碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展

碳化硅单晶材料残余应力检测技术研究进展

论文摘要

SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为准确评估晶体质量、服役过程中的可靠性和材料寿命,有必要对单晶材料的残余应力及分布规律进行深入研究。本文分析了SiC单晶中残余应力的来源,归纳总结了单晶材料应力检测技术的研究现状,并对SiC单晶材料应力检测方面的未来发展趋势进行了展望。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 SiC单晶材料中残余应力的来源
  •   1.1 内部因素
  •   1.2 外部因素
  • 2 单晶材料残余应力检测技术
  •   2.1 光弹性法
  •   2.2 X射线衍射法
  •     2.2.1 Imura方法
  •     2.2.2 Ortner方法
  •     2.2.3 多重线性回归方法
  •   2.3 中子衍射法
  •   2.4 微拉曼光谱法
  •   2.5 其他残余应力检测技术
  • 3 结语与展望
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 邓亚,张宇民,周玉锋,王伟

    关键词: 碳化硅单晶材料,残余应力,光弹性法,射线衍射法,微拉曼光谱法

    来源: 材料导报 2019年S2期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅰ辑

    专业: 材料科学

    单位: 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所

    分类号: TB302

    页码: 206-209

    总页数: 4

    文件大小: 844K

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