导读:本文包含了托卡马克装置论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:等离子体,聚变,马克,滤器,粒子,电流,高温。
托卡马克装置论文文献综述
贺涛,杨钟时,李克栋,念飞飞,濮阳寿安[1]（2019）在《托卡马克装置中减缓偏滤器靶板热流的Ne杂质注入研究进展》一文中研究指出托卡马克装置中偏滤器的能量排除一直是磁约束核聚变中最迫切需要解决的关键问题之一,而辐射偏滤器运行模式可以有效降低托卡马克装置中偏滤器靶板的热流和粒子流。本文全面介绍了氖(Ne)作为注入杂质在ASDEX-Upgrade、JET、DⅢ-D、HL-2A、EAST等装置上取得的最新的重要结果,同时总结了Ne等杂质在碳、钨材料偏滤器下的不同表现。钨作为未来聚变装置偏滤器以及第一壁等的材料,有着很大优势,但杂质注入下存在钨杂质溅射及聚芯问题,所以还需进一步探索钨偏滤器与注入杂质的兼容性以满足ITER等装置的要求。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2019年11期）
王杰聪,解丽达[2]（2019）在《中国首座中等规模球形托卡马克聚变实验装置在廊坊建成启用》一文中研究指出本报讯（通讯员王杰聪 记者解丽达）8月8日，由新奥集团自主设计建造的中国首座中等规模球形托卡马克聚变实验装置——新奥“玄龙-50”在廊坊建成，并实现了第一次等离子体放电，正式启动物理实验。该装置是托卡马克聚变和仿星器聚变装置之后的另一种磁约束高温等离子体(本文来源于《河北日报》期刊2019-08-09）
操秀英[3]（2019）在《我首座中等规模球形托卡马克聚变实验装置建成》一文中研究指出科技日报北京8月8日电（记者操秀英）我国首座中等规模球形托卡马克聚变实验装置——新奥“玄龙-50”8日在河北廊坊建成，并实现第一次等离子体放电，正式启动物理实验。该装置是托卡马克聚变和仿星器聚变装置之后的另一种磁约束高温等离子体实验装置。据介绍(本文来源于《科技日报》期刊2019-08-09）
吴鼎[4]（2019）在《纳秒激光烧蚀托卡马克装置高z壁材料等离子体动力学演化诊断研究》一文中研究指出激光诱导击穿光谱(Laser-induced breakdown spectroscopy,LIBS)技术目前己应用于EAST托卡马克的第一壁元素原位在线诊断,包括壁的锂化、杂质沉积、等离子体燃料滞留等多种等离子体与壁相互作用(Plasma Wall Interaction,PWI)过程。目前基于LIBS技术对面向等离子体材料(Plasma Facing Materilas,PFMs)的诊断,尤其是原位在线的诊断仍处于定性分析阶段,LIBS精确定量分析是其目前的主要挑战。实现准确定量分析的一个关键因素是对激光烧蚀以及激光等离子体在不同条件下动力学行为的深入理解,从而为建立合适的具有准确物理意义的定量模型提供实验和理论支撑。针对LIBS诊断PWI技术瓶颈,为最终实现准确定量分析奠定实验和理论基础,本文开展开了对纳秒激光烧蚀高Z壁材料等离子体动力学演化基本物理过程的细致研究工作。研究手段包括光谱、快速成像和质谱叁种方法,对等离子体羽辉、等离子体中瞬态电子、原子、一价离子和多电荷态离子在不同条件下的动力学演化进行了研究分析,具体内容如下:第二章,研究了在高真空条件下等离子体辐射从纳秒到微秒跨越3个量级的时间尺度演化特性。研究发现,在高真空环境下激光烧蚀产生的钨(W)等离子体演化的不同阶段中,多种辐射机制存在:连续背景辐射主导时间段为10-100 ns,离子谱线主导时间段为60-300 ns,原子谱线主导时间段为100-800 ns。测量发现获得最优分立光谱信号的探测门延迟时间应在100 ns。在100 ns时,W等离子体中电子密度可达4×1017 Cm-3,电子温度可达1.3 eV,且随着等离子体膨胀不断降低。发现激光诱导W等离子体产生初期200 ns以内,等离子体电离率在90%以上。第叁章,细致研究了环境气压(真空到大气压)、外加磁场对激光诱导等离子体光谱发射以及等离子体羽辉膨胀动力学演化过程的影响。在3.5×10-5 mbar到大气压的范围内,W等离子体的连续背景辐射、离子谱线、原子谱线强度均在0.1 mbar开始明显增强,并且连续背景辐射强度随着气压升高呈现单调递增的趋势,而离子谱线和原子谱线强度在几十mbar气压下取得最大值。连续背景辐射到达峰值的时刻(约25 ns)几乎不随气压发生明显变化。离子谱线和原子谱线强度对应峰值时刻则随着气压增加而滞后。快速成像实验结果表明在1 mbar左右,等离子体形状最规则,而光谱信号质量也在lmbar最高。随着环境气压增加,环境气体的约束作用导致等离子体尺寸变小,等离子体的电子温度和电子密度随着气压升高而增加,等离子体发光时间变长。在环境气体作用下,等离子体羽辉呈现复杂特征,如等离子体羽辉约束,等离子体分裂,冲击波变形等。在高真空及磁场环境下,连续背景辐射几乎不受磁场影响,W离子和原子谱线强度则分别在200 ns、400 ns之后被磁场显着增强,并且发现磁场使得W离子和W原子输运速度分别降为原来1/4和1/2。快速成像表明磁场使等离子体的膨胀速度降为原来的近1/3。与无磁场的情况相比,光谱发射的增强与有磁场时更高的电子密度和电子温度有关。第四章,研究了激光诱导等离子体中的“瞬态电子”、一价离子和原子在不同气压下的时空动力学演化行为。实验结果发现,随着环境气压升高,从0.1 mbar开始出现了两个截然不同的过程:“快过程”(<50 ns)和“慢过程”(>100 ns)。“快过程”对应激光烧蚀过程中产生的“瞬态电子”对环境气体的碰撞激发和电离的辐射;“慢过程”对应激光烧蚀产生的主等离子体的形成和扩张。在0.1 mbar到大气压范围内,激光诱导W等离子体产生的“瞬态电子”能量可超过20 eV。利用时空分辨光谱和快速成像技术,细致研究了纳秒激光诱导W等离子体中“瞬态电子”、一价离子和原子以及等离子体羽的时空演化动力学过程。研究发现10 mbar下,激光诱导W等离子体过程呈现四个时间尺度:瞬态电子发射、连续辐射、离子辐射和原子辐射,对应时间尺度分别为1-20 ns,10-100 ns,50-1000 ns和100-2000 ns。发现了“瞬态电子”的半球状分布特征以及“瞬态电子”和离子之间的空间分离现象,证明靶材表面烧蚀区域附近“瞬态等离子体鞘层”的存在。第五章,采用光谱和质谱方法对激光诱导高Z材料W和Mo等离子体中原子、一价离子和多电荷态离子开展了详细的诊断研究。重点利用飞行时间质谱研究了激光烧蚀等离子体中多电荷态离子的动力学特性。系统地研究了不同激光功率密度下多电荷离子的电荷态分布,时间演化以及多电荷态离子的空间分布,多电荷态离子的速度和能量分布。对多电荷态离子的产生机理,离子加速机制进行了探讨。结果表明纳秒激光烧蚀高Z材料,诱导产生的W和Mo等离子体中不仅存在原子和一价离子,还存在多电荷态离子,价态可高达7价。多电荷态离子的时间演化遵循Shifted-Maxwell Boltzmann(SMB)分布。多电荷态离子在膨胀过程中的速度与电荷态呈正相关,即电荷态越高速度越快。随着激光功率密度的增加,出现的电荷态数目随之增加,离子速度和能量也不断升高,并且每个电荷态离子的出现对应不同的激光功率密度阂值,并发现激光功率密度增加时,离子能量饱和现象。发现多电荷态离子的产生是由于在激光等离子体相互作用过程中等离子体屏蔽和吸收引起的逐步电离过程。多电荷态离子的加速机制归因于激光烧蚀过程中“瞬态等离子体鞘层”的加速作用。基于Saha电离平衡方程,推测在激光功率密度为10GW/Cm2时候等离子体从开始到百纳秒内时间范围,电子密度从约1021 Cm-3迅速下降到1018cm-3,电子温度从约12eV迅速下降到2eV。(本文来源于《大连理工大学》期刊2019-06-04）
邹云鹏[5]（2019）在《托卡马克装置中阿尔芬本征模稳定性及高能粒子输运模拟研究》一文中研究指出在托卡马克中,聚变反应或者辅助加热产生的高能粒子会与阿尔芬本征模相互作用,高能粒子会将自身的自由能传递给阿尔芬本征模,从而引起阿尔芬本征模的不稳定,反之不稳定的阿尔芬本征模也会影响高能粒子的输运,使其在空间上重新分布,因此本文从这两个方面开展模拟研究。首先基于DIII-D两个的具有反剪切磁场位形放电实验#166496和#159243,对磁流体—动理学混合程序NOVA-K和回旋朗道流体程序TGLFEP进行验证,这两次实验分别为高声稳态放电实验和L模放电的电流爬升阶段,在这两次实验中,均观测到阿尔芬本征模被中性束加热生成的高能粒子所激发。与实验的诊断结果相同,两个程序的模拟结果均显示,在#166496实验中,低环向模数(n=1～2)的环效应阿尔芬本征模(TAE)被激发;而在#159243实验中,低环向模数(n=2～6)的反剪切阿尔芬本征模(RSAE)被激发。然后将这两个程序应用到中国聚变工程实验堆(CFETR)的模拟分析中,主要用来预测聚变产生的α粒子所激发的阿尔芬本征模的不稳定性,由于CFETR特殊的安全因子剖面,阿尔芬本征模的增长率会随着环向模数的增长而发生周期性变化,并且产生在有理面附近的RSAE,其增长率总是大于TAE的增长率。此外两个程序的模拟结果都显示在这个基础上再考虑500keV的离轴的中性束注入,会使阿尔芬本征模的增长率进一步增加。论文还进一步分析了CFETR的安全因子剖面的变化对阿尔芬本征模的影响,模拟结果显示安全因子最小值qmin的增加会使RSAE变得更不稳定,而如果保持qmim不变,通过增加磁轴位置的安全因子q0的方式增加负的磁剪切则可以使RSAE变得稳定。另外,增加背景等离子体密度,则会缩短高能粒子的慢化时间并增加电子碰撞阻尼,从而有利于阿尔芬本征模的稳定。本文对高能粒子输运的研究主要基于临界梯度模型并使用动理学输运程序EPtran进行模拟,其中最重要的输入参数高能粒子临界梯度则需要使用TGLFEP模拟得到。首先本文基于DIII-D#142111放电实验525ms时刻,使用NOVA-K验证了TGLFEP计算的临界梯度的准确性,通过模拟与实验的对比表明,EPtran程序计算的高能粒子径向压强剖面与诊断结果是很接近的,只有在边界处略高于诊断结果,这是因为在边界处该程序只考虑了湍流引起的高能粒子损失。然后使用同样的模拟方法对CFETR稳态运行方案和混合运行方案中的高能粒子输运进行预测。模拟结果表示,稳态运行方案中主要由不稳定的TAE驱动α粒子输运,而在混合运行方案中则是不稳定的比压引起的阿尔芬本征模(BAE)驱动α粒子输运。相比之下,由于混合运行方案中,α粒子的高压强梯度区域的径向宽度比较窄,而且阿尔芬本征模在径向上也比较集中,因此阿尔芬本征模对高能粒子输运的驱动比较小。由于混合运行方案的初始高能粒子密度高,因此在达到稳态时芯部沉积的高能粒子密度比较高。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-07）
沈俊田[6]（2019）在《托卡马克装置面向等离子体防护部件疲劳分析》一文中研究指出随着核聚变科学研究的不断深入,托卡马克装置的运行参数不断提高。为进一步展开边界等离子体物理的研究,核工业西南物理研究院对HL-2A托卡马克装置进行升级改造。目前,HL-2M托卡马克装置正在设计建造中,偏滤器作为托卡马克装置真空室内部组件,直接面向等离子体。装置运行在高约束模式下,等离子体中磁流体不稳定性现象产生的高能量粒子进入刮削层并沿磁力线运动,最终轰击在偏滤器靶板上。这种能量可以达到兆瓦级别造成打击点处高温升和高热应力,并且该热应力循环周期与装置的运行周期保持一致,这可能会在不同材料连接处发生疲劳问题。因此,该研究主要对HL-2M偏滤器上关键部件的热疲劳性能进行仿真,验证偏滤器结构设计的可靠性和有效性。基于核工业西南物理研究院科研人员使用SOLPS程序数值模拟计算的HL-2M装置高参数运行时,雪花减位形下偏滤器靶板表面的热负载分布,本文使用有限元软件进行以下工作:1、使用有限元法对HL-2M装置高参数运行时,雪花减位形下偏滤器的CFC层和热沉层进行瞬态传热分析,得到靶板不同组件的温度场分布,对靶板的热性能进行评估,分析材料的安全性,结果显示各部件温度均在材料的承受的温度范围内,不会产生熔融损伤。2、将靶板瞬态传热分析得到的温度场分布作为热-结构耦合分析的输入条件对偏滤器结构的机械性能进行仿真计算,从而获取偏滤器的热应力场分布,分析结构可能发生塑性变形的区域,发现拱顶外侧抽气口尖角位置4 mm区域发生塑性形变;提取螺栓轴向拉力和法向剪切力,利用传统公式对螺栓应力进行计算;模拟偏滤器在110℃、250℃、300℃烘烤条件下的受力情况,发现300℃烘烤时支撑块可能产生塑性变形;针对300℃条件下支撑块添加垫片前后应力的变化进行对比分析,加垫片后支撑块上的应力不会超出材料的屈服应力。3、对偏滤器进行循环应力分析,针对可能发生的棘轮失效行为进行评判,发现偏滤器结构设计良好不会发生棘轮损伤。结合ITER装置真空室内部器件结构设计规范对HL-2M装置偏滤器靶板不同部件的疲劳寿命进行预测,结果显示内靶板、外靶板和拱顶均满足设计要求。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
陈雅静[7]（2019）在《托卡马克装置面向等离子体部件电磁仿真研究》一文中研究指出托卡马克装置中,真空室及内部部件的结构稳定性在各种工况下都能达到设计要求时才能安全运作。托卡马克装置上的力和力矩一部分由装置中电磁变化产生,分析装置中的电磁载荷就需要研究装置中各种电磁环境下在部件上产生的电磁载荷是否超过装置的承受力。在以非圆截面为对象的托卡马克装置中,很容易产生扰动打破平衡,从而引发等离子体电流迅速减少。在这种情况下容易发生等离子体破裂和垂直位移事件,在这两种工况下容易产生感应涡流,其底层物理原理基于法拉第电磁感应定律。涡流在磁场的作用下,会在内部部件上产生较大的电磁力和力矩,会对超导托卡马克装置结构安全造成危害。本文通过ANSYS处理等离子体的离散输入,利用ANSYS APDL建模,在相应的模型上施加对应物理条件要求下需要加载的载荷和边界条件,对软件计算出的结果进行详细的分析和讨论。本文分析了等离子体大破裂(MD)发生时产生的感应涡流,计算感应涡流在器件上产生的电磁力和力矩;分析了垂直位移事件下的羽电流(halo current),通过模拟实际垂直位移事件(VED)发生条件,在偏滤器上施加最大恒定电流来观察整个面向等离子体部件上电流的分布以及各个部件上的电磁力。本文研究内容主要分为叁部分:一、通过ANSYS命令流对大破裂事件的二维进行分析对比,考虑等离子体离散分布更适合实际工况。二、在考虑等离子体电流离散分布情况下,用理论环向磁场值计算部件上的电磁力和力矩。叁、通过ANSYS命令流对垂直位移事件中经典现象进行分析,讨论在发生垂直位移事件时等离子体电流随时间的离散分布情况及加载最大恒定halo电流时部件上所受电磁力。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
张旺[8]（2019）在《托卡马克装置面向等离子体防护部件结构动力学分析》一文中研究指出偏滤器作为高温等离子体与材料直接接触的过渡区域,该系统的设计涵盖了聚变等离子体物理、结构制造技术和结构评价等领域的前沿技术。偏滤器对于排出聚变反应产生的热量及高能粒子流起着重要作用,因此偏滤器是关系到聚变反应正常进行的关键因素之一。鉴于偏滤器的恶劣运行环境,有必要对偏滤器的动力学特性进行分析,为偏滤器结构和材料的改进提供依据。本文在介绍了结构动力学和有限元理论的基础上,分析了托卡马克装置聚变反应过程中,垂直位移事件(VDE)和等离子大破裂事件(MD)对偏滤器的影响,由于载荷种类较为复杂,此处主要针对垂直位移事件下产生的晕电流(Halo)对偏滤器的影响进行分析。借助有限元软件,对偏滤器模型进行简化处理。并对偏滤器进行模态分析,掌握结构的固有频率和振动特性有助于避免偏滤器在运行过程中产生共振现象。为减小计算的复杂度,本文利用静力学弹塑性分析等效动力学弹塑性分析,对偏滤器在动载荷作用下的性能进行判定。HL-2M装置在运行中,由于中心等离子的不稳定,经常发生垂直位移事件等瞬态事件,快速的电流熄灭导致托卡马克装置上产生很大的晕电流,其与磁场相互作用产生很高的电磁力和电磁脉冲载荷,将对偏滤器造成致命损伤。本文采用静力学分析等效动力学分析的方法,对偏滤器在复杂工况下的动力响应进行分析。首先在不考虑材料塑性条件下,使用迭加法和逐步法作为对比,验证迭加法计算结果的可信度,基于偏滤器的模态分析结果,使用静力学分析等效动力学分析,求得载荷的动态放大因子ξ。最后考虑材料的塑性特性,施加静态载荷大小为动载荷最大值的ξ倍,计算结果由第四强度理论和SDC-IC标准判定,偏滤器的支撑块已经产生屈服应变,但是在多个周期载荷作用下,其塑性应变值没有大幅增加,最大值保持在0.8%附近。据估算支撑块可以承受约为2500次周期载荷作用,符合HL-2M工程设计要求。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
彭燕丽[9]（2019）在《托卡马克和反场箍缩装置击穿过程的数值模拟研究》一文中研究指出磁约束聚变是一种利用强磁场约束高温等离子体产生核聚变并释放能量的技术。目前世界各国先后建成不同的磁场位形来研究聚变等离子体,包括磁镜、仿星器、反场箍缩、托卡马克等。磁约束聚变装置的启动过程从冷的中性气体开始,通过改变极向场线圈电流,在大环方向感应产生环电场,利用环电场来加热真空室中的自由电子,使其与中性原子发生碰撞,形成电子雪崩,产生等离子体。通过控制极向场线圈电流,获得较好的磁场分布,从而约束等离子体,实现等离子体的完全电离及等离子体电流的爬升。虽然聚变被研究了几十年,但对于磁约束聚变装置的启动过程,还没有完整的理论能够给出解释,尤其是等离子体的击穿过程,已有的汤森放电理论并不能完全解释强磁场条件下的等离子体放电过程。由于诊断技术水平的限制,目前实验上还没有为磁约束聚变等离子体形成过程而设计的诊断工具,这使得击穿阶段的实验数据非常有限。针对这些问题,本论文研究了托卡马克和反场箍缩位形下的等离子体击穿过程,为实验研究者提供实验参考和理论依据。根据磁约束聚变装置上等离子体形成的条件,利用粒子耦合蒙特卡洛碰撞方法(Particle-in-cell/Monte Carlo collision,PIC/MCC),发展了一套适合等离子体击穿过程的数值模拟程序。第二章详细介绍了物理假设和PIC/MCC方法,其中PIC算法包括电荷累积、粒子推动、场方程的求解及边界处理。MCC方法包含了粒子抽样及后处理、电子与分子的碰撞反应和离子与分子的碰撞反应。研究了理想条件下纯欧姆驱动的托卡马克击穿过程。采用数值模拟的方法给出了等离子体密度、Dα辐射、电子和离子在放电过程中的各项能量损失、平均电子和离子能量以及等离子体的动理学行为随时间的演化过程。研究发现了低气压和中低气压存在两种不同的放电机制,且不同放电机制有不同的装置条件和放电参数空间。通过细致地分析模拟结果,发现击穿过程存在快击穿阶段、过渡阶段和慢击穿阶段。等离子体在叁个阶段的行为不同,电子和离子的主要加热机制也存在差异。在纯欧姆加热的托卡马克击穿过程的基础上,系统地研究了预充气压和外感应电场对等离子体击穿的影响。研究发现了叁种放电模式:不击穿放电、成功的击穿放电和逃逸放电,分析了不同放电模式下的等离子体行为及放电模式对应可能发生的参数范围。另外将托卡马克击穿过程的放电参数与传统的汤森放电进行对比,发现传统的汤森放电不能够完全解释托卡马克的击穿过程。除此之外,模拟研究了国际热核聚变实验堆(International Thermonuclear Experimental Reactor,ITER)的放电参数,发现当电场为0.3V/m时,能够实现击穿的气压范围明显变窄,这与Lloyd的理论预测相符合。通过分析击穿过程的伏秒数消耗,发现最优的气压值大约为1.33×10-3Pa,这与ITER的设计值相吻合。研究了反场箍缩装置上的等离子体击穿过程。基于KTX装置的参数,重点研究了初始的误差场、环向磁场和环电压对击穿过程的影响。研究发现误差场的影响不可忽略,在合适的范围内,较大的环向电压有利于实现大电流,也不会产生逃逸放电。此外分析了不同参数下等离子体的行为,并与KTX上的实验数据进行对比,发现模拟结果与实验数据大致吻合。除此之外,还与托卡马克上的等离子体击穿过程进行对比,发现反场箍缩装置更易实现等离子体的击穿,可选的击穿参数范围也更宽。(本文来源于《华中科技大学》期刊2019-02-26）
徐国梁[10]（2018）在《托卡马克装置中钨材料的腐蚀及其在边界等离子体中的输运》一文中研究指出针对钨作为托卡马克装置中的面向等离子体材料,本文详细分析了不同边界等离子体状态下钨的腐蚀情况,对钨的腐蚀机制,以及偏滤器靶板和第一壁腐蚀的钨对芯部钨浓度的影响开展了研究。研究内容分为两个部分:1,研究了 DⅢ-D装置高约束模式运行状态下偏滤器钨的腐蚀机制;2,评估了 CFETR不同边界等离子体状态下偏滤器和第一壁的腐蚀情况,以及芯部的钨浓度水平。对于DⅢ-D装置,为了研究高约束运行模式下钨的腐蚀与边界局域模(ELM)之间的关系,在钨环系列实验中,3炮具有不同边界局域模特性的放电被挑选出来:单个ELM释放的能量占总储能的比例从3%变化到10%,ELM的频率从18 Hz变化到70Hz。采用一维的自由流体模型(FSM)来分析ELM从中平面到靶板的输运时间,以及靶板上的电子密度。通过ELM的输运时间推测从台基区输运出来的碳到达靶板时的价态,而ELM期间靶板上的电子密度有助于获得精确的钨有效电离光子比(S/XB)。OEDGE程序被用来模拟没有ELM时钨的腐蚀,而一个基于TRIM.SP溅射程序开发的简单分析模型被用来计算ELM期间钨的腐蚀情况,且在这两部分模拟工作中,钨环上都被认为是沉积了部分碳的碳钨混合材料。OEDGE的模拟结果显示,在碳钨混合材料中碳的原子比例为0.3-0.6之间时,钨的腐蚀率对碳的原子比例不敏感,且在这个范围内OEDGE对钨腐蚀的模拟结果能与实验值吻合的很好。然而对于ELM时的模拟表明,混合材料中碳的比例应该在0.3左右。有、无ELM时钨的腐蚀主要都是由碳的溅射导致的,但是其腐蚀机制不一样。没有ELM时,钨的腐蚀主要是由混合材料上腐蚀的碳的再沉积过程导致的,而ELM期间,在打击点附近钨的腐蚀主要是由芯部输运出来的C6+的轰击导致的。为了反演出和ELM期间钨腐蚀的实验数据相同的结果,在分析模型中C6+的径向衰减长度被设定为小于D+的径向衰减长度,而碳和氘的径向衰减长度之比被证明与ELM期间的能流密度有关。对于CFETR装置,本文分析了不同靶板运行状态下、不同充气位置时、充不同杂质气体时,偏滤器靶板及第一壁钨的腐蚀情况,以及腐蚀的钨对芯部钨浓度的贡献。结果表明,相对于低再循环和高再循环状态,运行在脱靶状态是唯一可以接受的选择。当达到偏滤器脱靶状态时,边界杂质气体的具体充气位置对最终杂质的分布,及芯部钨浓度的影响不大。相对于偏滤器,第一壁腐蚀的钨更容易进入芯部,因此脱靶状态时,第一壁的钨腐蚀成为决定芯部钨浓度的关键。对比相同位置充入氩,氖和氮的算例,氩的辐射能量最强,在达到相同边界总辐射量时,氩在等离子体中的浓度相对最小,所引起的第一壁钨腐蚀也最小,因此从减少芯部钨浓度的角度来讲,充氩是相对最好的选择。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-12-25）
托卡马克装置论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本报讯（通讯员王杰聪 记者解丽达）8月8日，由新奥集团自主设计建造的中国首座中等规模球形托卡马克聚变实验装置——新奥“玄龙-50”在廊坊建成，并实现了第一次等离子体放电，正式启动物理实验。该装置是托卡马克聚变和仿星器聚变装置之后的另一种磁约束高温等离子体
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
托卡马克装置论文参考文献
[1].贺涛,杨钟时,李克栋,念飞飞,濮阳寿安.托卡马克装置中减缓偏滤器靶板热流的Ne杂质注入研究进展[J].材料热处理学报.2019
[2].王杰聪,解丽达.中国首座中等规模球形托卡马克聚变实验装置在廊坊建成启用[N].河北日报.2019
[3].操秀英.我首座中等规模球形托卡马克聚变实验装置建成[N].科技日报.2019
[4].吴鼎.纳秒激光烧蚀托卡马克装置高z壁材料等离子体动力学演化诊断研究[D].大连理工大学.2019
[5].邹云鹏.托卡马克装置中阿尔芬本征模稳定性及高能粒子输运模拟研究[D].中国科学技术大学.2019
[6].沈俊田.托卡马克装置面向等离子体防护部件疲劳分析[D].电子科技大学.2019
[7].陈雅静.托卡马克装置面向等离子体部件电磁仿真研究[D].电子科技大学.2019
[8].张旺.托卡马克装置面向等离子体防护部件结构动力学分析[D].电子科技大学.2019
[9].彭燕丽.托卡马克和反场箍缩装置击穿过程的数值模拟研究[D].华中科技大学.2019
[10].徐国梁.托卡马克装置中钨材料的腐蚀及其在边界等离子体中的输运[D].中国科学技术大学.2018
论文知识图
