电流基准源论文-雷吉成

电流基准源论文-雷吉成

导读:本文包含了电流基准源论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:可调节电流基准,带隙基准,运算放大器

电流基准源论文文献综述

雷吉成[1](2012)在《可调节电流基准源的设计》一文中研究指出数模转换器(DAC, Digital-to-Analog Converter)作为连接数字世界和模拟世界的桥梁,是信号处理系统的关键模块。处理器和存储器的飞速发展极大的提高了数字信号处理系统的速度和精度,与此同时也对数模转换器的速度和精度提出了更高的要求。近年来携式设备快速发展,电源的续航能力已经成为衡量此设备的重要指标之一,这就对数模转换器的功耗要求越来越苛刻。高速高精度低功耗数模转换器的研究已经成为集成电路设计的重要方向之一。高性能的电流基准源对于实现高速高精度低功耗数模转换器来说非常重要。本文基于带隙基准电压源的技术指标和基本原理,先分析了几种带隙基准电压源的几种结构,并指出常见的带隙基准电压源中存在的问题。基于TSMC0.13μm1P8M标准CMOS工艺,设计实现了一个双向可调节电流基准源,包括一个带隙基准电压源,一个电压转电流电路和双向可调基准电流产生电路。本文包括电路前端原理图设计和后端版图设计验证,并进行了流片测试。仿真结果表明,当基准电流为78.69μA时,最高正向和反向调节精度分别为基准电流的1/1201和1/1003;最高正向和反向调节范围分别为基准电流的14.59%和14.93%;带隙基准电压源的温度系数为5.74ppm/℃,电流基准源的温度系数为48.95ppm/℃;测试结果表明,带隙基准的输出电压为1.182V左右,基本满足设计要求;可调节基准电流的测试结果也与设计要求一致,且这个电路在整个DAC电路中也工作良好。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2012-01-01)

王海涛[2](2009)在《精密电压/电流基准源中的恒温槽技术》一文中研究指出本文对精密电压/电流基准源中的恒温槽技术进行了分析,介绍了两种类型的恒温槽及恒温槽技术在精密电压/电流基准源产品中的应用,同时提出了一种提高恒温槽控温精度的方法与措施。(本文来源于《电子元器件应用》期刊2009年05期)

朱冬勇,杨银堂,朱樟明,朱文举,徐俊平[3](2008)在《基于温度补偿的1V CMOS电流基准源》一文中研究指出利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源。使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点。在1V工作电压,TSMC0.25μmCMOS工艺下,用Cadence Spectre仿真,在-20~120℃的温度内,输出电流为19.06μA,温度系数仅为18.7×10-6,功耗为53.5μW。(本文来源于《半导体技术》期刊2008年04期)

应建华,罗鸣,张姣阳[4](2007)在《基于曲率补偿的电流基准源的设计》一文中研究指出提出了一种利用分支电流的正负温度系数进行温度补偿的新型设计方法。在传统的电流温度补偿的基础上,通过增加一条分支电流对温度特性进行曲率补偿(二阶温度补偿),并且详细地分析了补偿原理。使用XFAB公司的0.6μm CMOS工艺模型进行仿真模拟,得到了较好的仿真结果:在-40℃~135℃温度范围内,其温度系数达到39.8ppm/℃。(本文来源于《电子技术应用》期刊2007年09期)

余国义,邹雪城[5](2007)在《一种新颖的高电源抑制比亚阈值MOSFET电流基准源》一文中研究指出基于亚阈值MOSFET,提出了一种新颖的高电源抑制比(PSRR)电流基准源。基准电路充分利用工作在亚阈值区MOSFET的I-V跨导特性和改进的具有高负反馈环路增益预电压调制,为电流基准核电路提供电源。电路设计采用SMIC 0.18μm标准CMOS数字工艺技术。在1.5 V电源电压下,电路输出1.701μA的稳定电流,在-40℃到150℃温度范围内,具有非常低的温度系数(2.5×10-4μA/℃);并且,在宽泛的频率范围内,具有很好的电源噪声抑制能力。电源抑制比在dc频率为-126 dB,在高于1 MHz频率范围内,仍能保持-92 dB。基准电路在高于1.2V电源电压下可以稳定工作,并具有很好的CMOS工艺兼容性。(本文来源于《微电子学》期刊2007年01期)

卢杨[6](2006)在《1.8V高阶温度补偿的电压电流基准源的设计和研究》一文中研究指出随着集成电路工艺的发展,在数模混合及模拟集成电路中,设计芯片内部基准电源以及开发单片基准源已成为各个国际模拟电路公司的重点。本文详细分析了基准源芯片的工作原理以及如何提高温度稳定性的方法,同时基于两种不同的高阶温度补偿思想,设计了一种电压基准源和一种电流基准源,这两种基准源电路分别采用0.6μm BCD工艺和标准0.5μm CMOS工艺。所设计的电压基准源和电流基准源的输入电压范围均为1.8V~5.5V,温度系数在-10℃~+150℃的温度范围内分别为5.9 ppm/℃和0.7 ppm/℃。该两种基准源系统的设计是由作者独立完成,本文主要提出了两种高阶温度补偿思想,并完成了以下两个基准源电路的设计:1、提出了近似高阶温度补偿思想,使用近似温度特性曲线来补偿V_(BE)的高阶温度项;2、根据近似高阶温度补偿原理,设计出一种新颖的高阶温度补偿电压基准源,此电压基准源具有相对较好的温度稳定性;3、提出了精确高阶温度自补偿思想,可以将输出基准电流的温度漂移减小;4、根据精确高阶温度自补偿原理,设计出一种新颖的精确高阶温度自补偿电流基准源。在完成高阶温度补偿原理分析、电路架构设计及子电路设计的基础之上,还通过HSPICE应用0.6μm BCD工艺和标准0.5μm CMOS工艺model分别对各个子电路以及整体电路进行了温度稳定性的仿真。仿真结果相对较好,表明本论文是设计理论与实践相结合的一次有意义的尝试。(本文来源于《电子科技大学》期刊2006-12-01)

蔺增金,杨海钢[7](2006)在《CMOS偏置电流基准源的两级温度补偿方法》一文中研究指出提出了一种利用分支电流的正、负温度系数(TC)进行两级温度补偿的新型设计方法,并用标准CMOS工艺实现了一个20μA电流偏置基准源。其结构简单,各参数匹配要求较低,且具有多项参数的设计灵活性,详细探讨了两级温度补偿参数间的各种关系,并给出了相应的解析表达式。电路还包含自启动电路,可避免零电流工作状态的出现。经特许半导体公司0.35μm 2P4M工艺流片,芯片测试结果表明,在0~120℃范围内,其温度系数达35.63 ppm/℃。(本文来源于《微电子学》期刊2006年05期)

唐圣兰,罗萍[8](2006)在《一种电阻温度补偿电流基准源》一文中研究指出本文设计了一种简单的一阶温度补偿电流基准源。主要利用电阻的温度系数与阈值电压VTH温度系数相同的特性实现温度补偿原理。该主体电路采用低压共源共栅(即CASCODE)结构,不需要运放,易于补偿。整个电路采用0.5μm标准CMOS工艺,并用HSPICE仿真分析表明该电路在0~100℃范围内且在工艺变化(容差分析)时基准电流变化不超过3.1%。(本文来源于《中国集成电路》期刊2006年10期)

庞波,刘文平[9](2006)在《新型电流基准源的设计与实现》一文中研究指出通过比较几种典型的电流基准源在电路结构、温度特性等方面的优缺点,研究了双极/BiCMOS工艺的电流基准源设计技术。提出了新型的无需启动电路的PTAT(与绝对温度成正比)电流基准源的设计方法,并由此扩展到零温度系数电流基准源的设计技术。最后,用这种新型PTAT电流基准源和零温度系数的电流基准源分别实现了一种高性能精密运算放大器和模拟振荡器电路。(本文来源于《电子器件》期刊2006年03期)

电流基准源论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文对精密电压/电流基准源中的恒温槽技术进行了分析,介绍了两种类型的恒温槽及恒温槽技术在精密电压/电流基准源产品中的应用,同时提出了一种提高恒温槽控温精度的方法与措施。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

电流基准源论文参考文献

[1].雷吉成.可调节电流基准源的设计[D].西安电子科技大学.2012

[2].王海涛.精密电压/电流基准源中的恒温槽技术[J].电子元器件应用.2009

[3].朱冬勇,杨银堂,朱樟明,朱文举,徐俊平.基于温度补偿的1VCMOS电流基准源[J].半导体技术.2008

[4].应建华,罗鸣,张姣阳.基于曲率补偿的电流基准源的设计[J].电子技术应用.2007

[5].余国义,邹雪城.一种新颖的高电源抑制比亚阈值MOSFET电流基准源[J].微电子学.2007

[6].卢杨.1.8V高阶温度补偿的电压电流基准源的设计和研究[D].电子科技大学.2006

[7].蔺增金,杨海钢.CMOS偏置电流基准源的两级温度补偿方法[J].微电子学.2006

[8].唐圣兰,罗萍.一种电阻温度补偿电流基准源[J].中国集成电路.2006

[9].庞波,刘文平.新型电流基准源的设计与实现[J].电子器件.2006

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电流基准源论文-雷吉成
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