导读:本文包含了激光器列阵论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:激光器,列阵,应变,功率,峰值,量子,波导。
激光器列阵论文文献综述
吕朝晨,王青,尧舜,周广正,于洪岩[1]（2018）在《4×15 Gbit/s 850 nm垂直腔面发射激光器列阵》一文中研究指出采用金属有机物化学气相沉积设备生长InGaAs/AlGaAs应变多量子阱有源区和双氧化限制层的外延整体结构,利用断点监控电感耦合等离子体刻蚀技术、精确湿法氧化控制技术等芯片制造技术,实现了氧化孔径为7μm、相邻单元间隔为250μm的高速调制4×15Gbit/s 850nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵。测试得到了VCSEL列阵的静态特性和动态特性:阈值电流为0.7 mA,斜效率为0.8 W/A;在6 mA工作电流下,工作电压为2.3V,光功率为4.5mW。在15Gbit/s调制速率下,眼图轮廓清晰,线迹很细,抖动较小且无明显串扰。对比列阵各单元在15Gbit/s调制速率下眼图的上升时间、下降时间、信噪比、均方根抖动等相关参数,结果表明其动态性能的一致性良好。利用箱线图分析得出外延片上VCSEL器件性能的一致性能良好,能够满足批量生产的要求。(本文来源于《光学学报》期刊2018年05期）
鲁国志[2]（2016）在《基于光胶合PPMgOLN的列阵微片激光器的研究》一文中研究指出随着激光技术的发展,产业、研究机构等均需要大量各种类型的激光器。由于全固态激光器具有重量轻、体积小、效率高、光束质量好、稳定性好等优点,全固态激光器在工业、医疗、科研、民用和军事等领域中应用广泛。叁基色是激光显示中不可或缺的,但绿光不像红光和蓝光可以直接由激光二极管发射出,因此紧凑型绿光激光光源成为研究的热点。本论文主要进行基于光胶合Nd:YVO4/PPMgOLN的列阵微片绿光激光器的研究。主要工作有:1.利用二次谐波理论对全固态激光器进行分析,通过理论分析可得出射倍频光强与入射光强的关系,以及倍频效率与相位失配量的关系。并利用叁波互作用原理,对准相位匹配原理进行说明。2.通过谐振腔设计的基本原理,设计出激光器的腔型。对端面泵浦全固态激光器中激光增益介质的热效应进行分析,获得了高斯泵浦下激光晶体温度分布场和激光晶体的端面形变量,并提出如何补偿激光晶体中的热效应。通过仿真光胶合晶体内部的温度分布,确定了激光二极管(LD)泵浦源之间的间距。3.进行小型光胶合Nd:YVO4/PPMgOLN列阵微片绿光激光器实验研究。阐述了列阵微片绿光激光器的制作流程与工艺,在端面泵浦驱动下,验证非线性晶体(PPMgOLN)在27℃达到最佳相位匹配。在泵浦电流在1.8 A时,激光器的最大输出功率为225 mW。经过3小时测试,其输出功率不稳定性小于2%,从808 nm到532 nm的光—光转换效率为19%。(本文来源于《云南师范大学》期刊2016-05-22）
鲁国志,周煌,陈立元,刘玉良,方玉萍[3]（2016）在《小型光胶合Nd∶YVO_4/PPMgOLN列阵微片绿光激光器》一文中研究指出研制出钒酸钇晶体与掺氧化镁(2%)的铌酸锂晶体(Nd∶YVO4/PPMgOLN)光胶合的小型列阵微片绿光激光器.在两点泵浦驱动下,激光二极管(LD)输入总功率为922 mW,腔内倍频下输出532nm的单频绿光功率最高为200mW,光-光转换效率为21.7%.在相同条件下,与单点泵浦激光器进行对比分析,结果表明温度对铌酸锂晶体的倍频效率有很大的影响;由此,通过控制半导体制冷器(TEC),对激光器在两点泵浦驱动下不同温度时的转换效率进行测试,得出当铌酸锂晶体温度在27℃时达到最佳相位匹配.(本文来源于《云南师范大学学报(自然科学版)》期刊2016年02期）
贾鹏,秦莉,陈泳屹,李秀山,张俊[4]（2016）在《780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究》一文中研究指出为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。(本文来源于《半导体光电》期刊2016年01期）
张金胜,刘晓莉,崔锦江,宁永强,朱洪波[5]（2014）在《高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵》一文中研究指出为了实现808 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的高功率输出,对808 nm VCSEL的分布式布拉格反射镜(DBR)结构材料进行了优化设计,分析了AlxGa1-xAs材料中Al组分对于折射率与吸收的影响,并最终确定了材料。采用非闭合环结构制备了2×2 VCSEL列阵。通过波形分析法对VCSEL列阵的功率进行了测量:在脉冲宽度为20 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为110 A的条件下,最大峰值功率为30 W;在脉冲宽度为60 ns、重复频率为100 Hz、注入电流为30 A的条件下,最大功率为9 W。对列阵的近场和远场进行了测量,激光器垂直发散角和水平发散角半高全宽分别为16.9°和17.6°。(本文来源于《发光学报》期刊2014年09期）
徐小红,刘媛媛,刘迪,孙海东,王梅[6]（2014）在《半导体列阵激光器波长复合设计及实验研究》一文中研究指出利用半导体材料波长易调节的特点,设计了AlGaInAs/GaAs/AlGaAs压应变量子阱结构,得到760、800、860、930和976nm 5个波长激射的半导体列阵激光器,同时设计了4个短波通滤波片参数,开展了半导体列阵激光器的多波长光束复合技术的实验研究,最终实现了5个波长的半导体列阵激光器的光束复合,得到112W的激光功率输出,总体效率为88.5%,其中波长复合效率达92.4%,输出聚焦光斑尺寸为136μm×1 330μm,聚焦光功率密度达6.43×104 W/cm2。(本文来源于《半导体光电》期刊2014年02期）
徐小红,刘媛媛,王晓薇,马骁宇[7]（2014）在《高功率连续运转二极管列阵激光器》一文中研究指出针对InGaAs/GaAsP/AlGaAs应变补偿量子阱非对称宽波导结构进行了实验研究。利用不同腔长,100μm发光区,500μm周期的管芯测量了外延片的内量子效率和内损耗,其分别为83.81%和0.698 2 cm-1;采用C-mount标准封装,腔长为1.5 mm的单管测量了阈值电流和微分量子效率的特征温度,其分别为299和1 278 K;采用填充因子为74%,高纯度In焊料烧结,标准热沉封装制备了列阵激光器,比较了叁种不同腔长的器件的P-I特性。最终确定腔长为1.5 mm,当工作电流为230 A时,二极管列阵激光器最大连续输出功率为204 W,电光转换效率为52%。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年01期）
张金胜,宁永强,张金龙,张建伟,张建[8]（2013）在《808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析》一文中研究指出为了研究温度对808 nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵输出特性的影响,通过变温塞耳迈耶尔方程计算了InGaAlAs量子阱VCSEL的温度漂移系数。采用非闭合环结构,制备了2×2的808 nm垂直腔面发射激光器列阵,每个单元的出光口径为60μm。通过热沉温度调节,对不同温度下的列阵激射波长、光功率以及阈值电流进行了测量。在温度为20℃、脉宽为50μs、重复频率为100 Hz的脉冲条件下,列阵的最大输出功率达到56 mW,中心光谱值为808.38 nm,光谱半宽为2.5 nm,连续输出功率达到22 mW。通过变温测试,发现输出功率在50℃以上衰减剧烈,列阵的温漂系数为0.055 nm/℃。实验测得的温漂系数与理论值保持一致。(本文来源于《发光学报》期刊2013年12期）
张立森,宁永强,刘迪,张星,秦莉[9]（2012）在《大功率垂直腔面发射激光器列阵的热模拟及优化》一文中研究指出对垂直腔面发射激光器的产热情况进行了分析,简化了热源,建立了列阵的热传导模型,利用Comsol Multiphysics软件对模型进行了模拟计算。通过改变底发射列阵的单元直径和间距,对列阵的温升进行了计算。研制了4×4、5×5和8×8叁种不同尺寸的列阵,功率分别为580,1 440,2 100 mW,对应功率密度分别为115,374,853 W/cm2。通过光谱的波长漂移计算出4 A时的温升分别为120,58,38℃。采用小孔径单元制作的列阵可以有效地降低列阵单元间的热串扰,获得高功率输出。(本文来源于《发光学报》期刊2012年11期）
刘迪,宁永强,张金龙,张星,王立军[10]（2012）在《高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵》一文中研究指出为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08量子阱的带阶。对采用In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08和In0.2Ga0.8As/GaAs两种量子阱结构的器件的输出功率进行了理论模拟和比较分析。分别测试了上述两个列阵器件的脉冲峰值功率并利用由开启电压、阈值电流和串联电阻决定的p参数评估了列阵器件的输出性能。实验结果表明,当注入电流为110A时,发光面积为0.005cm2的In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.084×4VCSEL列阵获得了123 W的脉冲峰值功率,比具有相同发光面积的In0.2Ga0.8As/GaAs列阵器件的脉冲峰值功率大13%,前者相应的功率密度和斜率效率分别为45.42kW/cm2和1.11W/A。连续和脉冲工作下的p值分别为15和13,表明器件在两种工作条件下都具有相对较好的输出性能。得到的结果证明,包含3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱的4×4VCSEL列阵器件能够获得较高的功率输出。(本文来源于《光学精密工程》期刊2012年10期）
激光器列阵论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着激光技术的发展,产业、研究机构等均需要大量各种类型的激光器。由于全固态激光器具有重量轻、体积小、效率高、光束质量好、稳定性好等优点,全固态激光器在工业、医疗、科研、民用和军事等领域中应用广泛。叁基色是激光显示中不可或缺的,但绿光不像红光和蓝光可以直接由激光二极管发射出,因此紧凑型绿光激光光源成为研究的热点。本论文主要进行基于光胶合Nd:YVO4/PPMgOLN的列阵微片绿光激光器的研究。主要工作有:1.利用二次谐波理论对全固态激光器进行分析,通过理论分析可得出射倍频光强与入射光强的关系,以及倍频效率与相位失配量的关系。并利用叁波互作用原理,对准相位匹配原理进行说明。2.通过谐振腔设计的基本原理,设计出激光器的腔型。对端面泵浦全固态激光器中激光增益介质的热效应进行分析,获得了高斯泵浦下激光晶体温度分布场和激光晶体的端面形变量,并提出如何补偿激光晶体中的热效应。通过仿真光胶合晶体内部的温度分布,确定了激光二极管(LD)泵浦源之间的间距。3.进行小型光胶合Nd:YVO4/PPMgOLN列阵微片绿光激光器实验研究。阐述了列阵微片绿光激光器的制作流程与工艺,在端面泵浦驱动下,验证非线性晶体(PPMgOLN)在27℃达到最佳相位匹配。在泵浦电流在1.8 A时,激光器的最大输出功率为225 mW。经过3小时测试,其输出功率不稳定性小于2%,从808 nm到532 nm的光—光转换效率为19%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
激光器列阵论文参考文献
[1].吕朝晨,王青,尧舜,周广正,于洪岩.4×15Gbit/s850nm垂直腔面发射激光器列阵[J].光学学报.2018
[2].鲁国志.基于光胶合PPMgOLN的列阵微片激光器的研究[D].云南师范大学.2016
[3].鲁国志,周煌,陈立元,刘玉良,方玉萍.小型光胶合Nd∶YVO_4/PPMgOLN列阵微片绿光激光器[J].云南师范大学学报(自然科学版).2016
[4].贾鹏,秦莉,陈泳屹,李秀山,张俊.780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究[J].半导体光电.2016
[5].张金胜,刘晓莉,崔锦江,宁永强,朱洪波.高峰值功率808nm垂直腔面发射激光器列阵[J].发光学报.2014
[6].徐小红,刘媛媛,刘迪,孙海东,王梅.半导体列阵激光器波长复合设计及实验研究[J].半导体光电.2014
[7].徐小红,刘媛媛,王晓薇,马骁宇.高功率连续运转二极管列阵激光器[J].半导体技术.2014
[8].张金胜,宁永强,张金龙,张建伟,张建.808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析[J].发光学报.2013
[9].张立森,宁永强,刘迪,张星,秦莉.大功率垂直腔面发射激光器列阵的热模拟及优化[J].发光学报.2012
[10].刘迪,宁永强,张金龙,张星,王立军.高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵[J].光学精密工程.2012
论文知识图
