论文摘要
以钼酸铵为钼源硫脲为硫源,十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂,采用表面活性剂促助法成功制备了环状结构MoS2,并利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）系统比较研究了CTAB添加量、p H值、钼硫比、反应时间对合成环状MoS2微结构及晶体生长的影响,分析了环状结构生长形成的机理。研究结果表明:MoS2形貌主要受CTAB添加量的影响,随着用量的增多MoS2经历了球花状-不规则环状-规则环状-不规则堆积状的递变过程,最佳CTAB添加量为0.5 g。p H值对MoS2的生长发育以及结晶性和微观形貌有显著影响,当p H=3时,所得产物晶体颗粒的圆整度、均一性较好。钼硫比对产物的结晶性和分散性有一定影响,并且影响到环状结构的生长发育,但是过高的钼硫比会造成严重的团聚现象,当钼硫比为1∶4时产物的圆整性和分散性较好。反应时间对产物的结晶度有较大影响,随着反应时间的延长结晶度增加,最佳的反应时间为36 h。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 仇满德,崔炎龙,商梦莉,边旭
关键词: 环状,微结构,生长机理
来源: 人工晶体学报 2019年03期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工
单位: 河北大学化学与环境科学学院,河北大学教育部药物化学与分子诊断重点实验室,河北大学河北省分析科学技术重点实验室
分类号: TQ136.12
DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.03.006
页码: 398-404+417
总页数: 8
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