导读:本文包含了射频噪声论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:射频仿真系统,基底噪声,噪声系数,增益
射频噪声论文文献综述
傅亦源,康跃然,肖本龙,牛凤梁[1]（2019）在《射频仿真系统馈电网络基底噪声分析与控制》一文中研究指出射频仿真系统馈电网络产生过高的基底噪声会影响仿真试验的开展,因此在设计馈电网络时需要对其基底噪声进行理论分析并加以控制。首先根据噪声理论确定影响射频仿真系统馈电网络基底噪声的叁个主要因素;在此基础上,进一步结合射频器件的传输特性,分别计算了馈电网络噪声系数、总增益和基底噪声功率;最后,提出通过增加均衡器的方法以降低馈电网络基底噪声,并给出了实测结果。分析结果表明:受射频器件幅度特性的影响,馈电网络基底噪声在低频段明显高于高频段。而通过增加均衡器的方法在有效降低馈电网络基底噪声的同时,也可以使不同频点基底噪声的一致性有较大提升。(本文来源于《舰船电子工程》期刊2019年12期）
曾洪波,王军[2]（2019）在《基于噪声矩阵变换的SiGe HBT射频等效噪声建模》一文中研究指出由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有效性。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2019年04期）
刘丹丹[3]（2019）在《射频超宽带CMOS低噪声放大器研究与设计》一文中研究指出近年来,无线通信领域的进步以及高速数据通信的需求促使了通信技术的快速发展。超宽带系统由于具有高吞吐率的优点,目前已成为非常受欢迎的通信技术。超宽带低噪声放大器作为超宽带接收机的第一级系统,它性能的好坏直接对其后各个系统有较大的影响,因此对于超宽带低噪声放大器的研究很有必要。在文中首先讲述了超宽带低噪声放大器的研究背景和近几年国内外的研究现状,其次简要阐述了低噪声放大器的主要性能参数,如噪声性能、输入阻抗匹配性能、线性度以及电路的增益性能,并且分析了叁种无源器件的特性。在第叁章中主要总结了各类常见的低噪声放大器电路结构及其优缺点,另外,片上电感作为超宽带低噪声放大器设计中最常见的无源器件,对其模型的研究是很有意义的,因此,在本章中也提出了一种改进型单π模型。通过对各种电路成果进行改进,设计了分别工作在4-18GHz和3-5GHz的高增益、低功耗的超宽带低噪声放大器电路。主要的研究工作和成果为:(1)针对片上螺旋电感提出了一种改进型单π集总参数等效电路模型。提出的模型可以很好地模拟高频下的衬底耦合效应、趋肤效应以及邻近效应;利用RL-C并联结构实现衬底的寄生耦合效应;使用二端口分析方法和拟线性函数方法可以很容易地得到参数值。提出的片上电感的模型与HFSS软件仿真的结果相比,模型在0-20GHz时拟合度很高。(2)设计并研究了一种工作频带为4-18GHz的超宽带低噪声放大器,该放大器基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺,通过在放大级采用叁谐振匹配网络技术不仅提高了电路的增益,而且拓宽了电路的频带。此外,通过引入衬底偏置技术使电路的功耗下降。利用ADS软件对电路进行优化仿真,并分析了温度以及工艺角对电路的影响。最终的仿真结果表明,该放大器在室温25℃的状态下,工作带宽为4-18GHz,增益为15.95-18.73dB,增益的平坦度为2.78dB,噪声系数小于4.9dB,其中最小的噪声系数为3.22dB,电路的工作电压为0.9V,功耗仅为5.715mW,该放大器可广泛应用于低功耗、宽频带的射频集成电路中。(3)设计了一种3-5GHz的超宽带低噪声放大器电路,该放大器基于TSMC0.18μm RF CMOS工艺。在此电路中,通过将跨导增强技术和噪声抵消技术相结合,使得电路的增益、功耗、噪声有了一定的改善。在输入级中,利用跨导增强技术实现了电路输入阻抗的匹配;在放大级中,利用跨导增强技术以及电流复用技术使得电路增益有了明显提升,并且利用噪声抵消技术、跨导增强技术使电路的噪声性能和功耗有了明显改善。同时,为抑制电路中的密勒效应和进一步减小电路功耗,在电路中引入了PMOS管。利用ADS对电路进行优化仿真,结果表明,该放大器具有平坦的增益20.02-21.6dB,噪声在1.17-1.63dB之间,工作电压为0.8V,功耗为9.44mW。(本文来源于《湘潭大学》期刊2019-06-03）
刘人豪[4]（2019）在《面向超低电压射频低噪声设计的MOSFET表征方法》一文中研究指出MOSFET高频噪声的建模是其在无线通信中应用的基础。面向低功耗、混合信号及高频应用的短沟道COMS技术,其最佳的高频特性已从低中反型区转移至弱反型区。器件的噪声特性相比于长沟道器件也发生了显着的变化,噪声模型的表征也更加复杂。目前,纳米MOSFET的噪声建模主要是基于器件的四噪声参数和散射参数测量,通过双端口噪声网络分析,提取器件的双端口等效噪声电流模型的原始数据,结合器件的小信号等效噪声电路分析,建立器件等效噪声电流源的数学物理模型。器件噪声数学物理建模的精度取决于对器件工艺特性的认识深度和测量系统的精度。精确的短沟道MOSFET噪声物理模型的数学表征非常复杂。为了使现有的短沟道MOSFET高频噪声数学物理模型可用于工程设计,本文研究了其简洁模型的表达形式,并进行了应用实验验证。本文工作包括以下叁个方面:首先,明确了40纳米MOSFET的双端口等效噪声电流高频物理模型及其原始数据,确定了其小信号等效噪声电路的元件参数及其四噪声参数的原始数据,通过基于MATLAB的物理模型计算仿真与原始数据的对比,验证了本文所明确的高频噪声物理模型的有效性和准确性。其次,为了使复杂的纳米MOSFET高频噪声物理模型可用于工程设计,本文研究了其简洁模型的表达形式。通过器件的双端口相关噪声矩阵变换和分析,实现了复杂的噪声物理模型的简化。所提出的简洁模型不仅高精度地表征了器件的非准静态效应,并且可通过Verilog-A语言以四结点的形式,直接嵌入到ADS仿真设计工具,从而在保证精度的同时,大大降低了设计的复杂度。实验结果验证了所建简洁模型在强反型区和弱反型区均有较高的精度,比传统模型具有更高的准确性。最后,基于超低电压射频低噪声设计集中在MOSFET的弱、中反型区的工程实际,提出了基于反型系数(IC)的表征方式,并以具有偏置依赖性的元件参数举例,证明了该种表征方式在表征弱反型区时,具有更清晰更容易辨识MOSFET工作在超低电压时的特性。并且通过转换回V_(GS)的表征方式,与原始数据进行对比,说明了该表征方法的可逆性与有效性。在工程设计中可以通过反型系数表征的MOSFET特性曲线选取最佳工作点,以此间接地选取物理偏置电压值,然后利用本文所建立的简洁模型进行仿真,这样可以使得设计更为准确和有效。(本文来源于《西南科技大学》期刊2019-05-01）
徐振洋[5]（2019）在《纳米MOSFET射频噪声机理的Monte Carlo分析》一文中研究指出相比于工艺成熟期器件研发以样品测试分析为主,在新型器件研发的初始阶段,需要依赖半导体器件性能参数的仿真模拟,明确器件的性能变化。其中,预测短沟道器件噪声的扰动规律,探明其噪声机理,对以40纳米MOSFET为代表的短沟道器件的实用化尤为重要。传统的半导体器件参数仿真工具主要采用漂移扩散模型和流体动力学模型,无法模拟沟道长度小于100纳米的器件的射频噪声性能。因此,本文利用二维Monte Carlo仿真计算了沟道长度为40纳米MOSFET的本征漏极电流噪声的高频功率谱密度,并据此分析了其受抑制的散粒噪声特性。虽然Monte Carlo仿真分析的仿真精度不高,但该方法仿真流程相对简单,并足以区分短沟道MOSFET与长沟道MOSFET本征热噪声特性不同的噪声机理,对预评估短沟道器件性能和指导器件研发具有重要的意义。本文工作包括以下叁个方面:首先,明确了二维Monte Carlo仿真流程。具体包括:通过设置所有载流子初始位置和波矢,从而实现了载流子的初始化。再通过对器件进行网格划分,并根据载流子在网格中的空间位置合理设置所有网格节点的电荷密度值,从而实现器件内部载流子的电荷分配。据此进一步利用有限差分法实现对泊松方程离散化求解,从而更新器件内部的电势,以便下一个时间时间步长的迭代;确定载流子输运模型,确保对载流子输运的精确仿真模拟。其次,利用所确定的二维Monte Carlo仿真流程,通过设置仿真参数和编写仿真程序,模拟了40纳米MOSFET高频噪声的原始数据,并据此计算了其本征漏极电流噪声的高频功率谱密度。在仿真运行经过稳态测试后,利用获取的载流子瞬时速度,计算了MOSFET的漏极输出电流,从而实现了对仿真器件的静态测试,通过观察其静态输出量,实现仿真分析的初步性验证。基于仿真分析的原始数据,通过计算,初步发现40纳米MOSFET在强反区下的射频噪声机理为受抑制的散粒噪声,且散粒噪声的抑制程度随着栅极偏压的降低而减弱。最后,为了验证有关40纳米MOSFET强反型区下的高频噪声机理的仿真分析结果,进行了实验验证。基于晶体管射频噪声测量系统,利用对NMOS的散射参数及四噪声参数的测量结果,提取器件的小信号等效电路元件参数值和漏极电流噪声功率谱密度S_(id)。噪声测量不仅验证了Monte Carlo仿真预测噪声扰动规律的有效性,还表明:40纳米MOSFET的本征漏极电流噪声为受抑制的散粒噪声,并且随着栅级偏压的降低受抑制特性减弱。(本文来源于《西南科技大学》期刊2019-05-01）
曾洪波,彭小梅,王军[6]（2019）在《强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析》一文中研究指出为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性,研究了其噪声建模的方法。在分析45nm MOSFET射频小信号等效电路参数提取结果的基础上,建立了该器件漏极电流噪声的简洁模型。该模型完整地表征了决定45nm器件噪声机理的叁个组成部分:本征漏极电流噪声、栅极管脚寄生电阻热噪声和栅漏衬底寄生电磁耦合噪声。噪声测量在验证所建模型准确性和精度的同时,还表明:45nm MOSFET的本征漏极电流噪声为受抑制的散粒噪声,并且随着栅源偏压的降低受抑制性逐渐减弱直至消失。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年03期）
卢建兴[7]（2019）在《55nm CMOS低功耗射频低噪声放大器研究》一文中研究指出随着射频集成电路与无线通信技术的发展,CMOS无线射频收发技术越来越呈现高性能、低功耗的要求。低噪声放大器作为射频接收前端电路的关键模块,对其性能和功耗的研究对于整个无线通信系统具有非常重要的意义。本文基于TSMC 55nm RF CMOS工艺,设计了一款2.4GHz低功耗窄带低噪声放大器。论文首先介绍了2.4GHz ISM频段下低功耗射频前端电路的研究意义与研究现状,并结合射频电路基本噪声理论和经典二端口网络模型,对不同输入阻抗匹配结构的低噪声放大器进行了噪声、增益等关键性能参数的分析。然后结合性能参数指标要求,采用两级级联电流复用的共源级结构,有效降低了电路功耗;同时采用亚阈值区偏置技术,提高晶体管跨导和增益,降低噪声系数;使用LC谐振网络替代栅极串联偏置大电感,节约设计的面积成本;另一方面,利用改进的源极电感负反馈结构和源极跟随器结构,实现了电路良好的输入输出阻抗匹配。最后完成低功耗低噪声放大器的版图设计,并对仿真结果进行分析。本文给出了低功耗低噪声放大器的电路设计过程、前仿真结果、版图设计过程和后仿真结果。仿真结果表明,电源电压为1.2V下工作电流约为1.88mA,核心电路功耗约为2.3mW,S_(11)在-10～-25dB内变化,S_(12)在-60～-65dB内变化,增益达到26.6dB,噪声系数小于2.7dB。所设计低噪声放大器满足设计指标要求,可以应用于低功耗射频前端电路。(本文来源于《合肥工业大学》期刊2019-04-01）
任晓云[8]（2018）在《一种超低噪声抗干扰射频接收前端设计》一文中研究指出本文设计的这种超低噪声抗干扰射频接收前端模块,主要的特征为噪声系数超低,同时内部集成滤波器,对于近远端的信号扰乱拥有比较大的制约。超低噪声的电路采取的是0.5μmEPHEMT,并运用了超低噪声的电路基本结构设计,在内部运用了2级声表滤波器,能够完成远、近端的制约功效。与此同时,射频接收前端模块利用的是表贴工艺研造,然后进行一体化塑封。(本文来源于《计算机产品与流通》期刊2018年10期）
章青青,张平,卢瑾,任宏亮,郭淑琴[9]（2018）在《相干光正交频分复用系统中射频导频和扩展卡尔曼滤波联合的相位噪声补偿算法》一文中研究指出针对大线宽和高阶圆形正交幅度调制(C-QAM)的相干光正交频分复用(CO-OFDM)系统,提出一种基于射频导频(RF-Pilot)和时域扩展卡尔曼滤波相结合的相位噪声补偿算法。该算法通过在接收端预设的RF-Pilot进行时域相位噪声粗补偿,并进行信道估计和均衡。再对信道均衡后的频域数据进行预判决,结合判决后的时域数据和信道均衡后的时域数据,进行扩展卡尔曼滤波,实现相位噪声的最终补偿。基于传输速率为50Gb·s~(-1)和传输距离为100km的CO-OFDM系统在C-16QAM和C-32QAM两种调制格式下进行了算法的仿真验证。仿真结果表明,该算法相较于原RF-Pilot算法,具有较好的相位噪声补偿效果,且频谱利用率并未显着降低,算法复杂度并未显着增加。激光器线宽为2.1MHz,且使用C-32QAM时,该相位噪声算法补偿的误码性能可达到前向纠错上限,从理论上证明使用该算法可提高CO-OFDM系统对激光器线宽的容忍度,线宽较宽的廉价分布式反馈激光器可作为CO-OFDM系统的发射端光源和接收端本地振荡。该算法能扩展大线宽CO-OFDM系统在长距离接入网和城域网中的应用。(本文来源于《光学学报》期刊2018年09期）
熊珀艺,孙向明,黄光明,王东[10]（2018）在《高精度射频功率测量系统设计及噪声分析》一文中研究指出本文提出了一种基于高速ADC的高精度射频功率测量系统模型,并计算出该模型中系统热噪声、采样时钟的相位噪声以及ADC的量化噪声的噪声功率,推导出测量的相对精度与系统总噪声的关系,最后通过快速傅里叶变换结合仿真得到的采样数据验证了系统总噪声对测量精度的影响。(本文来源于《信息记录材料》期刊2018年08期）
射频噪声论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有效性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
射频噪声论文参考文献
[1].傅亦源,康跃然,肖本龙,牛凤梁.射频仿真系统馈电网络基底噪声分析与控制[J].舰船电子工程.2019
[2].曾洪波,王军.基于噪声矩阵变换的SiGeHBT射频等效噪声建模[J].固体电子学研究与进展.2019
[3].刘丹丹.射频超宽带CMOS低噪声放大器研究与设计[D].湘潭大学.2019
[4].刘人豪.面向超低电压射频低噪声设计的MOSFET表征方法[D].西南科技大学.2019
[5].徐振洋.纳米MOSFET射频噪声机理的MonteCarlo分析[D].西南科技大学.2019
[6].曾洪波,彭小梅,王军.强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析[J].强激光与粒子束.2019
[7].卢建兴.55nmCMOS低功耗射频低噪声放大器研究[D].合肥工业大学.2019
[8].任晓云.一种超低噪声抗干扰射频接收前端设计[J].计算机产品与流通.2018
[9].章青青,张平,卢瑾,任宏亮,郭淑琴.相干光正交频分复用系统中射频导频和扩展卡尔曼滤波联合的相位噪声补偿算法[J].光学学报.2018
[10].熊珀艺,孙向明,黄光明,王东.高精度射频功率测量系统设计及噪声分析[J].信息记录材料.2018