全文摘要
本实用新型公开了一种MOSFET检测装置，包括线路板，设置在线路板上的主控制电路及并联设置在主控制电路上的检测电路；所述主控制电路包括电源，控制电源导通的电源开关和控制检测电路导通的驱动开关；所述检测电路包括与MOSFET栅极电路串联并连接在主控制电路上的驱动电阻，与MOSFET漏极电路串联并连接在主控制电路上的电流调节电阻及与MOSFET源极电路串联后连接在接地端的电压调节电阻，所述电压调节电阻上并联设置有感应装置。本实用新型结构简单，操作方便，检测效果好，效率高，可广泛应用于MOSFET检测领域。
主设计要求
1.一种MOSFET检测装置，其特征在于：包括线路板(1)，设置在线路板(1)上的主控制电路及并联设置在主控制电路上的检测电路；所述主控制电路包括电源(VCC)，控制电源(VCC)导通的电源开关(S1)和控制检测电路导通的驱动开关(S2)，与电源(VCC)串联的驱动电压(4)；所述检测电路包括与MOSFET栅极电路串联并连接在主控制电路上的驱动电阻(R1)，与MOSFET漏极电路串联并连接在主控制电路上的电流调节电阻(R2)及与MOSFET源极电路串联后连接在接地端的电压调节电阻(R4)，所述电压调节电阻(R4)上并联设置有感应装置(2)。
设计方案
1.一种MOSFET检测装置，其特征在于：包括线路板(1)，设置在线路板(1)上的主控制电路及并联设置在主控制电路上的检测电路；
所述主控制电路包括电源(VCC)，控制电源(VCC)导通的电源开关(S1)和控制检测电路导通的驱动开关(S2)，与电源(VCC)串联的驱动电压(4)；
所述检测电路包括与MOSFET栅极电路串联并连接在主控制电路上的驱动电阻(R1)，与MOSFET漏极电路串联并连接在主控制电路上的电流调节电阻(R2)及与MOSFET源极电路串联后连接在接地端的电压调节电阻(R4)，所述电压调节电阻(R4)上并联设置有感应装置(2)。
2.如权利要求1所述的MOSFET检测装置，其特征在于：所述MOSFET栅极连接电路与接地端还设置有消耗栅源极寄生电容电量的电阻(R3)。
3.如权利要求1所述的MOSFET检测装置，其特征在于：所述感应装置(2)为LED灯或者蜂鸣器。
4.如权利要求1至3任意一项所述的MOSFET检测装置，其特征在于：所述线路板(1)上设置有一组方便MOSFET安装的卡接端子(3)，所述卡接端子(3)为圆柱形结构，在卡接端子(3)的侧壁上对称设置有两个向内凹的金属弹片(301)。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及汽车开关领域，尤其是涉及一种MOSFET检测装置。
背景技术
传统测试MOSFET的检测是采用万用表进行检测，其操作方法是，万用表置于二极管通断档后，表笔间有1点几伏电压，红表笔为正，黑表笔为负，当黑表笔接S，红表笔接G时，相当于1点几伏电压给G-S电容充电，由于MOS管G-S间阻抗非常高，相当于绝缘体，所以G-S电容储存的电荷不会立刻消失。加上MOS管的开启电压很低，只有零点几伏，所以此时测量D-S间导通状态就显示导通了。如果红表笔接D，黑表笔接G，则相当于给G极施加反向电压，D-S间就截止了。N沟道管：数字万用表置于二极管通断档，黑表笔接S极不动，红表笔碰触一下G极，然后再接D极，此时应该呈导通状态；然后红表笔接D极不动，黑表笔碰触一下G极再返回接触S极，此时应该不通。P沟道管：方法跟检测N沟道管一样，只是红黑表笔对调就可以了，因为N-MOS管和P-MOS管二者极性正好相反。该方法存在检测步骤繁琐操作性低；检测效率低下和检测质量不准确的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种MOSFET检测装置，解决现有MOSFET检测不方便，效率低的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种MOSFET检测装置，包括线路板，设置在线路板上的主控制电路及并联设置在主控制电路上的检测电路；
所述主控制电路包括电源，控制电源导通的电源开关和控制检测电路导通的驱动开关；
所述检测电路包括与MOSFET栅极电路串联并连接在主控制电路上的驱动电阻，与MOSFET漏极电路串联并连接在主控制电路上的电流调节电阻及与MOSFET源极电路串联后连接在接地端的电压调节电阻，所述电压调节电阻上并联设置有感应装置。
为消除MOSFET栅源极寄生电容的电量，方便下次使用误导通，所述MOSFET栅极连接电路与接地端还设置有消耗电阻。
优选的，所述感应装置为LED灯或者蜂鸣器。
为方便MOSFET的安装，所述线路板上设置有一组方便MOSFET安装的卡接端子，所述卡接端子为圆柱形结构，在卡接端子的侧壁上对称设置有两个向内凹的金属弹片。
本实用新型的有益效果：本实用新型通过设置专门的线路对MOSFET进行检测，大大提高了检测的效率，且可靠性高，操作方便，成本低。所述消耗电阻能够消耗掉MOSFET的栅源极寄生电容的电荷，不会对MOSFET下次工作时造成误导通。所述卡接端子结构，方便MOSFET的插拔，从而提高检测的效率。
以下将结合附图和实施例，对本实用新型进行较为详细的说明。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的电路图。
具体实施方式
实施例，如图1、图2所示，一种MOSFET检测装置，用于检测MOSFET的好坏，包括线路板1，设置在线路板1上的主控制电路及并联设置在主控制电路上的一组检测电路。
所述主控制电路包括电源VCC，控制电源VCC导通的电源开关S1和控制检测电路导通的驱动开关S2。
所述检测电路包括与MOSFET栅极电路串联并连接在主控制电路上的驱动电阻R1，与MOSFET漏极电路串联并连接在主控制电路上的电流调节电阻R2及与MOSFET源极电路串联后连接在接地端的电压调节电阻R4，所述电压调节电阻R4上并联设置有感应装置2。所述感应装置2选优为LED灯或者蜂鸣器。所述MOSFET栅极连接电路与接地端还设置有消耗电阻R3。
为方便安装，所述线路板1上设置有一组方便MOSFET安装的卡接端子3，卡接端子3的底部焊接固定在线路板1上，卡接端子3为圆柱形结构，卡接端子3的中心有MOSFET安装孔，在卡接端子3的侧壁上对称设置有两个向内凹的金属弹片301，通过两个金属弹片301将MOSFET固定。
检测时，将MOSFET安装到位后，打开电源开关S1，电源上电后，再打开驱动开关S2，12V驱动电压4通过驱动电阻R1，给MOSFET的栅极驱动信号，此时MOSFET的漏极和源极导通，电源VCC通过电流调节电阻R2和电压调节电阻R4给LED发光二极管LED供电，通过调整R2和R4的阻值来调整通过发光二极管LED的电压和电流；如果发光二极管LED亮了，则证明测试的MOSFET是好的，然后关闭驱动开关S2，发光二极管LED灭，同时MOSFET的栅源极寄生电容的电荷通过消耗电阻R3消耗掉，不会对MOSFET下次工作时造成误导通，最后关闭开关S1，下电。
以上结合附图对本实用新型进行了示例性描述。显然，本实用新型具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本实用新型的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201822279263.7
申请日:2018-12-30
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:34(安徽)
授权编号:CN209496106U
授权时间:20191015
主分类号:G01R 31/26
专利分类号:G01R31/26;G01R1/04
范畴分类:31F;
申请人:昌辉汽车转向系统（黄山）有限公司
第一申请人:昌辉汽车转向系统（黄山）有限公司
申请人地址:245000 安徽省黄山市休宁县溪口镇
发明人:王进丁;王正成;曹玉军;胡立靖;江新良;汪红辉
第一发明人:王进丁
当前权利人:昌辉汽车转向系统（黄山）有限公司
代理人:叶绿林;杨大庆
代理机构:44240
代理机构编号:深圳市百瑞专利商标事务所（普通合伙）
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计