论文摘要
继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后,半导体材料出现了第三代以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,其特点包括临界击穿电场高、饱和电子速度高、电子密度高、电子迁移率高及导热率高等,是一种适用于高频、高压、高温、大功率的抗辐射等级高的半导体材料。由于GaN器件的开关特性、驱动技术及损耗机制相比SiMOSFET有显著差异,如何实现合理的驱动,对发挥其优势至关重要。以同步Buck变换器为例提出一种谐振驱动技术,并给续流管栅极加一偏置电压,以减小反向压降、提高效率。实验结果表明,此谐振驱动技术可有效提高驱动的可靠性,加载偏置电压后变换器的效率也可得到有效提高。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 赵清林,崔少威,袁精,王德玉
关键词: 氮化镓,谐振驱动,偏置电压,同步
来源: 电工技术学报 2019年S1期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 燕山大学电力电子节能与传动控制河北省重点实验室
基金: 光宝科技电力电子技术科研基金资助项目(PRC20151384)
分类号: TM46
DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L80320
页码: 133-140
总页数: 8
文件大小: 1527K
下载量: 203
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