T型三电平与两电平功率开关器件损耗计算与分析

论文摘要

研究两种逆变器拓扑的功率开关器件损耗,通过器件特征参数,建立一种同时考虑工作电压、驱动电阻和结温的简单曲线拟合方法,推导出三次谐波注入调制算法下T型三电平和两电平拓扑的损耗计算模型,发现损耗与调制系数、开关频率、功率因数角、输出电流有关。在相同逆变工作条件下,当开关频率大于6.8 kHz时,在全电流范围内可使得T型三电平拓扑比两电平拓扑损耗更小,发挥其三电平优势。该损耗研究理论可推广至其他拓扑结构,为并网逆变器设计、效率提升奠定基础。

论文目录

• 0 引 言
• 1 IGBT损耗模型
•   1.1 IGBT导通损耗
•   1.2 IGBT开关损耗
• 2 T型三电平逆变器损耗分析与计算
•   2.1 T型三电平逆变器电流通路分析
• 0时'>    1) i>0时
•     2) i<0时
•   2.2 损耗计算
• 3 两电平逆变器损耗分析与计算
•   3.1 两电平逆变器电流通路分析
• 0'>    1) i>0
•     2) i<0
•   3.2 两电平逆变器损耗计算
• 4 两种拓扑损耗对比
• 5 结 语

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 祝琳,宋宣锋,李永岗,耿乙文

关键词: 三电平逆变器,三次谐波注入,损耗模型,中点钳位

来源: 微特电机 2019年12期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅱ辑

专业: 电力工业

单位: 中国矿业大学电气与动力工程学院

分类号: TM464

页码: 35-39+51

总页数: 6

文件大小: 8579K

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