基于配对近似理论研究了质量数在130附近的N=80的同中子异核素。这个区域的许多原子核会出现自旋I=6-10时所谓的转动惯量回弯、低激发态中的γ不稳定等现象,因此近二十年来有许多相关的理论和实验研究。只考虑S对和D对(自旋为0和2)的壳模型配对近似合理地描述了该区域内中子数从72到80的偶偶核,包括它们的基态、2~+和4~+的晕态以及一些非晕态。在本文中我们考虑SD配对和一些高自旋集体配对、中子自旋为10的非集体配对;为了研究负宇称态,我们还考虑了负宇称的中子集体配对。我们计算了这些原子核低激发态的能级,并对部分状态的波函数进行了详细的分析。研究表明~(132)Te和~(134)Xe中的4~+和6~+晕态以质子激发为主,而8~+和10~+晕态以中子激发为主;对于负宇称态,~(132)Te、~(134)Xe、~(136)Ba和~(138)Ce的4_1~-到7_1~-态都以中子配对激发为主。我们还预言了这些原子核部分低激发态的B(E2)电磁跃迁和g因子。(本文来源于《上海交通大学》期刊2018-08-20)
荆振南,李玉[5](2018)在《强关联锰氧化物Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Ga_xO_3的结构及磁基态研究》一文中研究指出采用高温固相法合成Sm_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Ga_xO_3(x=0、0.025、0.05、0.75、0.10、0.15)单相多晶系列样品.室温XRD分析表明样品无杂峰,属于典型的O型正交结构;红外吸收光谱分析发现Ga的掺杂导致样品的MnO_6八面体结构发生了微小畸变;x=0样品热磁曲线(M-T)分析表明样品在低温下表现出自旋玻璃态,在T=276 K时出现电荷有序峰,在T=240 K出现AFM相变温度峰,当T=140 K时发现冻结温度T_f;磁化曲线(M-H)结果进一步证明2 K下样品自旋玻璃态,且电荷有序反铁磁成分中的关联作用比较弱.(本文来源于《哈尔滨师范大学自然科学学报》期刊2018年01期)
孟双[6](2017)在《溶剂调控的1,2,4-叁唑衍生物的基态结构及激发态质子转移动力学研究》一文中研究指出本文采用共振拉曼光谱技术以及密度泛函理论(Density Functional Theory)等量子化学计算,研究了3-氨基-1,2,4-叁唑(3-Amino-1,2,4-Triazole,3AT)、3-巯基-1,2,4-叁唑(3-Mercapto-1,2,4-Triazole,3MT)、3-巯基-4-甲基-1,2,4-叁唑(3-Mercapto-4-Methyl-1,2,4-Triazole,MMT)分子与溶剂形成的团簇结构及受溶剂调控的激发态衰变结构动力学。其创新点为表征了一系列叁唑分子与溶剂分子通过氢键作用形成的团簇结构的作用位点,结合GRRM计算探讨了溶剂环境及氢键作用对其激发态动力学衰变机制的调控作用。目前主要的研究成果如下:(1)通过FT-Raman,488 nm Raman和FT-IR光谱结合DFT计算确定了晶态3AT为2H-3AT二聚体结构;在乙腈,甲醇,水等极性溶剂中2H-3AT与溶剂分子通过分之间氢键作用形成团簇,结合DFT计算表明3AT与水分子作用的位点是-NH???O和-N???HO。结合TD-DFT计算指认了3AT在乙腈,甲醇和水溶剂中的紫外吸收光谱,主要吸收带为?_H??_L~*跃迁。并进一步指认了水,甲醇,乙腈溶剂中不同激发波长的共振拉曼光谱,表明在Franck-Condon区域的短时结构动力学主要为杂环-N=C(NH_2)-NH-部分的弯曲振动。(2)结合FT-Raman、FT-IR光谱和溶剂中的488 nm Raman光谱和DFT计算结果,确定3MT在晶态和溶剂中均为硫酮式结构。在乙腈、甲醇和水中的紫外吸收光谱表明溶剂作用明显,随着极性的增大,主要吸收带紫移,结合TD-DFT的计算,指认A带的吸收带的跃迁主体为???~*跃迁。基于乙腈,甲醇和水溶剂中不同波长的共振拉曼光谱,发现振动模?_9(S_7=C_3伸缩振动+C_3N_2N_1/H_8N_4C_5/H_9C_5N_1平面内的弯曲振动)和?_(15)(C_3N_2N_1C_5/S_7N_2N_4C_3扭转振动)的强度变化显着,在长波长乙腈溶剂拉曼光谱中几乎消失,在223和228 nm短激发波长下强度变强,其组合频也较强。而在水和甲醇溶剂中任何激发波长下?_9振动都较强,表明在Franck-Condon区域激发态结构发生了扭转使其变为非平面结构。在Franck-Condon区域的短时动力学主要贡献为杂环内外-NH-C=S-NH-部分的弯曲和扭转振动,可能为质子转移通道。DFT计算了3MT衰变的两条通道:(1)由S_n态经势能面交叉等过程衰变到基态S_0的光物理过程,或者(2)由S_n态经系内转换至S_1态,然后系间窜跃到T_1态,在T_1态发生质子转移。而加入1个水分子形成团簇反而抑制了质子转移。与实验观察结果一致。(3)MMT在乙腈、甲醇和水中的紫外吸收光谱表明溶剂作用明显,随着极性的增大,主要吸收带紫移,结合TD-DFT的计算,指认A带的吸收跃迁主体为???~*跃迁。通过乙腈,甲醇和水溶剂中以223.1、228.7、239.5、245.9、252.7、266.0和273.9 nm波长的激发光作为激发光源的共振拉曼光谱对比,振动模?_6(N_1C_5伸缩振动+H_6N_2N_1/H_9C_5N_1平面内的弯曲振动)在基态488 nm拉曼光谱中振动强度很大,在乙腈共振拉曼光谱强度变弱,在甲醇和水溶剂共振拉曼光谱中消失,ν_(11)(N_1C_5/N_4C_5/N_4C_8伸缩振动)和ν_(12)(N_4C_5伸缩振动+N_4C_5N_1/H_6N_2N_1/N_2N_1C_5面内弯曲振动)相对振动强度在叁种溶剂也明显变化,表明溶剂对MMT在Franck-Condon区域的基态及激发态结构均具有调控作用,使其由平面结构变为非平面结构。GRRM结合TD-DFT计算了MMT衰变的两条通道:(1)由S_n态经势能面交叉等过程衰变到基态的光物理过程,或者(2)由S_n态经系内转换至S_1态,然后系间窜跃到T_1态,在T_1态发生质子转移。(本文来源于《浙江理工大学》期刊2017-12-22)
孟双,薛佳丹,赵彦英,郑旭明[7](2017)在《溶剂调控的3-氨基-1,2,4-叁唑的基态及激发态结构动力学研究》一文中研究指出拉曼光谱结合密度泛函理论计算研究研究了3-氨基-1,2,4-叁唑(3AT)在不同环境中的构型。FT-IR和Raman光谱表明3AT固体以1H-3AT二聚体的形式存在,其计算结果与实验结果一致。488 nm Raman光谱实验结果发现溶剂中的3AT构型与晶态结构不同,这表明溶剂分子与3AT的相互作用导致了振动模式的位移,如图1所示。结理论计算表明在气相模型下1H-3AT的结构量比2H-3AT低低0.8 kcal/mol。结合PCM溶剂模型对3种能量最低的异构体进行的理论计算,确定了在溶剂中的存在的构象是2H-AT。通过显性溶剂模型计算表明3AT与质子性溶剂甲醇和水分子形成稳定的团簇结构,且溶剂分子有一定的饱和度,其振动模波数的位移及强度变化归因于3AT中的N和NH键与溶剂分子的氢键作用。(本文来源于《第十五届全国化学动力学会议论文集》期刊2017-08-18)
赵纪军[8](2017)在《团簇基态结构的第一性原理遗传算法优化》一文中研究指出团簇是介于原子分子与凝聚态之间的重要过渡物质层次,由于键合方式的多样性与高维势能面的复杂性,团簇基态结构的确定一直是团簇物理中最具挑战性的关键科学问题。本课题组长期以来致力于发展基于第一性原理计算的团簇基态结构全局优化算法和程序,最近开发了遗传算法为主的CGA程序,并与实验光电子谱结合,研究了一系列单质和二元合金团簇的结构,并揭示了一些具有高稳定性和新奇电子性质的超原子团簇。(本文来源于《第十叁届全国量子化学会议报告集》期刊2017-06-08)
金锋[9](2017)在《(La_(1-x)Pr_x)_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3外延薄膜中基态的多参量调控及其结构关联》一文中研究指出钙钛矿结构氧化物因其具有丰富的功能而备受关注,特别是高温超导、庞磁阻效应发现以来,人们怀着极大的热情投入到钙钛矿结构相关的氧化物的研究之中。由于电子、轨道、自旋和晶格之间存在着强关联作用,故结构与性能之间拥有着紧密联系,我们可以通过不同的方法手段或者参量对材料的结构进行调控,例如:外延应变、界面八面体耦合、对称破缺、维度效应等,能够有效的改善材料的性能或诱导出新颖的物理现象。随着复杂氧化物薄膜制备技术的发展和原子尺度高分辨电镜、时间分辨超快光谱、及各种显微表征技术的进步,为人们探索和研究高质量样品结构与性能之间的联系提供可能,也为探究和佐证理论模型和计算分析结果提供了途径。近年来在异质结界面处发现众多新奇的物理现象,丰富和拓展了凝聚态物理领域知识。本论文主要利用多参量对锰氧化物的基态进行调控,以及研究锰氧化物薄膜的结构与性能之间联系。本论文共分为七章内容:第一章绪论简要介绍了本论文涉及的背景知识,首先介绍了钙钛矿结构锰氧化物的八面体骨架结构,偏离理想立方结构情况下,八面体会出现倾斜/旋转或者Jahn-Teller畸变。随着表征技术手段的进步,八面体倾斜和畸变能够被直接表征,从而为人们深入探究结构与性能之间的关联提供了可能。紧接着,介绍了锰氧化物的基本物理性能,它的典型特征是从微米到纳米尺度的相分离。有趣的是相图中存在不同类型的电荷、自旋和轨道序,利用应变可以调制形成不同类型的有序结构,并且可通过先进的技术手段直接或者间接的观测界面处或者薄膜内部相应的序结构。最后,介绍调控薄膜物理性能的几种方法,阐述了静态的应变和动态的超快光谱技术,以及着重强调薄膜界面处“死层”现象。第二章囊括了实验过程中所涉及的制备方法、样品结构表征手段及低温输运性能的测量设备,且简要的介绍了部分仪器的基本原理。第叁章主要研究各向异性应变和化学掺杂对于锰氧化物性能的调控。各向异性应变通过界面的八面体耦合增强薄膜的正交性,诱导新颖的电荷有序相的产生。另一方面,根据经验键角和键长相关的带宽公式,在研究的平均A位离子半径范围内,化合价相等且离子半径较小的Pr3+替代La3+化学掺杂引起带宽的减小。电荷载流子倾向于局域化有利于电荷有序相,铁磁金属相变得越来越不稳定。因此,各向异性应变导致八面体的畸变与掺杂引起的八面体旋转两个参量能够有效的调制薄膜的基态。(La1-xPrx)2/3Ca1/3MnO_3/NdGaO_3(001)样品薄膜展示了丰富而有趣的相畴织构的演化,不同掺杂浓度样品的电荷有序融化过程具有明显的差异,说明应变与掺杂之间微妙的竞争作用。然而,不同样品的重入过程的电荷有序畴呈现十分相似方向性的条状畴,说明在此过程中各向异性应变的主导作用。第四章是在第叁章的基础上,通过不同的物理过程将薄膜样品La2/3Ca1/3MnO_3/NdGaO_3(001) [LCMO/NGO(001)]调控至饱和的铁磁金属相,可利用温度或磁场参量定量的控制电荷有序相的重入,实现了薄膜中电荷有序相占据比例的可控性。因为在较低温度下,热涨落较小,不足以克服铁磁金属相与反铁磁电荷有序绝缘相之间的能垒,从而形成亚稳态。磁力显微镜数据显示电荷有序相呈现各向异性条纹结构,并且几乎不随温度变化,与磁电输运性能展示的亚稳特性相一致。这也表明微观结构与宏观输运性能之间的关联。第五章利用超快光谱泵浦反铁磁绝缘相基态的LCMO/NGO(001)薄膜,在铁磁相占主导的相分离区,光诱导薄膜产生绝缘体一金属相变,并且呈现持久的金属相。根据金兹堡朗道自由能理论模型,磁晶耦合在光致相变的过程中起到重要的作用。铁磁金属相与电荷有序相之间能垒高度随着温度降低或者磁晶耦合强度增强而升高。不同强度的激光脉冲作用结果显示薄膜同时吸收大量的光子以及饱和光电导随脉冲数的非线性变化,表明相转变的产生来源于被激发的电荷、自旋和晶格自由度的协同效应,而不是一个个光子作用的简单迭加。随着温度的升高,磁晶耦合引起的基态与亚稳态之间的势垒高度因热涨落而逐渐降低,在130 K薄膜恢复到绝缘反铁磁和强晶格畸变基态。第六章主要介绍不同方向NGO衬底上LCMO物理性能与结构之间的关联。不同方向NGO衬底上LCMO磁电输运性能显示巨大的差异。为了探究和解释产生此差异的原因,我们测量了 24 nm薄膜的高分辨扫描透射电子显微镜(HR-STEM),表征薄膜微观结构。通过分析薄膜与衬底的八面体旋转结构,我们认为单轴应变对诱导电荷有序相起到了关键的作用。第七章主要基于前几章实验结果,利用不同循环过程中LCMO磁性状态的不同来探索铁磁对于YBCO超导性能的影响;另外将可调控的LCMO薄膜与铁电性衬底或薄膜相结合,探究磁电耦合行为,这为潜在的应用提供新思路新方法。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2017-05-01)
任晓燕[10](2017)在《量子效应在硅基表面纳米结构基态和相变中作用的理论研究》一文中研究指出硅表面形成的纳米结构展现出许多奇特的物理现象,由于其在多个领域广泛的应用,近几十年来吸引了广大科研人员的研究兴趣。研究量子效应包括量子隧穿效应、自旋轨道耦合等对于硅基表面纳米结构及其稳定性的作用,以及对表面纳米结构相变机制的影响,是当今凝聚态物理、材料物理等交叉学科研究的前沿热点方向之一。该研究方向不但有重要的基础科学研究意义,而且在电子学、自旋电子学、量子器件、集成电路等方面有着广泛的应用前景。本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,以几种典型的硅的重构表面形成的纳米结构为原型,分别研究了不同的量子效应在其结构稳定性和相变机理中的重要作用。本文的研究内容主要分为四个部分,概括如下:1.当温度低于20 K时,Si(001)表面非对称二聚体在扫描隧道显微镜(STM)实验中呈现为对称的二聚体,其中的物理机制已经成为困惑研究人员已久的科学问题。尽管以往一些研究将实验上观察到的对称二聚体图像归结为是由STM测量本身人为因素所致,但是其中的微观机制仍然含糊不清。论文基于第一性原理计算研究发现,对称二聚体图像是由于量子隧穿效应驱动非对称二聚体振动而引起。具体而言,在低温下电荷局域在表面,通过STM针尖注入的表面空穴降低了非对称二聚体的振动势垒,因此引起了可观的量子隧穿频率;但是,电子注入情况下,上述振动势垒并没有明显降低。研究结果解释了低温下STM实验在满态观察到对称二聚体而在空态观察到非对称二聚体的物理根源。2.分别采用考虑和不考虑自旋轨道耦合(SOC)的第一性原理计算方法系统地研究了在Si(111)和Ge(111)衬底上4/3单层(ML)Pb覆盖度的两种竟争相(H_3和T_4)的基态结构及其微观相变机理。研究发现,对Pb/Si(111)和Pb/Ge(111)两个体系,SOC效应都影响这两种结构的相对稳定性。具体而言,在这两种体系中,不考虑SOC时,T_4结构的能量比H_3结构能量更低,二者能量差ΔE分别为25me V和22 me V。然而考虑SOC作用后,系统的基态均发生了翻转:H_3结构变为基态,两种相之间能量差分别变成-12 me V和-7 me V。深入分析表明,SOC改变基态的原因是由于H_3结构相比T_4结构具有更加不对称的表面电荷分布。而电荷分布的不对称性与px,py,pz轨道的杂化有关,并且导致H_3结构具有相对更大的Rashba劈裂以及更大赝能隙。本论文通过弹性带(NEB)理论计算得到从H_3到T_4发生相变的势垒,对于Pb/Si(111)和Pb/Ge(111)体系分别为0.59和0.27 e V。基于这些热力学和动力学特征,该论文提出H_3到T_4这两种竟争相不仅在低温下将会共存,而且在相对高温时将会发生有序到无序的相变。3.Sn在Si(111)表面的覆盖层是在叁角晶格上研究二维相关物理现象的典型体系。以往的理论研究得出的结论都基于表面态主要源于Sn的悬挂键这一假设,并将Sn/Si(111)体系视为一个强关联的二维电子系统。与之相反,本文通过第一性原理计算研究揭示了Sn的悬挂键电子态和Si衬底的表面态显着杂化形成一个共振态:Sn原子5p轨道和Si原子的3p轨道之间的强烈杂化使体系通过超交换相互作用产生了反铁磁序基态,并打开了一个能隙,理论研究结果和近期实验吻合。因此将Sn/Si(111)体系的绝缘体基态归纳为具有能带磁性的Slater类型的绝缘体。4.采用基于密度泛函理论的最新第一性原理计算方法,检验了单个Cu原子以及Cu的幻数团簇在Si(111)-7×7表面的能量和动力学特征。首先,通过描绘出Cu原子在Si(111)-7×7表面的势能面,确认了Cu原子在该表面扩散路径以及高扩散速率。该结果支持以往的实验推测,即叁角形亮斑源于单个Cu原子在表面相邻吸附位置的频繁跳跃。此外,研究发现在0.15 ML的覆盖度下,以往实验上所假设的六圆环状结构的Cu6结构相当不稳定,而最稳定的Cu6结构的STM模拟和实验上不匹配。研究排除了6个原子的团簇基态,找到了该覆盖度下能量最为稳定的实心的Cu7结构,并且发现Cu7结构的STM模拟和实验图案保持高度一致。研究结果明确地排除了用于解释实验现象的6原子团簇模型,并且对Cu原子在Si(111)-7×7表面的纳米结构的基态提出了新的理解。(本文来源于《郑州大学》期刊2017-05-01)
基态结构论文开题报告
(1)论文研究背景及目的
此处内容要求:
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例:
在近几十年中半导体材料是深受人们关注的材料之一,其主要应用是在光伏产业、场效应晶体管、发光器件等。而这些应用与半导体材料的特定性质密切先关,当下寻找新型半导体材料成为我们研究的热点。其中深受各研究人员关注的半导体材料应属四元化合物铜铟镓硒(CuIn_xGa_((1-x))Se_2)和Cu基S族化合物Cu_2-II-IV-S_4(II=Zn,Cd,Mg,Ga;IV=Si,Ge,Sn)等,而本文研究的对象铜锌硅硫(Cu_2ZnSiS_4)就是属于这一类别。本文一共分为五章,第一章是绪论部分,主要介绍半导体的导电机理和相关太阳能电池的介绍,这也为下文中对Cu_2ZnSiS_4的相关性质的计算做了铺垫。第二章部分主要介绍的是本文所涉及的计算方法,其中主要包括有密度泛函理论。还有对本文所涉及的计算工具也做了简要的介绍,包括有VASP软件包、Material Studio等。本文的第叁章部分是基于第一性原理的计算,对Cu_2ZnSiS_4的基态结构、能带结构、态密度分析、光学带隙等做了第一性原理的计算,并且与实验值相吻合。得到Cu_2ZnSiS_4的基态结构是WKS结构,而不是之前相关文章谈到最多的WST和KS结构。计算出Cu_2ZnSiS_4是直接带隙,带隙值大小为2.94 eV,这个带隙值与单节太阳能电池吸收层最佳光学带隙有很大差别,但带隙大小却很适合光化学电池的阴极要求,并且有可能成为多结太阳能电池吸收层的可能。第四章部分也是基于第一性原理的角度研究了本征缺陷对Cu_2ZnSiS_4的光学性质的影响。从本征缺陷的形成能图发现,主要缺陷有两个浅能级的缺陷V_(Cu)和Zn_(Cu),这与Cu_2ZnSnS_4的本征缺陷是有很大区别的。我们发现S的化学势高低会对Cu_2ZnSiS_4的导电类型有影响,而Cu的化学势大小会影响Cu_2ZnSiS_4的电子-空穴对的浓度,这对在实验上合成Cu_2ZnSiS_4时有指导的意义。但是通过对Cu_2ZnSiS_4的缺陷形成能图观察来看,它的费米能级位置都是靠近禁带中线。由于主要的缺陷离都是浅能级的,所以要想获得导电效果较好的半导体可以通过掺杂等方法来实现。第五章是关于本文的结论部分,总结了Cu_2ZnSiS_4的各方面的性质在太阳能电池方面应用。
(2)本文研究方法
调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
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