导读:本文包含了重掺硼论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:单晶硅,硅片,预制件,小角,过冷,组分,电磁感应。
重掺硼论文文献综述
赵泽钢,赵剑,马向阳,杨德仁[1]（2016）在《重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响》一文中研究指出对比研究了轻掺硼(1.5×10~(16)cm~(-3))和重掺硼(1.2×10~(20)cm~(-3))直拉硅片上维氏压痕周围的残余应力分布及压痕位错在900℃滑移的情况。研究表明:重掺硼直拉硅片上压痕周围的残余应力及应力场区域显着小于轻掺硼硅片的。在900℃热处理时,轻掺硼硅片上的压痕位错发生显着的滑移,而重掺硼硅片上的压痕位错几乎不发生滑移。一方面,重掺硼降低了单晶硅的压痕断裂韧性,使侧向裂纹尺寸增大而释放更多的应力,从而使压痕的残余应力变小;另一方面,重掺硼对位错具有明显的钉扎作用,使位错的滑移需要更大的应力驱动。可以认为正是上述两方面的效应使得重掺硼硅片的压痕位错几乎不发生滑移。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2016年03期）
韩焕鹏[2]（2015）在《大直径重掺硼硅单晶生长工艺研究》一文中研究指出在CG6000型单晶炉上,开展了硼掺杂浓度8×1019cm-3以上的150 mm(6英寸)硅单晶生长试验。通过对热场和生长工艺进行优化,抑制了重掺硼硅单晶拉制过程中的严重组分过冷,成功拉制出了电阻率1.5×10-3Ω·cm以下的无位错重掺硼硅单晶,并对单晶拉制过程中的一些工艺参数设定进行了分析和探讨,提高了该类硅单晶生长的效率和成品率。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2015年08期）
孙新利,黄笑容,徐一俊,郭兵健,何国君[3]（2014）在《掺杂浓度对重掺硼直拉<111>单晶硅小角晶界的影响》一文中研究指出小角晶界是重掺硼直拉<111>单晶硅生产制造过程中出现的严重缺陷,生产中需要避免。主要研究掺杂浓度对小角晶界的影响,通过实验发现当前工艺下小角晶界产生的临界掺杂浓度为9.05×1019cm-3。分析研究小角晶界的宏观分布及形态特征,其宏观分布与晶体各项异性具有一致性,并随掺杂浓度变化而规律性变化。利用位错模型计算小角晶界两侧晶向差为0.6″~12.76″,其晶向差随掺杂浓度增加而逐步变大。根据位错模型计算并分析自由能与掺杂浓度的关系,得到样品中宏观长度下小角晶界自由能为5.037×10-10~7 200.421×10-10J,并随着掺杂浓度增加而逐步变大。此外结合生长工艺和晶格补偿原理,提出高掺杂浓度下避免小角晶界的方法,并得到无小角晶界的重掺硼单晶硅,对实际生产有重要意义。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年11期）
王海红[4]（2014）在《低电容TVS重掺硼衬底上N型高阻外延生长》一文中研究指出低电容TVS广泛用于高频电路的电压瞬变和浪涌防护,它由低击穿电压的雪崩二极管与低电容的导引二极管组合而成,其中的低电容导引二极管需要在重掺杂的P型衬底上生长近似本征的超高电阻率的N型外延层,抑制重掺P型衬底的自掺杂效应是高阻N型外延生长的重要挑战。本文采用高温烘烤、低温周期性变速H2赶气等技术使得重掺B衬底的自掺杂效应得到抑制,并在外延工艺时采用N型外延覆盖层,最终实现了在重掺硼衬底上生长电阻率大于150Ωcm的N型高阻外延层,使得TVS产品8寸工厂量产。(本文来源于《集成电路应用》期刊2014年05期）
吕菲,耿博耘,于妍,杨洪星,刘锋[5]（2013）在《直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究》一文中研究指出直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高,在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2013年09期）
葛媛[6]（2012）在《重掺硼直拉单晶硅中缺陷的研究》一文中研究指出以重掺硼直拉单晶硅片为衬底的p／p+外延片用于制造集成电路时,可避免CMOS器件的闩锁效应。因此重掺硼直拉硅单晶是一种重要的硅材料。重掺硼除了提高单晶硅的电导率以外,还会对单晶硅的缺陷产生影响。本论文研究了重掺硼对直拉单晶硅中的位错和氧沉淀的影响,得到如下主要结论：(1)对重掺硼直拉单晶硅中原生位错的形成进行了研究。结果表明,当硼的掺杂浓度高于7×1019 cm-3时,单晶硅中产生原生位错,它们以一定的形态集中分布于晶体截面的某些位置而不扩展到整个截面。将存在原生位错的硅片进行多种条件下的退火,结果显示：高温热处理可使原生位错减少,特别是在1000℃保温1小时后原生位错几乎消失。(2)研究了重掺硼对单晶硅中位错运动的影响。结果表明：高浓度的硼杂质对位错滑移具有一定的钉扎作用。单晶硅中硼的浓度越高,位错滑移激活能越大,位错滑移速度越慢,位错滑移距离的最大值越小,且到达该最大值所需的热处理时间越长。(3)研究了不同掺杂浓度的重掺硼直拉单晶硅的氧沉淀行为。结果表明：在特定的热处理条件下,某一临界浓度以下的重掺硼对氧沉淀具有促进作用,而在此临界浓度以上,重掺硼反而抑制氧沉淀。对于低-高两步退火而言,形核的温度越高、时间越长,上述临界浓度越低；对于高温单步退火而言,退火温度越高,上述临界浓度越低。(本文来源于《浙江大学》期刊2012-02-16）
高亚明,冯光,刘永健,周述文,雒军礼[7]（2010）在《FCVD制作重掺硼光纤预制件》一文中研究指出使用改进的化学气相沉积(MCVD)工艺制作光纤预制件已经几十年了,使用的热源是氢氧焰,电磁感应石墨加热FCVD是近年来出现的一种新的加热方式,如只从理论上分析,FCVD具有降低光纤中的氢杂质,易于制作大直径的芯棒等特点,但我们的试验结果表明,其致命的缺点是加热速度反应过慢,和反应管内堆积的疏松团聚颗粒易于挥发,造成光纤预制件锥度过大,同时局部出现不容易玻璃化的现象,造成成品率明显低。(本文来源于《激光与红外》期刊2010年12期）
方敏,杨德仁,马向阳,阙端麟[8]（2006）在《重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示》一文中研究指出本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间。此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2006年02期）
江慧华,杨德仁,田达晰,马向阳,李立本[9]（2005）在《锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响》一文中研究指出通过单步长时间退火(650~1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h+1000℃/16h和800℃/4~128h+1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺入抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.(本文来源于《半导体学报》期刊2005年11期）
孙世龙,刘彩池,赵丽伟,滕晓云[10]（2005）在《快速热处理对重掺硼硅片中氧沉淀行为的影响》一文中研究指出对重掺硼硅片快速热处理,发现快速热处理有效地促进了氧沉淀的生成,并获得一定的清洁区。随着快速热处理温度的升高,氧沉淀的密度在减小,清洁区逐渐出现。较低的温度下,对重掺硼进行快速热处理,主要是硼促进氧沉淀的形成,快速升温激发的点缺陷氧沉淀的促进作用处于次要地位,主要是硼原子在起作用。随着快速热处理温度的升高,逐渐出现了清洁区,说明点缺陷在氧沉淀的形成过程中逐渐处于主要地位。(本文来源于《华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集》期刊2005-09-01）
重掺硼论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在CG6000型单晶炉上,开展了硼掺杂浓度8×1019cm-3以上的150 mm(6英寸)硅单晶生长试验。通过对热场和生长工艺进行优化,抑制了重掺硼硅单晶拉制过程中的严重组分过冷,成功拉制出了电阻率1.5×10-3Ω·cm以下的无位错重掺硼硅单晶,并对单晶拉制过程中的一些工艺参数设定进行了分析和探讨,提高了该类硅单晶生长的效率和成品率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
重掺硼论文参考文献
[1].赵泽钢,赵剑,马向阳,杨德仁.重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响[J].材料科学与工程学报.2016
[2].韩焕鹏.大直径重掺硼硅单晶生长工艺研究[J].电子工业专用设备.2015
[3].孙新利,黄笑容,徐一俊,郭兵健,何国君.掺杂浓度对重掺硼直拉<111>单晶硅小角晶界的影响[J].半导体技术.2014
[4].王海红.低电容TVS重掺硼衬底上N型高阻外延生长[J].集成电路应用.2014
[5].吕菲,耿博耘,于妍,杨洪星,刘锋.直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究[J].电子工业专用设备.2013
[6].葛媛.重掺硼直拉单晶硅中缺陷的研究[D].浙江大学.2012
[7].高亚明,冯光,刘永健,周述文,雒军礼.FCVD制作重掺硼光纤预制件[J].激光与红外.2010
[8].方敏,杨德仁,马向阳,阙端麟.重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示[J].材料科学与工程学报.2006
[9].江慧华,杨德仁,田达晰,马向阳,李立本.锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响[J].半导体学报.2005
[10].孙世龙,刘彩池,赵丽伟,滕晓云.快速热处理对重掺硼硅片中氧沉淀行为的影响[C].华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会论文集.2005
论文知识图
