集成电路工艺用过氧化氢中杂质元素的检测方法

集成电路工艺用过氧化氢中杂质元素的检测方法

论文摘要

集成电路工艺用过氧化氢经水稀释10倍,采用高分辨电感耦合等离子体质谱仪进行Na和B等杂质检测。采用标准加入法,选择高分辨电感耦合等离子体质谱仪的中分辨模式,有效消除了Fe、P、Ca等的干扰;选择高分辨模式,消除了K、As的干扰。建立的方法有效降低了基质效应、消除了环境干扰,检出限<10 ng/L,背景等效浓度<30 ng/L,回收率在90.5~103.2之间,重复性的相对标准偏差≤7.2%,再现性的相对标准偏差≤10.2%,满足国际半导体设备材料产业协会对集成电路工艺用过氧化氢的测试要求。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 实验部分
  •   1.1 主要仪器与试剂
  •   1.2 实验方法
  •   1.3 仪器参数
  • 2 结果与讨论
  •   2.1 直接进样、稀释和铂电极分解三种前处理方法
  •   2.2 标准曲线法和标准加入法
  •   2.3 干扰元素的去除
  •   2.4 方法验证
  •     2.4.1 检出限、定量限和BEC
  •     2.4.2 准确度
  • 3结语
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 李春华,田玉平,高艳秋

    关键词: 电子级,过氧化氢,高分辨质谱

    来源: 上海计量测试 2019年04期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑

    专业: 化学,无机化工

    单位: 上海市计量测试技术研究院

    基金: 国家质检总局科技计划项目(2017QK085)

    分类号: O657.63;TQ123.6

    页码: 2-5+14

    总页数: 5

    文件大小: 1266K

    下载量: 63

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