导读:本文包含了漏击穿论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:电容,电压,积木,台面,机理,密度,陷阱。
漏击穿论文文献综述写法
费庆宇,黄云[1]（2004）在《钝化介质层对功率GaAs MESFET的栅-漏击穿特性影响》一文中研究指出用直接测定GaAs MESFET的栅-漏极电容-频率(C-f)和高频电容-电压(C-V)的方法,研究了钝化层-半导体界面的慢界面陷阱电荷对栅-漏反向击穿特性的影响,为解决GaAs MESFET的栅-漏反向击穿特性不良和不稳定提供了依据。(本文来源于《电子产品可靠性与环境试验》期刊2004年02期）
[2]（1994）在《超薄SOI MOSFET漏击穿机理的分析》一文中研究指出超薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ漏击穿机理的分析＝Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｄｒａｉｎｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，ｓ［刊，英１］／Ｙｏｓｈｉｍｉ．Ｍａｋｏｔｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ...(本文来源于《微电子学》期刊1994年02期）
王淑君,杨汉朋,曹余录,黄常胜,史志峰[3]（1990）在《高增益、高栅-漏击穿、低噪声微波砷化镓场效应晶体管》一文中研究指出本文简要介绍了CX502N型微波砷化镓场效应晶体管的设计、特性与制造。器件采用了新的“积木式”台面结构,减小了栅-漏反馈电容。测试表明,器件具有高增益、高栅-漏击穿及低噪声特性。此外,文中还给出了与CX502N GaAs MESFET类似的器件CX503 GaAs MESFET的一些结果。(本文来源于《半导体情报》期刊1990年02期）
漏击穿论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
超薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ漏击穿机理的分析＝Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｄｒａｉｎｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，ｓ［刊，英１］／Ｙｏｓｈｉｍｉ．Ｍａｋｏｔｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ...
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
漏击穿论文参考文献
[1].费庆宇,黄云.钝化介质层对功率GaAsMESFET的栅-漏击穿特性影响[J].电子产品可靠性与环境试验.2004
[2]..超薄SOIMOSFET漏击穿机理的分析[J].微电子学.1994
[3].王淑君,杨汉朋,曹余录,黄常胜,史志峰.高增益、高栅-漏击穿、低噪声微波砷化镓场效应晶体管[J].半导体情报.1990