热力学计算指导下改进CVD法制备大面积薄层MoS2

论文摘要

为了探索改进化学气相沉积法（CVD）制备薄层MoS2的最佳制备温度,计算了不同温度下该反应体系吉布斯自由能的变化。在热力学计算的指导下,采用多温区管式炉制备MoS2纳米片,对反应温度和沉积温度进行了精准的掌控,并研究了几个重要参考温度对MoS2的影响。结果表明,改进型CVD法制备的薄层MoS2纳米片结晶质量高、厚度均匀;温度对MoS2的形貌、尺寸和结晶质量的影响显著,MoS2的尺寸随温度的升高而增大,当温度达到850℃时,MoS2纳米片转化为多边形;同时,确定了制备MoS2的最佳温度为800℃。拉曼光谱、荧光光谱、扫描电镜和原子力显微镜测试结果均表明,在800℃下,可以制备出结晶质量高、厚度均匀、尺寸高达几百微米的大面积薄层MoS2。

论文目录

• 0 引言
• 1 实验
•   1.1 热力学计算
•   1.2 材料制备
• 2 结果与讨论
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 龚跃球,石晓宇,李京兵,谢淑红

关键词: 热力学计算,改进的化学气相沉积,二硫化钼,拉曼光谱,荧光光谱,大面积薄层

来源: 材料导报 2019年22期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 材料科学

单位: 湘潭大学材料科学与工程学院

基金: 国家自然科学基金(11772286)~~

分类号: TB383.1

页码: 3708-3711

总页数: 4

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