导读:本文包含了霍尔迁移率论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:霍尔,载流子,半导体,波导,碳化硅,组分,合金。
霍尔迁移率论文文献综述写法
刘岳巍,杨瑞霞[1]（2018）在《基于SiC MOSFET的霍尔迁移率在片测试方法》一文中研究指出研究了一种霍尔迁移率在片测试方法,通过在片测量反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs得到反型层载流子的霍尔迁移率。通过在待测芯片上固定一个环形磁体获得一个高强度磁场,并且测试磁体与芯片距离和磁场强度的关系。讨论了反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs的测试原理和方法,采用多次测量求导的办法,消除了霍尔电压测试过程中由于样品制备和测试系统的原因引入漂移电压,提高了测试精度。基于该方法完成测试平台搭建,并应用该测试平台完成了对SiC MOSFET样品霍尔迁移率的测试,得到了霍尔迁移率随栅极电压变化的关系。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年02期）
褚幼令,王宗欣,许瓯[2]（1992）在《薄片样品霍尔迁移率的无接触测试和计算》一文中研究指出设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品的横向磁阻,讨论了磁阻的计算方法及考虑样品的晶向后,由磁阻计算霍尔迁移率的方法,实验测试及计算结果是较为满意的。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1992年02期）
王吉丰,黄锡珉,张志舜[3]（1987）在《ZnSe:Al的霍尔迁移率》一文中研究指出本实验所用的高纯 ZnSe 单晶是在控制Zn 分压的条件下,用升华法生长的,其中所用的 ZnSe 原料是用5N—Se 和7N—Zn 在高温下直接反应后、再经两次提纯得到的,把生长好的 ZnSe 单晶按(110)面解理,然后降阻(120hrs)、机械抛光、化学腐蚀、超声清洗后,在样品的两个表面镀上高纯 Al、将其封入装有 Zn 粒的安瓶中,其真空度为2×10~(-5)Torr。在 Zn 饱和蒸气压(本文来源于《发光快报》期刊1987年02期）
黄锡珉[4]（1986）在《ZnS_x Se_(1-x)单晶的霍尔迁移率》一文中研究指出用Vah der Pauw法在77～300K温度范围内测试了n-ZnS_xSe_(1-x)(x=0.15)单晶的霍尔迁移率,共最大值为2150cm~2/V·s迁移率随温度变化的实验结果与载流子散射的几种理论模型曲线相比较,得出在120K附近为界,在高温区中极化的光学声子散射限定迁移率;在低温区中光学声子散射和离化本征受主散射的混合模型或离化本征受主散射限定迁移率。认为离化本征受主是一次电离的Zn空位。(本文来源于《发光学报》期刊1986年04期）
黄美纯[5]（1981）在《n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和霍尔迁移率》一文中研究指出本文提出一种分析叁元半导体合金霍尔迁移率随组分变化的半经验方法。详细描述了Ga_(1-x)Al_xA_s电子迁移率变化与能带结构的关系,在导带Γ—L—X叁能谷模型的基础上,引进能谷迁移率内插法,给出了霍尔迁移率随组分变化的理论公式,对Ga_(1-x)Al_xA_s进行具体计算发现同现有的实验结果符合得很好。理论曲线与实验数据的拟合采用L带电子迁移率作为可调参数,因此本方法允许从霍尔迁移率的实验研究中分析出至今了解甚少的L带迁移率的数值。研究表明,在0.15<x<0.6的Al组分区,L带对霍尔迁移率起着重要的作用,它使迁移率由Γ带之值过渡到X带之值的速率变慢。(本文来源于《厦门大学学报(自然科学版)》期刊1981年01期）
霍尔迁移率论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品的横向磁阻,讨论了磁阻的计算方法及考虑样品的晶向后,由磁阻计算霍尔迁移率的方法,实验测试及计算结果是较为满意的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
霍尔迁移率论文参考文献
[1].刘岳巍,杨瑞霞.基于SiCMOSFET的霍尔迁移率在片测试方法[J].固体电子学研究与进展.2018
[2].褚幼令,王宗欣,许瓯.薄片样品霍尔迁移率的无接触测试和计算[J].固体电子学研究与进展.1992
[3].王吉丰,黄锡珉,张志舜.ZnSe:Al的霍尔迁移率[J].发光快报.1987
[4].黄锡珉.ZnS_xSe_(1-x)单晶的霍尔迁移率[J].发光学报.1986
[5].黄美纯.n-Ga_(1-x)Al_xAs的能带结构和霍尔迁移率[J].厦门大学学报(自然科学版).1981