一、Dielectric Properties at High Frequency of BSTO System Doped Dy_2O_3（论文文献综述）
苏雅丽[1]（2021）在《密实的多稀土掺杂钙钛矿型电子陶瓷的研究》文中提出本文采用混合氧化物法制备了Sr和稀土元素Tb共掺杂的Ba Ce O3,Tb和Ce共掺杂的Ba Ti O3以及Tb和Dy、Ce共掺杂的Ba Ti O3陶瓷。使用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、能量色散X射线谱（EDX）、拉曼光谱（RS）、电子顺磁共振（EPR）、X光电子能谱（XPS）和介电测试手段探索了陶瓷的固溶度、晶体结构、微结构、元素价态、离子位占据以及陶瓷中的缺陷化学。成功制备出了满足X9V、X8U、Z4T、X4S介电指标的电介质材料。主要内容分为以下四方面:（1）在1400°C烧结条件下制备出了单相(Ba3-xSrx)(Tb3-xCex)O9（x=1和1.5）（简称BSTC1和BSTC3/2）陶瓷。其中BSTC1陶瓷具有三方钙钛矿结构,BSTC3/2陶瓷具有正交钙钛矿结构,两陶瓷的相对密度约为93%,晶粒尺寸约为0.2～3μm。A位Ba/Sr和B位Ce/Tb在钙钛矿中随机无序排列,并且浓度分布均匀。EPR、XPS和电学测试结果证实,Ce离子在BSTC陶瓷中以Ce4+形式存在,Tb离子以Tb4+和Tb3+形式存在,氧空位的存在以及局部有序性仍然需要进一步探究。在室温下两个BSTC陶瓷表现出类半导体性质,掺杂量对电导率随温度变化的关系影响很小;电导率随温度变化迅速;室温下的电导率随频率变化缓慢。（2）空气中烧结12 h,烧结温度1400°C的情况下制备了Tb、Ce共掺杂陶瓷(Ba1-xTbx)(Ti1-5x/4Cex)O3（BTTC）。Ce在BTTC中的固溶度为x<0.02,说明A位掺杂Tb会降低Ce在B位的固溶度。将烧结温度提高到1450°C重新制备(Ba1-xTbx)(Ti1-5x/4Cex)O3（x=0.04,简称BTTC4-1）,结果仍有Ce O2析出,表明A位掺杂Tb时提高烧结温度也不能使Ce很好地并入Ba Ti O3的B位。在1450°C条件下制备了(Ba1-xTbx)(Ti0.96-5x/4TbxCe0.04)O3（BTTTC-1）陶瓷,结果表明BTTTC-1陶瓷中Ce的固溶度大于等于0.04。（3）在1450°C下制备的(Ba1-xTbx)(Ti0.96-xTbxCe0.04)O3（BTTTC）系列陶瓷具有较高的固溶度（x=0.05）,并且BT4TTC的密实度较高,相对密度约为91.4%。室温下BT1TTC呈现四方钙钛矿结构,其余样品均呈现立方钙钛矿结构。EPR结果表明:当掺杂量较小时,Ce以Ce4+占据Ti位,Tb以Tb4+和Tb3+分别占据Ti位和Ba位;当掺杂量增大时,Ce逐渐以Ce3+和Ce4+形式分别占据Ba位和Ti位,而Tb则大部分以Tb3+形式占据Ti位。介电测试结果显示:随着着掺杂量的增大,居里温度以-16°C/at.%的速率快速下降,所有样品的介电损耗都大于0.04。BT5TTC样品满足X9V(-82%≤(ε’-εRT’)/εRT’≤22%)介电指标,介电峰值出现在62°C附近,最大介电常数为εmax’=3104,此时相应的介电损耗为tanδ=0.08。（4）在1400°C下制备的(Ba1-xDyx)(Ti1-5x/4Cex/3Tb2x/3)O3（x=0.01～0.12简称BDTCT1～12）系列陶瓷固溶度为x=0.07,与Dy自补偿模式的(Ba1-xDyx)(Ti1-xDyx)O3陶瓷固溶度一致,说明Tb、Ce在B位的掺杂,不影响Dy形成自补偿模式。当x=0.04和0.07时,相对密度分别为90.8%和91.5%,密实度较好。在x=0.01～0.03的掺杂范围内,居里温度的下降率为-3°C/at.%,在x=0.04～0.07掺杂范围内,居里温度的下降率约为-23°C/at.%。当x=0.03时,在-55～65°C范围内的介电常数（ε’=2800）几乎不受温度影响,满足X4S(-22%≤(ε’-εRT’)/εRT’≤22%)介电指标。当x=0.04时,在10～65°C范围内的介电常数（ε’=5200）几乎不受温度影响,而且介电损耗tanδ<0.02,满足Z4T(-33%≤(ε’-εRT’)/εRT’≤22%)介电指标。当x=0.07时,在-55～150°C范围内,ε’max=5841,而且介电损耗tanδ<0.04,满足X8U(-56%≤(ε’-εRT’)/εRT’≤22%)介电指标。
董佳[2]（2021）在《Na0.5Bi0.5TiO3-CaTiO3基无铅陶瓷介电储能性能研究》文中研究表明为满足日益增长的能源需求,开发新型且高效的能源存储器件已成为当今社会缓解能源危机的有效措施之一。在众多储能元器件中,介电电容器因充放电速率极快,且易于小型化、集成化,被广泛用于脉冲电源系统中。然而,介电电容器相对低的储能密度限制了其工业化应用。因此,有效改善介电电容器储能性能成为当前该领域的研究焦点。在各类电介质材料中,Na0.5Bi0.5TiO3（NBT）具有良好的铁电性以及丰富的相变而被广泛研究,而CaTiO3（CT）属线性电介质,耐电压强度高且损耗低。本文选取NBT为基体材料,通过掺入CT来调控相结构、提升耐电压强度,进而改善储能密度。文中采用传统固相合成方法制备（1-x）NBT-xCT（0≤x≤40mol%）陶瓷。在掺杂范围内,CT与NBT完全固溶,所有组分均呈现单一的钙钛矿结构。随CT含量增加,相结构由三方相逐渐转变为四方相,当x≥15mol%时完全转变为四方相;极性纳米微区（PNRs）的存在使介电温谱逐渐表现出频率色散和弥散相变,当x=15mol%时,出现较强的弛豫特征,弛豫系数γ=1.86;介电峰位于室温附近,表明该组分在室温下具有大介电常数;电滞回线由明显的铁电逐渐转变为类线性,当x=20mol%时,电滞回线呈现出一条直线,能量损耗极低;当x=10mol%时,多相共存引起电流峰分裂,随CT含量进一步增加,电流曲线由铁电转变为多相共存,再转变为弛豫态,最后转变为顺电态。选取0.85NBT-0.15CT（以下简称为NBCT）进一步掺杂不同价态离子,探究B位掺杂(Mg2+、Zn2+、Sn4+、Ce4+)和A位掺杂(Dy3+、La3+)对其介电及储能性能影响。其中Mg2+和Zn2+对B位Ti4+的取代有利于提高NBCT陶瓷的耐电压强度,NBCT-0.5mol%Mg和NBCT-1mol%Zn组分分别在210kV/cm和260kV/cm下获得了2.75J/cm3和2.95J/cm3的储能密度;Ce4+和Sn4+也进入B位掺杂,Ce4+起到明显细化晶粒的作用,显着提高了耐电压强度,同时Ce4+宽化了介电峰、提高了介电稳定性。组分NBCT-2mol%Ce在230kV/cm下储能密度达到2.53J/cm3,并在30-150℃温度范围内保持优异的温度稳定性;掺杂Sn4+后陶瓷的烧结温度升高,致密度增加,耐电压强度得到改善,组分NBCT-1mol%Sn在220kV/cm下储能密度达到2.34J/cm3;Dy3+和La3+均进入A位,钉扎作用明显,有效抑制了晶粒生长,且Dy3+比La3+掺杂更利于晶粒尺寸均匀化,NBCT-0.5mol%Dy在210kV/cm下获得了2.35J/cm3的储能密度,与La3+掺杂相比,储能密度改善更显着;此外,本文选取A位掺杂的NBCT-0.5mol%Dy和B位掺杂的NBCT-1mol%Sn组分进行轧膜工艺制备,探究工艺对储能性能的影响。NBCT-0.5mol%Dy轧膜样品在440kV/cm下获得了6.02J/cm3的储能密度,而NBCT-1mol%Sn轧膜样品在460kV/cm下获得了6.98J/cm3的最高储能密度;两者在变温、变频和充放电性能上均表现出色。本文以NBT为基础,通过固溶线性电介质CT来调控相结构,在室温下获得新型弛豫铁电陶瓷。在此基础上进行A/B位离子掺杂均可有效改善储能性能。其中B位掺杂对储能性能的改善效果更为明显,而A位掺杂的细晶作用显着,这可为众多电介质陶瓷的微观结构的调控提供借鉴。此外,制备工艺的改进有助于获得高致密度陶瓷,提高陶瓷的电场耐受性从而使储能性能显着提高,这也对于电容器用介电陶瓷材料的制备带来一定的指导意义。
高陈熊[3]（2021）在《镁铝硅系微晶玻璃的掺杂改性及机理研究》文中认为信息技术的前进步伐不断加大,造就了集成电路产业的蓬勃发展,促使电子封装成为当前的热门领域,寻求性能优异的LTCC封装基板材料迫在眉睫。镁铝硅微晶玻璃因具有优良的性能逐渐成为关注的焦点,但是目前还存在烧结温度过高,难以和低熔点电极共烧以及抗弯强度与热膨胀系数不稳定等问题。因此,本文以镁铝硅微晶玻璃为对象,通过掺杂改性,研究了不同元素对本体系晶相组成、微观结构以及综合性能的影响,并对烧结和析晶过程进行了相应的理论分析。本实验采用四种稀土氧化物进行掺杂,结果表明,Y2O3能降低镁铝硅微晶玻璃的烧结温度,促进晶相的析出,从而提高机械性能。Y2O3的掺杂量为1wt%时,样品的结晶度最高,使得抗弯强度为211MPa,杨氏模量为89GPa,同时热膨胀系数为4.68×10-6/℃,介电常数为5.99,介电损耗为1.99×10-3。Sm2O3可以抑制MgAl2O4相的形成,促进(MgAl2Si3O10)0.6相转化为Mg2Al4Si5O18相,改善微观结构,从而显着增强机械性能。当掺杂2wt%Sm2O3时,样品的性能最佳,其中抗弯强度为229MPa,热膨胀系数为4.58×10-6/℃,介电常数为5.93,介电损耗为1.64×10-3。Dy2O3对晶相组成的影响较小,但是能促进烧结致密化和整体析晶,从而降低热膨胀系数。掺杂3wt%Dy2O3可降低热膨胀系数至3.55×10-6/℃,与Si芯片接近,同时抗弯强度为181MPa,杨氏模量为99GPa,介电损耗为0.68×10-3,介电常数为5.78。Lu2O3能明显促进Indialite相的析出,从而调节热膨胀系数,但是对介电性能的影响较小。当Lu2O3的掺杂量为0.5wt%时,样品获得最佳性能,其中抗弯强度为172MPa,杨氏模量为94GPa,热膨胀系数为4.17×10-6/℃,介电损耗为0.87×10-3,介电常数为5.33。其次,通过采用基于Arrhenius方程的恒定升温速率模型,对不同含量的Y2O3、Sm2O3掺杂镁铝硅微晶玻璃进行了烧结动力学的分析研究,并对烧结活化能进行相应的计算,结果表明1wt%Y2O3或2wt%Sm2O3可以明显降低镁铝硅微晶玻璃的烧结活化能,促进本体系致密程度的最大化。最后,本论文讨论了Aügis-Bennett模型的原理,并介绍了三种表征玻璃稳固度的参数,对不同含量的Y2O3掺杂镁铝硅微晶玻璃进行了析晶动力学的分析研究,并计算出相关参数,结果表明1wt%Y2O3能产生晶核剂的作用,大幅降低镁铝硅微晶玻璃的析晶活化能,破坏玻璃网络的稳定性,促进镁铝硅微晶玻璃的整体析晶。
杨兵[4]（2020）在《溶液法制备氧化物薄膜晶体管及在逻辑器件中的应用研究》文中进行了进一步梳理溶液法制备薄膜晶体管（TFTs）具有成本低廉工艺简单,组分比例可控,便于大批量生产等特点,特别适用于新材料的探究和最佳工艺条件的确定,在透明显示器件制备和逻辑门器件构筑中起着举足轻重的作用。近年来,薄膜晶体管的制备工艺和电学性能得到突飞猛进的发展,以铟镓锌氧（IGZO）为代表的TFTs已经实现了产业化。但是铟作为稀缺元素的使用限制了器件成本的降低和更广泛的应用,因此开发非铟TFTs有迫切的市场需求和战略意义。本文深入探究了新型金属氧化物在介电层中的应用,研究了器件的时效稳定性,光照稳定性,偏压界面稳定性。此外利用低成本的非铟有源层和介电层掺杂成功构筑了一系列薄膜晶体管,并探索了在逻辑电路中的反相器的应用。主要成果如下:1.通过溶液凝胶法制备了氧化镝薄膜作为高性能氧化铟锌薄膜晶体管的介电层,时效10天后的TFT表现出极高的电流开关比1×109,大的饱和迁移率12.6 cm2V-1s-1和可以忽略的迟滞,这是由于空气中的水分子扩散入薄膜起着电子供体的作用,其构筑的反相器在3 V的操作电压下表现出10.1的高增益和良好的动态响应性能。光照稳定性模型结果显示白光照射下的TFT在各种光辐照下的稳定性最好,阈值电压偏移为0.25 V,说明较弱的激发光电子只能激活传导带的电子,而不会在界面上产生新的缺陷,不同光源表现出的特征稳定性显示出其在光电探测器中的应用潜力。2.采用溶液法制备的氧化锌锡薄膜与氧化镝栅介质薄膜构筑了低成本的TFTs。研究发现锌锡比例为1:1时,三元尖晶石型Zn2SnO4相达到峰值,研究发现经过10天的时效处理后,器件的饱和载流子迁移率从0.57增加到2.5 cm2V-1s-1,开关比从7.8×104增加到2.4×106,所构筑的反相器在2.5 V的操作电压下表现出7.3的增益和良好的动态响应。晶态下的电子传输模型显示时效扩散过程中非共格往半共格界面的转变可以释放被捕获的电子。此外,提出了时效天数与迟滞的变化量的指数模型,进一步发现器件的时效稳定性不仅与退火温度有关,还与界面匹配度因子有关。3.采用溶液法把氧化镱与低成本的氧化锌锡薄膜结合成功构筑成为低压调控的TFTs,退火后器件表现出9.1 cm2V-1s-1的饱和迁移率值和2.15×107的开关比,这甚至超过了文献报道的铟基TFT,所构筑的反相器在2 V的操作电压下表现出5.6的增益和良好的动态响应。通过能带模型对转移曲线中的驼峰现象,不同偏压下的界面变化进行了系统探究,并指出电场延迟效应也会造成偏压稳定性的提高。同时发现集成的TFT仍然符合前面提出的时效天数与迟滞的变化量的指数模型,并且指出界面匹配度因子不受退火温度影响,而由界面层的材料决定。4.为了构筑低成本环境友好型TFTs,把氧化镝,氧化镱,氧化钆掺入到氧化锆水溶液中去制备介电层,结果发现钆掺杂的氧化锆薄膜的表面质量最高。利用可变程跃迁（variable range-hopping,VRH）模型对构筑器件的电学性能进行比较分析发现,水基的氧化锆钆薄膜有助于得到更加清洁的界面,其漏流密度低至6×10-10A cm-2,击穿电场可达7.32 MV/cm。因此有源层的最佳退火温度可以从之前的500 ℃降至430 ℃,在2V的低压驱动下饱和载流子迁移率可达～3.10 cm2V-1s-1,在1.5V偏压作用5400s后开关比可以达到8×107,阈值电压的偏移仅为0.25V。负载型的反相器在2.5V的操作电压下表现出的最大增益可以达到7.3。这对于实现低功耗,大面积柔性电子器件的发展迈出了重要一步。
王军军[5]（2020）在《Ba0.8Sr0.2TiO3 铁电陶瓷的磁性诱导与磁电特性研究》文中进行了进一步梳理BaTiO3基的钙钛矿铁电材料由于无毒、介电常数大以及介电损耗低的优点,在能量存储、微波设备以及其他器件中有很多的用途。Sr掺杂形成的Bax Sr1-x TiO3其相变温度可以随Ba/Sr的比例而变化,即随着Ba含量的增加,相变温度逐渐向高温方向移动,从而可以达成对材料性能的控制。此外还可以在Bax Sr1-x TiO3母体中掺杂磁性离子来诱导多铁性,进一步拓宽它的应用价值。但目前的研究结果显示,当在Bax Sr1-xTiO3材料中磁性离子掺杂量较低时其铁磁性较弱,且缺乏磁电耦合效应方面的报道。因此我们选取具备室温铁电性的Ba0.8Sr0.2TiO3（BST）陶瓷为母体材料,通过不同的磁性离子以及不同的掺杂方式来诱导铁磁性和磁电耦合效应。本文研究了传统固相法制备的不饱和Fe离子A/B位掺杂和稀土元素A位掺杂Ba0.8Sr0.2TiO3铁电陶瓷的微观结构、铁电性、介电、磁性以及磁介电效应,并讨论了其中的内在机制。主要内容如下:1、研究了特殊的不饱和Fe离子掺杂(Ba0.8Sr0.2)TiO3基陶瓷的结构和性能。制备了几种A/B位组分比有轻微调整的掺杂陶瓷样品Ba0.8Sr0.2Ti0.9Fe0.1O3（BSTF）、Ba0.8Sr0.18Ti0.9Fe0.1O3-δ（BSVTF）和Ba0.8Sr0.18Ti0.92Fe0.1O3-δ（BSFTF）。结构表征显示其中铁电四方相和顺电立方相共存,而立方相占据主导地位。陶瓷样品室温铁电性减弱,同时表现出明显的室温铁磁性和磁介电效应,低温下还出现偶极玻璃和自旋玻璃冻结现象。分析认为,Fe除了主要占据Ti位之外,还部分进入Sr位,并产生价态变化。随着更多的Fe离子进入Sr位,铁电性、磁性以及磁介电效应略有增强,可能主要与偏心占据的低价Fe离子与氧空位形成的局域电偶极子增多以及不等价（包括不同价态和位置）Fe离子之间铁磁相互作用增强有关。本工作表明不饱和Fe离子掺杂对于调节传统铁电材料的电、磁以及磁电耦合效应是一种非常有效的方式。2、研究了稀土Dy元素掺杂Ba0.8Sr0.2TiO3基陶瓷的性能。XRD和Raman光谱分析显示A位掺杂样品Ba0.79Dy0.01Sr0.2TiO3（BDST1）和Ba0.78Dy0.02Sr0.2TiO3（BDST2）中铁电四方相和顺电立方相共存,且四方相占据主导地位。BDST1和BDST2都表现出良好的室温铁电性,相变温度分别为332 K和338 K;高温区出现了由偶极子相互作用和二价氧空位形成的介电弛豫行为。掺杂样品还具有室温磁性以及较强的磁介电效应,可能来源于Dy 4f-O 2p轨道杂化态以及Dy 4f-Ti 3d相关的RKKY交换作用。相比于纯BST陶瓷（具有来源于低价Ti离子的弱磁性）,掺杂样品的铁电性略弱,而磁性增强,并且表现出截然不同的变温磁性和磁介电行为。本工作表明稀土元素掺杂也是一种诱导铁电材料的多铁性以及磁电耦合效应的可行的方式。
郭瑞[6]（2020）在《BaTiO3基X9R型多层陶瓷电容器介电材料的研究》文中研究指明多层陶瓷电容器,特别是Ni-BaTiO3贱金属多层陶瓷电容器,具有优越的性价比,已经广泛应用于各类微电子器件中。随着这类器件应用领域的进一步拓展,对其性能也提出了更高的要求。某些国防应用以及汽车电子领域的应用对电容器的服役温度还有更高的要求,使得高端MLCC器件的研发朝着超薄层、高容量化及高温稳定化的趋势进行。为此,本研究采用BaTiO3粉体为基体材料,通过固相法,成功制备了使用上限温度为200℃的MLCC介电材料。本文采用固相法制备了纳米级具有高居里温度和复合钙钛矿结构的钛酸铋钠粉体,合成了具有相对高的居里温度点的x BT-（1-x）BNT铁电陶瓷。研究了BNT添加量对BT-BNT固溶体居里温度点的影响,其中0.9BT-0.1BNT居里温度为190℃。利用SEM、TEM、XRD等表征技术研究了BT-BNT陶瓷的微观结构,研究表明BT-BNT固溶体陶瓷在室温下为四方钙钛矿结构,并且具有铁电畴结构。通过固相法掺杂Nb2O5对0.9BT-0.1BNT固溶体陶瓷进行掺杂改性研究,改善了BT-BNT陶瓷的容温稳定性,其中Nb2O5掺杂量为2.0 mol%的陶瓷满足EIA X9R型标准。纳米尺度的微区结构观察和微区化学组分分析（TEM/STEM/EDS）揭示了Nb在陶瓷晶粒内的分布特征,即Nb仅扩散到BTBNT晶粒表层而没有到达晶粒中心,这是“芯-壳”结构形成的主要原因。在此基础上,还进一步研究了Mg O、MgCO3、Dy2O3以及Ho2O3等掺杂剂对0.9BT-0.1BNT-Nb基陶瓷的介电性能和微观结构的影响。研究表明Mg O的掺杂会促进Nb在陶瓷晶粒内部的扩散,破坏了“芯-壳”结构,陶瓷不满足EIA X9R型标准。而0.9BT-0.1BNT-Nb基陶瓷在掺杂了MgCO3、Dy2O3以及Ho2O3后,陶瓷晶粒具有“芯-壳”结构,容温变化率依然满足EIA X9R型标准。
高祥禄[7]（2020）在《R/Ca（R=Tb，Ho）和Pr/Ce共掺杂BaTiO3陶瓷介电性质和缺陷化学研究》文中提出本研究采用传统的固相反应法,制备了名义分子式分别为(Ba1-xHox)(Ti1-xHox)O3（BHTH）、Ba1-x/2Ti1-x/2TbxO3（BTTb5）、(Ba1–x–x Prx)(Ti1–y–x/4Cey)O3（BPTC）、(Ba1–xTbx)(Ti1–x/2Cax/2)O3（BTTC）、(Ba1–xHox)(Ti1–x/2Cax/2)O3（BHTC）等5个系列的陶瓷。研究具有自补偿模式的BHTH和BTTb5陶瓷的目的是为BPTC、BTTC和BHTC陶瓷的深入研究打下坚实的基础。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能谱（EDX）、高分辨率透射电镜（HRTEM）、拉曼光谱（RS）、X光电子能谱（XPS）、光致发光（PL）、电子顺磁共振（EPR）和介电测量等多种技术,调查和研究陶瓷的结构、微结构、致密度、固溶度、掺杂剂价态、介电性质、位占据、缺陷化学等。在烧结温度Ts=1400°C下制备了BHTH陶瓷。结果表明:Ho3+在Ba/Ti=1的条件下表现为自补偿模式,但具有轻微的Ba位占据倾向。BHTH陶瓷显示细晶粒微结构,由XRD确定的固溶度为x=0.03。一个反常现象是:随着Ho掺杂含量的增加,BHTH陶瓷的居里温度TC向高温方向移动。讨论了BHTH陶瓷的介电性质和缺陷化学之间的关联。在Ts=1400°C和烧结时间t=6?24 h、以及Ts=1300?1480°C和t=24 h条件下,制备了Ba1-x/2Ti1-x/2Tbx O3陶瓷（x=0.05）,简称BTTb5。结果表明:Ts=1400°C和t=12 h是BTTb5陶瓷的最佳制备条件,陶瓷高致密度和低介电损耗。烧结时间的增加,可导致Ti位Tb4+离子更多地转化为Ba位Tb3+;烧结温度的提高,导致陶瓷致密化以及更多的Tb4+离子进入Ti位。在Ts=1450°C条件下,制备了细晶粒(Ba1–xPrx)(Ti1–y–x/4Cey)O3（BPTC:x,y=0.03?0.05）陶瓷。结果表明:BPTC陶瓷显示伪立方钙钛矿结构,且室温附近具有扩散的高介电常数峰。5种BPTC样品满足Y5V介电指标,其中x=y=0.04陶瓷展现出最优化的Y5V特征,即具有高室温介电常数(ε’RT11000)和低介电损耗（tanδ=0.027）。结合离子半径参数和EPR结果,讨论了BPTC陶瓷的缺陷化学。在Ts=1400oC条件下,制备了名义分子式为(Ba1–xTbx)(Ti1–x/2Cax/2)O3（x=0.01–0.20）（BTTC）的新型介电陶瓷。结果表明:Tb/Ca在BTTC陶瓷中的固溶度为x=0.12,且BTTC显示四方钙钛矿结构。一个反常现象是,随着x从0.01增至0.04,与正交-四方相变点相关的介电峰向低温移动。在钙钛矿晶格中,Tb离子以Tb3+/Tb4+混合价态的形式存在,且Tb/Ca2+均显示Ba/Ti双位的混合位占据行为。在BTTC中,当x=0.03和0.04时,分别满足X5R和X4P规格,并且表现出一些优良的性能,如较高的相对密度（ρr=91和93%）,低介电损耗（tanδ=0.016和0.014）,较高的介电常数,且在1–107 Hz范围内具有频率稳定性。讨论了点缺陷化学,提出了BTTC的真正分子式。和已经发表的一些研究成果对比,发现在含Tb或Tb与其他稀土元素（La,Dy）共掺杂的BaTiO3陶瓷中,Tb和Ca的协同效应在提高陶瓷的温度稳定性、降低工作温度区的介电损耗方面更加有效和有益。在BTTC中,少量的Ti位Tb4+对低介电损耗起决定性作用。在Ts=1400oC条件下,制备高致密度（ρr=95%）的(Ba1–x–x Hox)(Ti1–x/2Cax/2)O3（BHTC）的陶瓷。结果表明:Ho/Ca在BHTC中的固溶度为x=0.10,x≤0.10时BHTC呈四方钙钛矿结构。在0.01≤x≤0.15范围内,晶胞体积随着x的增加而表现出明显的线性增加,但伴随着x的增加,四方度（c/a）呈下降趋势。在钙钛矿晶格中,Ho3+和Ca2+离子分别支配性地占据Ba位和Ti位。x=0.06和0.08的BHTC陶瓷显示优越的综合性能,如较高的致密度（ρr=91?93%）、较高的ε’RT（=2980和2730）、低介电损耗（tanδ=0.01?0.035,–75200oC）、以及满足Y5V介电指标。当0.01≤x≤0.10时,TC随x的增加往高温方向移动。讨论了BHTC陶瓷的点缺陷化学。综上,本研究课题成功制备了符合Y5V、X5R、X4P高介电指标的BaTiO3基介电陶瓷,探索成功了3个介电陶瓷配方,且都可以作为工业化应用的备用选项。在Tb/Ca共掺杂BaTiO3陶瓷中,通过XPS测试,找到了变价Tb离子的存在证据。探讨了Pr/Ce共掺杂BaTiO3陶瓷的复杂位占据,实验找到了Tb/Ca共掺杂BaTiO3陶瓷复杂位占据的直接证据。
简晓东[8]（2020）在《钛酸钡基无铅多层陶瓷的制备、结构和大电卡效应的研究》文中研究说明电卡效应（Electrocaloric Effect,ECE）通常指的是在极性材料中,其内部极性电偶极子对外加电场激励响应,而发生的翻转、取向和重排等行为,由此引起材料系统中熵的变化,宏观上表现为材料绝热条件下的温度变化和等温条件下的熵变过程。随着制冷技术在医疗器械、冷冻储藏、冷冻运输、智能家居、特种器械、微型电子电路均热散热等现代制冷场景下需求的日益增长,为解决传统蒸汽压缩制冷方式在制冷效率、温室效应以及应用场景等方面的限制,研发一类新型、高效的全固态制冷技术以适应现代社会的需求已然成为亟待研究者解决的问题之一。电卡效应因其高达60%的相对制冷循环效率以及较于其他新兴制冷技术而言,更高的制冷量和较低的驱动门槛,成为取代的传统蒸汽压缩制冷技术的有效技术方案。而对于基于电卡效应的全固态制冷方式而言,目前的研究仍处于材料选择和优化阶段,如何设计一类具有高电卡响应、具有优异的热学特性和机械性能、且满足实际电卡制冷器件设计要求的电卡材料,成为当前新型电卡效应全固态制冷器件设计的核心问题。本工作中,将基于环境友好型无铅钛酸钡陶瓷材料体系,通过掺杂以及多层陶瓷结构设计,以满足实际制冷器件设计要求。一、通过ZrA+离子替位掺杂钛酸钡陶瓷钙钛矿ABO3晶格中B位Ti14+离子位置,优化调节钛酸钡陶瓷电学性能。Zr4+离子掺杂将减低材料体系铁电相与顺电相之间的转变温度,即材料居里点,通过掺杂可获得接近室温的居里温度区间,同时,Zr4+离子掺杂在一定程度上可使得钛酸钡由正常铁电体向弛豫铁电体转变,展宽相变窗口,获得更宽的器件操作温区。当Zr4+离子掺杂含量为5 mol%,温度在113℃处,施加3 MV/m外部电场,测得该体系最高绝热温变值△Tmax=2.4K,除此之外,同一成分中得到0.8 K·MV/m的电卡效应效率（|△T/△E|）;二、通过Zr4+及Sr2+共同调控钛酸钡陶瓷体系电卡性能,Zr4+离子和Sr2+离子的掺杂均会诱导铁-顺电相转变点往低温方向移动,将钛酸钡高达120℃的居里温度点调整至室温区附近,约～10℃到～60℃之间;此外,由于Zr4+离子的掺杂在材料系统中削弱了相邻偶极的相关性,使铁电体体系一级相变特征消失而呈现介电弛豫特性,这正是此类材料更宽的实用温域的来源。Sr2+离子在钛酸钡钙钛矿相体结构中,替位掺杂A位离子处,有利于稳定四方相,并一定程度上降低了材料晶格对称性,增加宏畴占比,提高极化响应,从而提高电卡效应。（BaxSr1-x）（ZryTi1-y）O3块体陶瓷绝热温变（△T）值随着Sr2+离子掺杂含量的增加而增大,在50 kV/m的外加电场下,（Ba0.85Sr0.15）（Zr0.15Ti0.75）O3陶瓷中,获得相对的绝热温变△T为2.4 K,同时也将具有较宽的使用操作区间;三、为进一步提升陶瓷材料的电学性能,尽可能消除陶瓷材料由于氧空位等缺陷引起的漏电流和损耗,而降低材料电卡效应强度,将采用易变价的异价掺杂锰离子俘获和补偿陶瓷材料内氧空位所导致的自由电子和缺陷电荷中心,降低材料损耗,提高材料介电、铁电性能和电卡性能。通过调整不同含量的掺杂方案,本工作中提供了一种较低的介电损耗,在室温附近具有较宽的操作温度区间,且在低场下拥有优良的电卡响应的锰、锶、锆离子掺杂钛酸钡基陶瓷体系。并在（Ba0.6Sr0.4）（Mn0.001Ti0.995）O3陶瓷样品中,施加50 kV/cm的外加电场激励下,获得高达2.75 K的电卡响应;四、多层陶瓷结构由于去所具有的高耐击穿电场强度、优异的传导热和高温稳定等热学特性、良好设计灵活性等特点,使其在微电子器件均热散热场景下具有独一无二的优秀前景,然而其在商用电卡制冷器件中的设计应用及推广仍待进一步的发展。在此部分工作中,将集中解决开发多层陶瓷结构的基础工作,包括流延法制备陶瓷厚膜工艺的优化以及贱金属内电极多层陶瓷器件所需要面对的气氛烧结问题,并通过进一步的多层工艺初步得到10层Ba0.7Sr0.3TiO3陶瓷结构初期样品,并在电卡效应测试中耐电场强度最高为30MV/m（1500V）时,获得电卡响应为△T=2.49K。
王蝶[9]（2020）在《MOS器件堆栈栅结构设计、界面及电学性能优化》文中提出随着芯片的不断微型化,集成度不断提高,互补型金属氧化物半导体场效应晶体管（CMOSFET）器件已经发展到纳米级,其发展规律一直遵循着集成电路摩尔定律。传统的栅介质SiO2层厚度被不断降低到原子级,量子隧穿效应增强,导致漏电流呈指数增加,器件已不能正常工作。采用新型高介电常数（high-k）材料替代传统SiO2成为一种必然。High-k材料的引入可增加栅介质薄膜的物理厚度,同时在保证电路性能不断提升的前提下降低栅漏电流。众多的high-k材料中,以HfO2为代表的铪基高k栅电介质材料因其较高的介电常数、较宽的带隙、优良的界面和电学特性,近几十年来广受关注,特别是稀土元素掺杂的铪基栅介质（如HfLaOx,HfDyOx,HfGdOx,HfYbOx）更能弥补单一HfO2存在的一些缺陷,提高器件性能。然而铪基栅介质材料的引入导致载流子迁移率降低和低k界面层生成等问题,所以选用新型高迁移率半导体材料（如Ge和III-V族化合物）替代Si成为优化电路性能的又一必要手段。在综合了铪基高k栅介质与新型沟道材料的研究中,引入界面层结构能够抑制因栅介质和沟道层之间的晶格匹配问题导致的界面质量下降,从而进一步提升器件性能。本论文选用稀土元素Dy掺杂HfO2（HfDyOx）为high-k栅介质研究对象,研究了掺杂浓度及退火温度对器件界面和电学特性的影响;通过在Si衬底上原子层沉积（Atomic layered Position,ALD）界面层优化器件结构;通过构建新型堆栈栅介质探究其对Ge-MOS器件界面质量和电学性能的影响。具体的研究内容和结果如下:（1）系统研究了退火温度对溅射构筑的Dy2O3/Si MOS电容器的微结构、界面化学及电学性能的影响。结果表明:退火后的Dy2O3薄膜呈立方相晶体结构,并且随着退火温度的升高,薄膜的结晶度不断提高且薄膜致密度增强。退火温度为600℃的薄膜中Dy-O含量增加且硅酸盐含量最低器件界面质量最佳,而700℃退火的Dy2O3薄膜硅酸盐含量突增导致界面质量降低。电学分析测试发现600℃退火的MOS器件具有最小的等效氧化层厚度（EOT）、最大的k值和最小的漏电流密度等优化电学特性。所有的测试表明:合适的的退火温度即能促进薄膜中氧的自扩散又不至于增加界面间的相互扩散,从而能优化器件界面、增强器件性能。（2）系统研究了ALD HfO2,Al2O3不同钝化层对HfDyOx/Si MOS电容的界面化学和电学特性的影响。实验结果表明:相比ALD Al2O3,ALD HfO2钝化层更能有效抑制HfDyOx/Si界面间扩散,提高导带偏移值,降低漏电流。未经钝化层处理的器件C-V电容特性差,钝化层处理后的器件优化,表现出更小的平带电压和迟滞。漏流传导机制分析表明,低场下由肖特基发射主导,中高场则由P-F发射和F-N隧穿起作用。由于肖特基发射、P-F发射与环境温度有关,则低温下主要是F-N隧穿起作用。分析结果均表明HfO2钝化层能有效调控HfDyOx/Si界面,提高器件性能减低功耗,是促进Hf基栅介质投入生产和应用的有效方法。（3）系统探究了掺杂浓度和退火温度对TMA钝化的HfDyOx/Ge堆栈结构界面及电学性能的影响。实验结果表明:HfDyOx栅介质薄膜结晶度随Dy掺杂浓度的提高持续下降,随退火温度的升高不断上升。10 W的溅射功率,HfDyOx/Ge器件界面不稳定低价Ge氧化物含量最低;15 W的溅射功率,HfDyOx/Ge界面锗酸盐含量的显着增加且锗单质含量的减少;表明过高的掺杂浓度会促进HfDyOx/Ge界面间相互扩散和Ge的再扩散。退火分析表明:未退火处理的HfDyOx栅介质薄膜（10 W）具有最佳的电容特性和最小的漏流密度;高温虽在一定程度上增加了薄膜致密度,但同时也促进了界面间的氧扩散导致大量不稳定氧化物生成,从而降低了器件界面质量和电学性能。（4）基于ALD技术沉积了HfO2,Al2O3堆栈栅介质,探究了不同沉积次序对Ge-MOS界面质量及电学特性的影响。实验结果表明:相比于HfO2/Al2O3/Ge双层结构,三层结构的栅介质引入了大量氧空位和陷阱电荷导致界面及电学性能下降。HfO2/Al2O3/Ge堆栈结构器件性能最佳,主要是由于ALD Al2O3在Ge基底表面,沉积过程中发生Al替代Ge与O结合,消耗衬底本征氧化物;另一方面由于Al2O3高的热稳定性会阻碍Al2O3/Ge界面间的相互扩散,优化了界面,提高了器件性能。
吴凯卓[10]（2011）在《玻璃介质掺杂钛酸锶钡陶瓷的制备与性能研究》文中提出钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3，简称BST)是一类重要的电子陶瓷材料，属于非线性介电陶瓷，具有单一的钙钛矿型结构，它是由钛酸钡（BaTiO3）和钛酸锶（SrTiO3）形成的完全固熔体，兼具BaTiO3的高介电常数与SrTiO3的低损耗性和结构稳定的特点。通过改变材料的Ba/Sr比可以在相对较宽的范围内调整介电常数和居里温度，并且在一定程度上保证材料具有较好的介电常数-温度稳定性，因此，该材料在微波传输、信号处理、数据存储等领域具有引人瞩目的发展潜力和优势。本文以醋酸钡、醋酸锶、钛酸四丁酯为原料，以醋酸镝、硼酸三正丁酯、正硅酸乙酯为添加剂，采用溶胶-凝胶法制备了纯Ba0.6Sr0.4TiO3粉体及Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3粉体，并分别在不同温度下烧结成瓷。利用X射线衍射仪、激光粒度分析仪，微机差热仪对纯Ba0.6Sr0.4TiO3粉体及Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3粉体的物相组成、颗粒粒度、煅烧过程中的化学反应及能量变化进行了分析，利用扫描电子显微镜、自动元件分析仪等对纯Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷及Dy-B-Si-O系玻璃介质掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的微观结构和介电性能进行了分析。研究结果表明：纯Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷的主晶相为钙钛矿结构，当Dy-B-Si-O系玻璃介质中B2O3-SiO2组分适量时，BST陶瓷形成钙钛矿主晶相，当B2O3-SiO2组分过量时，出现Ba2TiSi2O8第二相，且第二相随着B2O3-SiO2组分含量的增加而增加；添加Dy-B-Si-O系玻璃介质的BST陶瓷干凝胶的最佳煅烧温度为700℃，最佳烧结温度为1100℃，比纯BST陶瓷的煅烧温度与烧结温度分别降低了约100℃和150℃；Dy-B-Si-O系玻璃介质的掺杂提高了BST陶瓷的致密度、减小了陶瓷的颗粒粒度；随着Dy-B-Si-O系玻璃介质中Dy2O3组分含量的增加，介电常数增大，介电损耗先增大后减小；随着Dy-B-Si-O系玻璃介质中B2O3-SiO2组分含量的增加，BST陶瓷的介电常数呈先增大后减小的趋势，介电损耗先减小后增大，居里温度先向低温后向高温方向移动。
二、Dielectric Properties at High Frequency of BSTO System Doped Dy_2O_3（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Dielectric Properties at High Frequency of BSTO System Doped Dy_2O_3（论文提纲范文）
（1）密实的多稀土掺杂钙钛矿型电子陶瓷的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 前言 |
| 1.2 钙钛矿的结构 |
| 1.2.1 ACeO_3基钙钛矿 |
| 1.2.2 BaTiO_3基钙钛矿 |
| 1.3 陶瓷材料的介电性能 |
| 1.4 介质陶瓷分类 |
| 1.5 本课题研究内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 实验原料以及仪器设备 |
| 2.2 制备具体流程 |
| 2.3 表征手段 |
| 第3章 (Ba_(3-x)Sr_x)(Tb_(3-x)Ce_x)O_9致密陶瓷的价态变化和缺陷化学 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 合成 |
| 3.2.2 表征手段 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 结构测定 |
| 3.3.2 微结构以及单相性的证据 |
| 3.3.3 电学性质 |
| 3.3.4 EPR探索 |
| 3.3.5 XPS探索 |
| 3.3.6 BSTC的结构、Tb/Ce的价态以及缺陷化学的讨论 |
| 3.4 小结 |
| 第4章 (Ba_(1-x)Tb_x)(Ti_(1-5x/4)Ce_x)O_3陶瓷的固溶度 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 合成 |
| 4.2.2 表征手段 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 (Ba_(1-x)Tb_x)(Ti_(0.96-x)Tb_xCe_(0.04))O_3陶瓷的介电性质和缺陷化学研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 合成 |
| 5.2.2 表征手段 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 XRD测试结果 |
| 5.3.2 RS测试结果 |
| 5.3.3 DTC测试结果 |
| 5.3.4 EPR测试结果 |
| 5.3.5 SEM测试结果 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 (Ba_(1-x)Dy_x)(Ti_(1-5x/4)Ce_(x/3)Tb_(2x/3))O_3陶瓷的介电性质研究 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 合成 |
| 6.2.2 表征手段 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.3.1 XRD测试结果 |
| 6.3.2 RS测试结果 |
| 6.3.3 DTC测试结果 |
| 6.3.4 EPR测试结果 |
| 6.3.5 SEM测试结果 |
| 6.4 小结 |
| 第7章 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（2）Na0.5Bi0.5TiO3-CaTiO3基无铅陶瓷介电储能性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电介质陶瓷材料分类以及研究现状 |
| 1.3 本文研究内容及意义 |
| 第2章 实验 |
| 2.1 实验原料、设备及样品制备 |
| 2.2 样品结构性能表征 |
| 2.3 电学性能测试 |
| 第3章 (1-x)NBT-xCT陶瓷的结构及其介电储能性能的研究 |
| 3.1 (1-x)NBT-xCT的结构与微观形貌表征 |
| 3.2 (1-x)NBT-xCT的介电与储能性能 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 Mg~(2+)、Zn~(2+)通过B位掺杂NBCT陶瓷的介电储能性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Mg~(2+)掺杂NBCT的介电储能性能 |
| 4.3 Zn~(2+)掺杂NBCT的介电储能性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 Ce~(4+)、Sn~(4+)通过B位掺杂NBCT陶瓷的介电储能性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ce~(4+)掺杂NBCT的介电储能性能 |
| 5.3 Sn~(2+)掺杂NBCT的介电储能性能 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 Dy~(3+)通过A位掺杂NBCT陶瓷的介电储能性能研究及性能对比 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 Dy~(3+)掺杂NBCT的介电储能性能 |
| 6.3 La~(3+)掺杂NBCT陶瓷与NBCT-5Dy样品的性能对比 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 制备工艺对储能性能的影响 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 NBCT-5Dy陶瓷的介电储能性能 |
| 7.3 NBCT-1Sn陶瓷的介电储能性能 |
| 7.4 本章小结 |
| 第8章 结论与展望 |
| 8.1 结论 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间研究成果 |
（3）镁铝硅系微晶玻璃的掺杂改性及机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电子封装技术与材料 |
| 1.3 LTCC技术与基板材料 |
| 1.4 镁铝硅微晶玻璃体系的研究进展 |
| 1.4.1 基础组分对镁铝硅微晶玻璃体系的影响 |
| 1.4.2 晶核剂对镁铝硅微晶玻璃体系的影响 |
| 1.4.3 改性剂对镁铝硅微晶玻璃体系的影响 |
| 1.4.4 镁铝硅微晶玻璃的制备方法 |
| 1.5 研究意义及内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 镁铝硅微晶玻璃样品的制备与测试 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.1.1 原料与设备 |
| 2.1.2 工艺流程 |
| 2.2 分析测试 |
| 第三章 镁铝硅微晶玻璃的稀土掺杂研究 |
| 3.1 Y_2O_3掺杂镁铝硅微晶玻璃的研究 |
| 3.1.1 样品制备 |
| 3.1.2 结果分析 |
| 3.1.3 小结 |
| 3.2 Sm_2O_3掺杂镁铝硅微晶玻璃的研究 |
| 3.2.1 样品制备 |
| 3.2.2 结果分析 |
| 3.2.3 小结 |
| 3.3 Dy_2O_3掺杂镁铝硅微晶玻璃的研究 |
| 3.3.1 样品制备 |
| 3.3.2 结果分析 |
| 3.3.3 小结 |
| 3.4 Lu_2O_3掺杂镁铝硅微晶玻璃的研究 |
| 3.4.1 样品制备 |
| 3.4.2 结果分析 |
| 3.4.3 小结 |
| 第四章 镁铝硅微晶玻璃烧结动力学的研究 |
| 4.1 烧结动力学模型介绍 |
| 4.2 不同Y_2O_3含量掺杂样品烧结活化能的计算分析 |
| 4.3 不同Sm_2O_3含量掺杂样品烧结活化能的计算分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 镁铝硅微晶玻璃析晶动力学的研究 |
| 5.1 析晶动力学介绍 |
| 5.1.1 析晶活化能的计算模型介绍 |
| 5.1.2 玻璃稳固度的计算模型介绍 |
| 5.2 不同Y_2O_3含量掺杂样品析晶动力学的研究 |
| 5.2.1 析晶活化能的计算分析 |
| 5.2.2 玻璃稳固度的计算分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得成果 |
（4）溶液法制备氧化物薄膜晶体管及在逻辑器件中的应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展历程 |
| 1.3 薄膜晶体管的电学参数 |
| 1.4 论文的研究思路及结构安排 |
| 第二章 实验方法及表征手段 |
| 2.1 溶液凝胶法制备TFT器件步骤 |
| 2.2 TFT器件电学测试方法 |
| 2.3 薄膜性能的表征 |
| 2.3.1 薄膜光学性能的表征 |
| 2.3.2 薄膜热重性能的表征 |
| 2.3.3 薄膜结晶性能的表征 |
| 2.3.4 薄膜化学局域态的表征 |
| 2.3.5 薄膜表面的表征方法 |
| 2.3.6 薄膜润湿性能的表征 |
| 第三章 基于氧化镝介电层构筑的高性能铟基TFT及在逻辑器件中的应用 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 基于D_yO_x介电层的氧化铟薄膜晶体管研究 |
| 3.2.1 氧化铟薄膜晶体管的制备 |
| 3.2.2 基于SiO_2介电层的氧化铟薄膜晶体管的电学性能 |
| 3.2.3 退火温度对D_yO_x薄膜结构的影响 |
| 3.2.4 基于D_yO_x介电层的氧化铟薄膜晶体管的电学性能 |
| 3.3 基于D_yO_x介电层的高性能氧化铟锌薄膜晶体管研究 |
| 3.3.1 氧化铟锌薄膜晶体管的制备 |
| 3.3.2 退火温度对氧化铟锌薄膜结构和性能的影响 |
| 3.3.3 退火温度和时效时间对氧化铟锌薄膜晶体管电学性能的影响 |
| 3.3.4 高性能氧化铟锌薄膜晶体管在逻辑电路中的应用 |
| 3.3.5 偏压和辐照条件对氧化铟锌薄膜晶体管界面稳定性影响及能带分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于氧化镝介电层构筑的氧化锌锡TFT及在逻辑器件中的应用 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 基于SiO_2 介电层构筑氧化锌锡TFT的研究 |
| 4.2.1 氧化锌锡薄膜晶体管的制备 |
| 4.2.2 退火温度对氧化锌锡薄膜结构的影响 |
| 4.2.3 退火温度对氧化锌锡薄膜晶体管电学性能的影响 |
| 4.2.4 锌锡掺杂比例对氧化锌锡薄膜结构的影响 |
| 4.2.5 锌锡掺杂比例对氧化锌锡薄膜晶体管电学性能的影响 |
| 4.3 基于D_yO_x绝缘层的氧化锌锡薄膜晶体管结构和性能的研究 |
| 4.3.1 基于D_yO_x绝缘层的氧化锌锡薄膜晶体管的制备 |
| 4.3.2 退火温度对D_yO_x薄膜结构和性能的影响 |
| 4.3.3 退火温度和时效扩散模型对ZTO/DyO_x薄膜晶体管性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于氧化镱介电层构筑的氧化锌锡TFT及在逻辑器件中的应用 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 基于Yb_2O_3的氧化锌锡薄膜晶体管的制备及性能的研究 |
| 5.2.1 基于Yb_2O_3的氧化锌锡薄膜晶体管的制备 |
| 5.2.2 退火温度对Yb_2O_3薄膜性能和结构的影响 |
| 5.2.3 退火温度对Yb_2O_3基TFT器件电学性能的影响及驼峰现象的能带分析 |
| 5.2.4 时效时间对Yb_2O_3基TFT器件电学性能的影响及能带分析 |
| 5.2.5 电场滞后效应对Yb_2O_3 基的TFT器件偏压稳定性的影响及能带分析 |
| 5.2.6 氧化锌锡薄膜晶体管在逻辑电路中的应用 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 基于稀土元素掺杂的环境友好型锆基水溶液TFT的研究 |
| 6.1 研究背景 |
| 6.2 基于稀土元素掺杂的Zr基水溶液薄膜性能的研究 |
| 6.2.1 基于稀土元素掺杂的Zr基水溶液薄膜的制备 |
| 6.2.2 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x前驱体的润湿性能和热分解性质比较研究 |
| 6.2.3 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x薄膜透射性能和结晶性能的比较研究 |
| 6.2.4 不同Gd_2O_3掺杂量对晶体结构特点的影响 |
| 6.2.5 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x薄膜的化学局域态比较研究 |
| 6.3 基于稀土元素掺杂的Zr基水溶液薄膜晶体管TFT电学性能的研究 |
| 6.3.1 退火温度和溶剂对WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x TFT器件电学性能的影响 |
| 6.3.2 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x TFT器件偏压稳定性比较研究 |
| 6.3.3 WI-ZrO_2和WI-ZrGdO_x TFT在逻辑器件应用中的比较研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（5）Ba0.8Sr0.2TiO3 铁电陶瓷的磁性诱导与磁电特性研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁性材料简述 |
| 1.1.1 铁电材料 |
| 1.1.2 铁磁材料 |
| 1.1.3 多铁性材料与磁电耦合效应 |
| 1.1.4 磁介电效应 |
| 1.2 (Ba,Sr)TiO_3 基材料概述 |
| 1.2.1 (Ba,Sr)TiO_3 的晶体结构 |
| 1.2.2 (Ba,Sr)TiO_3 的性能调控 |
| 1.2.3 (Ba,Sr)TiO_3 的多铁性诱导 |
| 1.3 本论文的研究目的、意义和内容安排 |
| 1.3.1 研究目的和意义 |
| 1.3.2 研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 样品制备及表征方法 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.1.1 样品制备方法 |
| 2.1.2 (Ba,Sr)Ti O_3基陶瓷样品的制备 |
| 2.2 实验方法及测量原理 |
| 2.2.1 样品的微观结构及形貌表征 |
| 2.2.2 电学性质测量 |
| 2.2.3 磁学性质测量 |
| 2.3 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 Fe掺杂Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3陶瓷的磁电特性 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 样品制备与测试 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 微观结构表征 |
| 3.3.2 铁电性能 |
| 3.3.3 介电性能 |
| 3.3.4 磁学性能 |
| 3.3.5 磁介电特性 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 Dy掺杂Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3陶瓷的磁电特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 样品制备与测试 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 微观结构表征 |
| 4.3.2 铁电性能 |
| 4.3.3 介电性能 |
| 4.3.4 磁学性能 |
| 4.3.5 磁介电特性 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 工作总结和展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 硕士期间发表的论文 |
| 致谢 |
（6）BaTiO3基X9R型多层陶瓷电容器介电材料的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.2 MLCC的分类及发展趋势 |
| 1.2.1 MLCC的分类 |
| 1.2.2 MLCC的发展趋势 |
| 1.3 钛酸钡电介质陶瓷的晶体结构及掺杂改性 |
| 1.3.1 钛酸钡的晶体结构 |
| 1.3.2 钛酸钡陶瓷的掺杂改性 |
| 1.4 钛酸钡基陶瓷的“芯-壳”结构 |
| 1.5 钛酸钡的铁电性 |
| 1.6 钛酸铋钠的晶体结构 |
| 1.7 本论文主要研究内容 |
| 第2章 实验主要流程与测试方法 |
| 2.1 BT基陶瓷材料的制备流程 |
| 2.2 介质陶瓷材料的分析与性能测试 |
| 2.2.1 介电性能测试 |
| 2.2.2 材料的微观结构表征 |
| 第3章 固相法制备高温稳定型介质陶瓷 |
| 3.1 纳米级(Bi_(0.5)Na_(0.5))TiO_3粉体的制备 |
| 3.1.1 实验流程 |
| 3.1.2 煅烧温度对合成BNT的影响 |
| 3.2 高居里点BT基陶瓷粉体的研制 |
| 3.3 BNT掺杂量对固溶体性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 X9R型MLCC介质材料的研制 |
| 4.1 Nb_2O_5掺杂0.9BT-0.1BNT陶瓷的研究 |
| 4.1.1 实验流程 |
| 4.1.2 Nb_2O_5掺杂对0.9BT-0.1BNT陶瓷微观结构的影响 |
| 4.1.3 Nb_2O_5掺杂对陶瓷介电性能的影响 |
| 4.2 Dy_2O_3掺杂0.9BT-0.1BNT陶瓷的研究 |
| 4.2.1 Dy_2O_3掺杂对0.9BT-0.1BTN陶瓷的介电性能影响 |
| 4.2.2 Dy_2O_3掺杂对陶瓷微观结构的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 Mg掺杂X9R基陶瓷介质材料性能的研究 |
| 5.1 MgO掺杂X9R基陶瓷 |
| 5.1.1 实验流程 |
| 5.1.2 掺MgO对陶瓷微观结构和形貌的影响 |
| 5.1.3 MgO掺杂对陶瓷介电性能的影响 |
| 5.1.4 烧结温度对掺MgO的BT-BNT-Nb陶瓷的影响 |
| 5.2 MgCO_3掺杂X9R基陶瓷的研究 |
| 5.2.1 MgCO_3掺杂对陶瓷微观结构和形貌的影响 |
| 5.2.2 MgCO_3掺杂对陶瓷微观结构的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 稀土元素掺杂X9R基陶瓷的研究 |
| 6.1 Dy_2O_3对X9R基陶瓷性能的影响 |
| 6.1.1 实验流程 |
| 6.1.2 Dy_2O_3对陶瓷微观结构和形貌的影响 |
| 6.1.3 Dy_2O_3对陶瓷介电性能的影响 |
| 6.2 Ho_2O_3对X9R基陶瓷性能的影响 |
| 6.2.1 Ho_2O_3对陶瓷微观结构和形貌的影响 |
| 6.2.2 Ho_2O_3掺杂对陶瓷介电性能的影响 |
| 6.3 稀土元素双掺X9R基陶瓷的性能研究 |
| 6.3.1 稀土元素双掺杂陶瓷的介温特性及微观形貌影响 |
| 6.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 |
| 致谢 |
（7）R/Ca（R=Tb，Ho）和Pr/Ce共掺杂BaTiO3陶瓷介电性质和缺陷化学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 钛酸钡陶瓷发展史 |
| 1.2 钛酸钡陶瓷的介电特性 |
| 1.2.1 介电常数 |
| 1.2.2 介电损耗 |
| 1.2.3 介电特性评价指标 |
| 1.3 钛酸钡陶瓷的应用 |
| 1.4 本课题研究背景 |
| 1.5 本课题研究内容 |
| 第2章 实验 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.3 介电陶瓷制备 |
| 2.4 陶瓷性能表征 |
| 第3章 Ho在 BaTiO_3陶瓷中的自补偿模式及异常居里温度移动 |
| 3.1 前言 |
| 3.2实验 |
| 3.3 结果 |
| 3.4 讨论 |
| 3.5 小结 |
| 第4章 烧结条件对Tb掺杂BaTiO_3陶瓷结构和介电性质的影响 |
| 4.1 前言 |
| 4.2实验 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 晶体结构和相对密度在 |
| 4.3.2 介电性 |
| 4.3.3 电子顺磁共振和点缺陷 |
| 4.4 小结 |
| 第5章 具有扩散相变的细晶粒(Ba_(1–x)Pr_x)(Ti_(1–y–x/4)Cey)O_3高介电陶瓷 |
| 5.1 前言 |
| 5.2实验 |
| 5.2.1 材料 |
| 5.2.2 表征 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 纯度与晶体结构 |
| 5.3.2 微观结构 |
| 5.3.3 拉曼光谱 |
| 5.3.4 介电性能与温度的关系 |
| 5.3.5 EPR调查 |
| 5.3.6 缺陷化学 |
| 5.3.7 (Ba_(1-x)RE_x)(Ti-(1-y-x/4)Cey)O_3(RE= La,Pr,Nd,Sm)陶瓷的结构、微结构和介电性能比较 |
| 5.4 小结 |
| 第6章 (Ba_(1–x)Tbx)(Ti_(1–x)/2Ca_(x/2))O_3陶瓷的价态和介电性质 |
| 6.1 前言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 样品制备 |
| 6.2.2 表征 |
| 6.3 结果 |
| 6.3.1 晶体结构和固溶度 |
| 6.3.2 组分均匀的微观结构 |
| 6.3.3 介电热行为中的X5R和 X4P稳定性 |
| 6.3.4 Tb~(4+)的EPR证据和空位缺陷,以及A位 Ca~(2+)的间接证据 |
| 6.3.5 Tb~(3+)/Tb~(4+)混合价态的XPS证据 |
| 6.4 讨论 |
| 6.4.1 BTTC的缺陷化学和低介电损耗 |
| 6.4.2 与现有研究成果相比BTTC在介电领域的研究进展 |
| 6.5 小结 |
| 第7章 (Ba1–xHox)(Ti_(1–x/2)Ca_(x/2))O_3陶瓷的介电性质和缺陷化学研究 |
| 7.1 简介 |
| 7.2实验 |
| 7.2.1 样品制备 |
| 7.2.2 表征 |
| 7.3 结果与讨论 |
| 7.3.1 晶体结构和固溶度 |
| 7.3.2 微观结构 |
| 7.3.3 光致发光与拉曼光谱 |
| 7.3.4 EPR调查 |
| 7.3.5 介电性能与温度的关系 |
| 7.3.6 位占据和缺陷化学分析 |
| 7.4 小结 |
| 第8章 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简介及在学期间取得的科研成果 |
| 致谢 |
（8）钛酸钡基无铅多层陶瓷的制备、结构和大电卡效应的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 研究背景及意义 |
| 1.1 家用制冷 |
| 1.2 小尺寸芯片制冷 |
| 1.3 新型制冷技术 |
| 1.3.1 半导体制冷 |
| 1.3.2 电卡效应制冷 |
| 第二章 课题简介 |
| 2.1 电卡效应(Electrocaloric effect,ECE) |
| 2.2 电卡效应麦克斯韦关系及朗道理论(Maxwell relationship and Landau-Devonshire phenomenological theory) |
| 2.3 铁电体材料 |
| 2.4 驰豫型铁电体材料 |
| 2.5 反铁电体材料 |
| 2.6 电卡材料研究进展 |
| 2.7 BTO陶瓷材料 |
| 2.8 多层陶瓷结构电卡材料 |
| 第三章 实验过程 |
| 3.1 陶瓷烧结 |
| 3.2 流延法 |
| 3.3 多层工艺 |
| 第四章 锆离子掺杂钛酸钡基陶瓷电卡效应的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 结构与性能分析 |
| 4.3.1 BaZr_xTi_(1-x)O_3块体陶瓷晶体结构与微观形貌 |
| 4.3.2 BaZr_xTi_(1-x)O_3块体陶瓷介电性能 |
| 4.3.3 BaZr_xTi_(1-x)O_3块体陶瓷极化响应表征 |
| 4.3.4 BaZr_xTi_(1-x)O_3块体陶瓷的电卡效应 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 锶离子掺杂锆钛酸钡陶瓷的电卡效应研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.3 结构与性能分析 |
| 5.3.1 (Ba_xSr_(1-x))(ZryTi_(1-y))O_3块体陶瓷晶体结构与微观形貌 |
| 5.3.2 (Ba_xSr_(1-x))(ZryTi_(1-y))O_3快体陶瓷介电性能 |
| 5.3.3 (Ba_xSr_(1-x))(ZryTi_(1-y))O_3块体陶瓷极化响应表征 |
| 5.3.4 (Ba_xSr_(1-x))(ZryTi_(1-y))O_3块体陶瓷的电卡效应 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 锰离子掺杂钛酸钡陶瓷的电卡效应研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验方法 |
| 6.3 结构与性能分析 |
| 6.3.1 Ba(Zr_xMn_yTi_(1-x-y))O_3以及(Ba_aSr_(1-a))(Mn_bTi_(1-b))O_3块体陶瓷晶体结构与微观形貌 |
| 6.3.2 Ba(Zr_xMn_yTi_(1-x-y))O_3以及(Ba_aSr_(1-a))(Mn_bTi_(1-b))O_3块体陶瓷介电性能 |
| 6.3.3 Ba(Zr_xMn_yTi_(1-x-y))O_3以及(Ba_aSr_(1-a))(Mn_bTi_(1-b))O_3块体陶瓷极化响应表征 |
| 6.3.4 Ba(Zr_xMn_yTi_(1-x-y))O_3以及(Ba_aSr_(1-a))(Mn_bTi_(1-b))O_3块体陶瓷的电卡效应 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 钛酸钡基多层陶瓷结构(Multilayers Ceramic Structure)电卡效应研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 BaZr_xTi_(1-x)O_3陶瓷厚膜制备及其电卡效应研究 |
| 7.2.1 实验方法 |
| 7.2.3 结构和性能分析 |
| 7.3 铁电体陶瓷(Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3)还原性气氛烧结对电卡效应的影响 |
| 7.3.1 实验方法 |
| 7.3.2 结构和性能分析 |
| 7.3.3 Ba_(0.7)Sr_(0.3)TiO_3多层陶瓷结构电卡效应研究 |
| 7.4 本章小结 |
| 总结和展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的成果 |
| 致谢 |
（9）MOS器件堆栈栅结构设计、界面及电学性能优化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 集成电路面临的挑战 |
| 1.3 高k栅介质 |
| 1.3.1 等效氧化层厚度 |
| 1.3.2 高k栅介质材料的选择要求 |
| 1.3.3 Hf基高k栅介质 |
| 1.4 高迁移率衬底材料 |
| 1.5 论文的研究内容 |
| 第二章 实验原理及制备表征技术 |
| 2.1 薄膜制备 |
| 2.1.1 磁控溅射法 |
| 2.1.2 原子层沉积法 |
| 2.1.3 快速热退火技术 |
| 2.2 薄膜表征技术 |
| 2.2.1 椭圆偏振仪 |
| 2.2.2 紫外可见光谱仪 |
| 2.2.3 X射线衍射 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱 |
| 2.2.5 半导体测试仪 |
| 2.2.6 电容-电压特性 |
| 2.2.7 电流-电压特性 |
| 第三章 退火温度对Dy_2O_3/Si电容器界面及电学特性的影响 |
| 3.1 样品的制备 |
| 3.1.1 基片清洗 |
| 3.1.2 薄膜制备 |
| 3.2 结果与讨论 |
| 3.2.1 Dy_2O_3 栅介质薄膜的微结构表征 |
| 3.2.2 Dy_2O_3 栅介质薄膜的光学特性分析 |
| 3.2.3 Dy_2O_3 栅介质薄膜界面分析 |
| 3.2.4 Dy_2O_3 栅介质薄膜能带结构分析 |
| 3.2.5 MOS器件电学特性分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 HfO_2/Al_2O_3 界面层对Hf D_yO_x/Si叠层栅的界面和电学特性调控 |
| 4.1 样品的制备 |
| 4.1.1 基片清洗 |
| 4.1.2 薄膜制备 |
| 4.2 HfD_yO_x/Si界面分析 |
| 4.3 HfD_yO_x/Si叠层栅带偏分析 |
| 4.4 MOS结构的电学特性分析 |
| 4.4.1 C-V,I-V特性分析 |
| 4.4.2 室温漏流机制分析 |
| 4.4.3 低温漏流机制分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 掺杂和热处理优化TMA钝化的HfD_yO_x/Ge堆栈结构界面和电学性能 |
| 5.1 样品的制备 |
| 5.1.1 基片清洗 |
| 5.1.2 薄膜制备 |
| 5.2 Hf D_yO_x薄膜的物性分析 |
| 5.2.1 HfD_yO_x薄膜的微结构分析 |
| 5.2.2 HfD_yO_x/Ge叠层栅界面分析 |
| 5.2.3 HfD_yO_x/Ge叠层栅的带偏分析 |
| 5.3 MOS器件电学特性分析 |
| 5.3.1 C-V,I-V特性分析 |
| 5.3.2 漏流机理分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 堆栈栅结构对Ge-MOS器件界面及电学性能的影响 |
| 6.1 样品的制备 |
| 6.1.1 基片清洗 |
| 6.1.2 薄膜制备 |
| 6.2 结果与讨论 |
| 6.2.1 叠层栅界面化学分析 |
| 6.2.2 MOS器件电学特性分析 |
| 6.2.3 漏流机制分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 论文总结 |
| 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
（10）玻璃介质掺杂钛酸锶钡陶瓷的制备与性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 引言 |
| 第二章 文献综述 |
| 2.1 BST 陶瓷的结构与性能 |
| 2.1.1 BST 材料的晶体结构 |
| 2.1.2 BST 材料的性能 |
| 2.1.2.1 BST 材料的电场特性 |
| 2.1.2.2 BST 材料的频率特性 |
| 2.1.2.3 BST 材料的晶粒尺度效应 |
| 2.2 BST 陶瓷粉体的制备方法 |
| 2.2.1 溶胶-凝胶法 |
| 2.2.1.1 溶胶-凝胶法基本原理 |
| 2.2.1.2 溶胶形成方法 |
| 2.2.1.3 凝胶形成方法 |
| 2.2.1.4 溶胶-凝胶法的优点 |
| 2.2.1.5 溶胶-凝胶法的缺点 |
| 2.2.1.6 溶胶-凝胶法在 BST 陶瓷制备中的应用 |
| 2.2.2 固相法 |
| 2.2.3 水热合成法 |
| 2.2.4 化学沉淀法 |
| 2.2.4.1 直接沉淀法 |
| 2.2.4.2 共沉淀法 |
| 2.3 BST 材料的掺杂改性研究 |
| 2.3.1 BST 材料的掺杂取代机理 |
| 2.3.2 BST 材料的掺杂类型 |
| 2.3.2.1 等价取代掺杂 |
| 2.3.2.2 不等价取代掺杂 |
| 2.3.3 掺杂工艺对 BST 材料性能的影响 |
| 2.3.4 稀土元素对 BST 材料的掺杂改性研究 |
| 2.3.5 玻璃介质对 BST 材料的掺杂改性研究 |
| 2.3.6 氧化物对 BST 材料的掺杂改性研究 |
| 2.4 BST 材料的应用 |
| 2.4.1 BST 材料在 DRAMs 中的应用 |
| 2.4.2 BST 材料在热释电红外探测器中的应用 |
| 2.4.3 BST 材料在铁电微波移相器中的应用 |
| 2.4.4 BST 材料在其它领域中的应用 |
| 第三章 实验过程与测试 |
| 3.1 实验仪器及药品 |
| 3.1.1 实验仪器 |
| 3.1.2 实验药品 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.2.1 溶胶-凝胶法制备陶瓷样品 |
| 3.2.1.1 Ba-Sr-Ti 前躯体溶液的制备 |
| 3.2.1.2 Dy-B-Si-O 系玻璃介质掺杂 Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷的制备 |
| 3.2.1.3 陶瓷样品的制备 |
| 3.2.2 BST 陶瓷样品测试前预处理 |
| 3.3 实验测试 |
| 3.3.1 BST 陶瓷物相、形貌及电学性能表征 |
| 3.3.2 粉体颗粒粒度的测定 |
| 3.3.3 真密度的测定 |
| 第四章 结果与讨论 |
| 4.1 BST 粉体的研究 |
| 4.1.1 BST 粉体干凝胶的差热分析 |
| 4.1.1.1 纯 BST 粉体干凝胶的差热分析 |
| 4.1.1.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 粉体干凝胶的差热分析 |
| 4.1.2 BST 粉体干凝胶的 XRD 分析 |
| 4.1.2.1 纯 BST 粉体干凝胶的 XRD 分析 |
| 4.1.2.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 陶瓷干凝胶的 XRD 分析 |
| 4.1.3 BST 粉体的煅烧温度升温制度曲线 |
| 4.1.4 BST 粉体颗粒粒度的分析 |
| 4.1.4.1 纯 BST 粉体颗粒粒度的分析 |
| 4.1.4.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 陶瓷粉体粒度的分析 |
| 4.2 BST 陶瓷的研究 |
| 4.2.1 BST 陶瓷烧结温度的分析 |
| 4.2.1.1 纯 BST 陶瓷烧结温度的分析 |
| 4.2.1.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 陶瓷烧结温度的研究 |
| 4.2.1.3 纯 BST 陶瓷与玻璃介质掺杂 BST 陶瓷烧结温度的对比 |
| 4.2.2 BST 陶瓷物相结构的分析 |
| 4.2.2.1 纯 BST 陶瓷物相结构的分析 |
| 4.2.2.2 B_2O_3-SiO_2组分变化的 BST 陶瓷物相结构的分析 |
| 4.2.3 BST 陶瓷微观结构的分析 |
| 4.2.3.1 纯 BST 陶瓷微观结构的分析 |
| 4.2.3.2 Dy_2O_3组分变化的 BST 陶瓷微观结构的分析 |
| 4.2.3.3 B_2O_3-SiO_2组分变化的 BST 陶瓷微观结构的分析 |
| 4.3 BST 陶瓷介电性能的分析 |
| 4.3.1 Dy_2O_3组分变化掺杂的 BST 陶瓷介电性能的研究 |
| 4.3.2 B_2O_3-SiO_2组分变化的 BST 陶瓷的介电性能的研究 |
| 第五章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 攻读硕士期间公开发表的论文 |
四、Dielectric Properties at High Frequency of BSTO System Doped Dy_2O_3（论文参考文献）
- [1]密实的多稀土掺杂钙钛矿型电子陶瓷的研究[D]. 苏雅丽. 吉林大学, 2021(01)
- [2]Na0.5Bi0.5TiO3-CaTiO3基无铅陶瓷介电储能性能研究[D]. 董佳. 西南大学, 2021(01)
- [3]镁铝硅系微晶玻璃的掺杂改性及机理研究[D]. 高陈熊. 电子科技大学, 2021(01)
- [4]溶液法制备氧化物薄膜晶体管及在逻辑器件中的应用研究[D]. 杨兵. 安徽大学, 2020(02)
- [5]Ba0.8Sr0.2TiO3 铁电陶瓷的磁性诱导与磁电特性研究[D]. 王军军. 南京大学, 2020(09)
- [6]BaTiO3基X9R型多层陶瓷电容器介电材料的研究[D]. 郭瑞. 哈尔滨工业大学, 2020(01)
- [7]R/Ca（R=Tb，Ho）和Pr/Ce共掺杂BaTiO3陶瓷介电性质和缺陷化学研究[D]. 高祥禄. 吉林化工学院, 2020(11)
- [8]钛酸钡基无铅多层陶瓷的制备、结构和大电卡效应的研究[D]. 简晓东. 广东工业大学, 2020(02)
- [9]MOS器件堆栈栅结构设计、界面及电学性能优化[D]. 王蝶. 安徽大学, 2020(07)
- [10]玻璃介质掺杂钛酸锶钡陶瓷的制备与性能研究[D]. 吴凯卓. 大连工业大学, 2011(06)