石墨烯在GaN表面的直接制备及其在GaN-LED中的应用研究

论文摘要

石墨烯具有优良的光电特性,它能够替代传统的ITO材料用作GaN-LED的透明导电层。为了使上述应用实现工业化生产,利用热壁CVD研究了石墨烯在GaN表面直接生长的最佳条件,解释了直接生长的机理,直接生长的最佳条件为生长温度800℃,生长时间60 min,CH4和H2的分压比分别为1.59%和3.17%,该条件下得到具有明显2D峰的多层石墨烯。利用冷壁CVD研究了石墨烯在GaN表面的低温生长并制造了相应的GaN-LED,测试了其性能,结果表明生长温度高于700℃时器件的性能明显降低。该研究对实现石墨烯在LED中的工业化应用具有积极意义。

论文目录

• 0 引 言
• 1 实验方法
• 2 结果与讨论
•   2.1 热壁CVD生长结果
•   2.2 冷壁CVD生长结果
•   2.3 GaN-LED制造与测试
• 3 结 论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 樊星,郭伟玲,熊访竹,董毅博,王乐,符亚菲,孙捷

关键词: 石墨烯,化学气相沉积,直接生长

来源: 功能材料 2019年03期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,福州大学场致发射国家地方联合工程实验室

基金: 国家科技重大专项资助项目(2017YFB0403100,2017YFB0403102),国家自然科学基金资助项目(11674016)

分类号: TQ127.11

页码: 3085-3089

总页数: 5

文件大小: 1580K

下载量: 148