导读:本文包含了低压反应离子镀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:低压,离子,薄膜,硬度,等离子,氧化钨,增透膜。
低压反应离子镀论文文献综述
单兆会,高劲松,王彤彤,申振峰,陈红[1]（2011）在《用低压反应离子镀技术制备的类金刚石薄膜及其表征》一文中研究指出以Ar气作为工作气体,CH_4作为反应气体,利用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上成功制备出类金刚石(DLC)薄膜。通过拉曼光谱、Perking Elmer GX型红外光谱仪和Nano Indenter XP型纳米压痕硬度测试计分别表征了类金刚石薄膜的微观结构、光学性能和机械性能。结果表明,类金刚石薄膜(I_D/I_G=0.918)具有较高的sp~3键含量,其硬度值达到28.6GPa,弹性模量为199.5GPa;单层膜系在8～11.5μm波段的峰值透过率为63.6%,平均透过率为62%。(本文来源于《红外》期刊2011年08期）
王彤彤,高劲松,王笑夷,宋琦,陈红[2]（2007）在《用低压反应离子镀的方法制备Ge_(1-x)C_x单层非均匀增透膜的研究》一文中研究指出用低压反应离子镀(RLVIP)的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0.05~0.4nm/s之间的变化,其折射率在2.31~3.42之间可变。实验结果表明,镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构,并实现了从2000~8000nm的宽波段增透。当沉积速率为0.1nm/s时,单面平均透过率从68.6%提高到了80.9%,比单面未镀膜时提高了17.9%。通过对薄膜的稳定性和牢固度进行测试表明,制备的Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜具有良好的性能。(本文来源于《光学技术》期刊2007年02期）
王彤彤,高劲松,王笑夷,宋琦,陈红[3]（2006）在《低压反应离子镀制备Ge_(1-x)C_x薄膜的硬度研究》一文中研究指出应用低压反应离子镀的薄膜制备方法在G e基底上沉积了G e1-xCx薄膜,随着沉积速度在0.1nm/s~0.9nm/s之间变化,G e1-xCx薄膜的硬度在2.12 GPa~11.066 GPa之间可变,当沉积速率为0.9nm/s时,G e1-xCx薄膜最大硬度为11.066 GPa。XRD测试结果表明,沉积的G e1-xCx薄膜均为无定形结构。对薄膜稳定性和牢固度的测试表明,制备的G e1-xCx薄膜在具有较高的硬度的同时,也有良好的性能。(本文来源于《光学仪器》期刊2006年04期）
徐颖,高劲松,王笑夷,陈红,冯君刚[4]（2005）在《低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜》一文中研究指出溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细地分析,并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s,氧气流量为24cm3/min时,在波长为550nm处,方块电阻为20Ω,λ=550nm透过率为90.8%的优质ITO透明导电膜。(本文来源于《光学技术》期刊2005年05期）
任豪,罗宇强,李筱琳,毕君[5]（2004）在《制备WO_3电致变色薄膜的低压反应离子镀工艺研究》一文中研究指出在电子束蒸发镀膜的基础上 ,引入低压反应离子镀工艺制备WO3 电致变色薄膜 ,研究不同氧分压对WO3 薄膜电致变色特性的影响 ,实验结果表明制备时选择工作气体氩气分压为 2× 10 -2 Pa,氧分压为 4× 10 -2 Pa时 ,薄膜具有最好的电致变色特性和最大的变色范围。进而采用低压反应离子镀工艺成功地实现在塑料基板上制备WO3 薄膜 ,并对其电致变色特性进行了研究。同时对比了采用普通电子束蒸发镀膜制备的WO3 薄膜的电致变色特性。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2004年04期）
司磊,曾明,龙兴武[6]（2003）在《低压反应离子镀的物理过程》一文中研究指出通过观察和分析 ,指出低压反应离子镀中材料经过了蒸发、电离、飞行、加速和沉积五个阶段 ,定性解释了对能谱和质谱的测量结果 ,比较全面、细致地描绘了低压反应离子镀的物理图像。(本文来源于《真空》期刊2003年04期）
司磊[7]（2000）在《低压反应离子镀设备关键技术研究》一文中研究指出低压反应离子镀(LVRIP)是用来制备光学薄膜的一种新技术，是在传统电子束蒸镀的基础上通过低电压、低气压弧光放电将材料蒸汽和外加反应气体电离，在蒸发室内产生低温等离子体，利用基片表面自然形成的极薄电场来提高离子的入射动能，既保留了传统技术沉积速率高、面积大的优点，又克服了薄膜结构疏松、性能不稳定的缺陷，是有望取代传统技术的新一代光学薄膜制备技术。国外研究表明，LVRIP薄膜结构致密，机械强度高，光学损耗达到甚至超过了传统技术的最好水平，具有在激光陀螺上应用的潜力。国内有少数单位对LVRIP做了研究，有一家工厂正在生产用于眼镜镀膜的LVRIP设备，但由于在损耗这一关键指标上还不及传统技术，离陀螺应用相差甚远。LVRIP设备包含等离子源、电子枪—坩埚系统、电源及控制系统叁项关键技术，本文面向陀螺镀膜的需求对LVRIP设备的两项关键技术进行了研究，自主研制了LVRIP的两套关键设备——等离子源和电子枪—坩埚系统，在一台国产常规镀膜机基础上改制了一台LVRIP镀膜机，并在该机器上对TiO_2薄膜的制备工艺进行了初步研究。本文的主要工作和贡献包括： 1．在国内首次研究了用大面积硼化镧材料作LVRIP等离子源阴极发射体技术，针对硼化镧价格贵、硬度高、加工困难的问题，提出了“非共轴包容间热式”阴极结构设计方案，降低了硼化镧的制造、加工难度和成本；针对硼化镧使用过程中容易破裂的问题，提出了新的加工方法，克服了磨削方法给材料带来的故障隐患。研制出一台等离子源，等离子源输出电流超过60A，阴极连续工作寿命超过6小时，发射体成本低于100￥，综合性能高于国内其它单位的水平。 2．针对常规电子枪—坩埚系统在电气和结构上均不适用于低压反应离子镀工作环境的问题，研究提出了分体式+迷宫式设计方案，开发了一套适用于气体放电等离子体环境的电子枪—坩埚系统，将工作气压从6×10~(-3)pa提高到2×10~(-1)Pa，满足了低压反应离子镀的需要。 3．研究解决了将自主研制的等离子源和电子枪—坩埚系统装到国产H44700-7型常规箱式真空镀膜机中的等离子源与电子枪的干扰等技术问题，制做出了一台低压反应离子镀镀膜试验样机。测量表明，试验样机当放电电流为30A时，球面基片工件架表面饱和离子流密度平均为0.463mA／cm~2，均匀性为8％，性能良好，工作稳定。 4．利用自制的LVRIP镀膜试验样机对TiO_2薄膜的LVRIP制备工艺进行了初步研究，研究试验结果表明，采用LVRIP镀膜工艺，随着放电电流的增大，薄膜折射率提高，损耗降低，而用常规的后期烘烤工艺会使膜层均匀性变差。在现有条件下，采国防科学技术大学研究生院学位论文用LVRIP镀膜工艺的TIOZ薄膜折射率(633nln处)最高达到2.43。测试结果和分析表明，LVRIP膜比常规膜结构细密，硬度高，附着力强，性能稳定。 实验表明，我们研究开发的低压反应离子镀设备的等离子源技术和电子枪一柑锅技术具有先进性和良好的应用价值，实验结果说明了低压反应离子镀这种新技术确实可以提高薄膜的机械强度和稳定性。由于资金和技术力量有限，本文研制的LV班P镀膜机采用自制的简易电源系统，因而使生产的薄膜损耗大，折射率不高。但实验结果证明，随着放电电流的增大，LVRIP薄膜折射率提高，损耗降低，因此，在本文研究工作基础上，只要投入足够的经费和技术力量研究开发高性能的电源及其控制系统，有望研究出满足激光陀螺需要的LV班P镀膜设备。本文的研究工作为进一步研究开发LvRJP镀膜设备技术提供了有重要参考价值的技术方案和实验结果。(本文来源于《中国人民解放军国防科学技术大学》期刊2000-11-01）
司磊,王纪武,龙兴武[8]（2000）在《低压反应离子镀等离子源的研制》一文中研究指出自行研制了一台用于低压反应离子镀的以硼化镧 ( La B6)材料作阴极发射体的等离子源。介绍了该设备的工作原理 ,给出了设计参数的选择依据和具体结构形式 ,测量了放电电流与阴极加热功率、偏置电压、气体流量、励磁线圈电流的关系。该设备已与国产箱式真空镀膜机联调成功(本文来源于《真空》期刊2000年02期）
[9]（1997）在《低压反应离子镀新工艺及其设备》一文中研究指出采用低压反应离子镀沉积技术，制备光学薄膜质量有着显着的改善。我们利用此技术沉积的ＴｉＯ２、ＳｉＯ２和Ａｌ２Ｏ３膜，其折射率分别为２５５、１４９（５５０ｎｍ）和１６７（１１００ｎｍ），比传统的电子束蒸发好得多。用此方法，在ＣＲ３９基片每面沉积４层ＴｉＯ２／ＳｉＯ２抗反薄膜，剩余反射率≤０５％。本文简要介绍其工艺过程和相应的ＬＶＲＩＰＤ装置(本文来源于《电子工业专用设备》期刊1997年02期）
李捍东,曾志国,高健存,韩丽瑛[10]（1996）在《低压反应离子镀氧化钨电致变色薄膜》一文中研究指出介绍了低压反应离子镀沉积氧化钨电致变色薄膜，并从微观特性，光学特性和变色特性等方面进行了研究(本文来源于《激光与红外》期刊1996年04期）
低压反应离子镀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
用低压反应离子镀(RLVIP)的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0.05~0.4nm/s之间的变化,其折射率在2.31~3.42之间可变。实验结果表明,镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构,并实现了从2000~8000nm的宽波段增透。当沉积速率为0.1nm/s时,单面平均透过率从68.6%提高到了80.9%,比单面未镀膜时提高了17.9%。通过对薄膜的稳定性和牢固度进行测试表明,制备的Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜具有良好的性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低压反应离子镀论文参考文献
[1].单兆会,高劲松,王彤彤,申振峰,陈红.用低压反应离子镀技术制备的类金刚石薄膜及其表征[J].红外.2011
[2].王彤彤,高劲松,王笑夷,宋琦,陈红.用低压反应离子镀的方法制备Ge_(1-x)C_x单层非均匀增透膜的研究[J].光学技术.2007
[3].王彤彤,高劲松,王笑夷,宋琦,陈红.低压反应离子镀制备Ge_(1-x)C_x薄膜的硬度研究[J].光学仪器.2006
[4].徐颖,高劲松,王笑夷,陈红,冯君刚.低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜[J].光学技术.2005
[5].任豪,罗宇强,李筱琳,毕君.制备WO_3电致变色薄膜的低压反应离子镀工艺研究[J].真空科学与技术学报.2004
[6].司磊,曾明,龙兴武.低压反应离子镀的物理过程[J].真空.2003
[7].司磊.低压反应离子镀设备关键技术研究[D].中国人民解放军国防科学技术大学.2000
[8].司磊,王纪武,龙兴武.低压反应离子镀等离子源的研制[J].真空.2000
[9]..低压反应离子镀新工艺及其设备[J].电子工业专用设备.1997
[10].李捍东,曾志国,高健存,韩丽瑛.低压反应离子镀氧化钨电致变色薄膜[J].激光与红外.1996
论文知识图
