论文摘要
SiC单晶材料被称为第三代宽带隙半导体材料,凭借强度高、化学性质稳定、抗干扰能力强等优势被广泛应用于军工、核能和电子等领域。然而SiC单晶在制备、加工和使用过程中,往往会存在残余应力,这严重影响着单晶材料的质量和使用寿命。为准确评估晶体质量、服役过程中的可靠性和材料寿命,有必要对单晶材料的残余应力及分布规律进行深入研究。本文分析了SiC单晶中残余应力的来源,归纳总结了单晶材料应力检测技术的研究现状,并对SiC单晶材料应力检测方面的未来发展趋势进行了展望。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 邓亚,张宇民,周玉锋,王伟
关键词: 碳化硅单晶材料,残余应力,光弹性法,射线衍射法,微拉曼光谱法
来源: 材料导报 2019年S2期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学
单位: 哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所
分类号: TB302
页码: 206-209
总页数: 4
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