全文摘要
本实用新型公开了一种测量超高偏振消光比的实验装置，涉及偏振光学、激光技术及干涉测量领域。本实用新型是：待测激光光源、1\/2波片、电光晶体、检偏器、光电探测器、混频解调器和数据处理器依次连通，实现光到电的转换并进行数据测量及处理；温控器和电光晶体连接，实现对电光晶体的温度控制；信号源分别与电光晶体和混频解调器连接，给电光晶体和混频解调器提供高频信号。本实用新型利用了偏振光的干涉特性，采用了高频电光调制解调技术，避开了低频噪声干扰，以及结合特殊设计的测量和数据处理方法，实现了低噪声、高精度的偏振消光比测量。
主设计要求
1.一种测量超高偏振消光比的实验装置，其特征在于：包括待测激光光源（00）、1\/2波片（10）、电光晶体（20）、温控器（30）、检偏器（40）、光电探测器（50）、信号源（60）、混频解调器（70）和数据处理器（80）；待测激光光源（00）、1\/2波片（10）、电光晶体（20）、检偏器（40）、光电探测器（50）、混频解调器（70）和数据处理器（80）依次连通，实现光到电的转换并进行数据测量及处理；温控器（30）和电光晶体（20）连接，实现对电光晶体（20）的温度控制；信号源（60）分别与电光晶体（20）和混频解调器（70）连接，给电光晶体（20）和混频解调器（70）提供高频信号。
设计方案
1.一种测量超高偏振消光比的实验装置，其特征在于：
包括待测激光光源（00）、1\/2波片（10）、电光晶体（20）、温控器（30）、检偏器（40）、光电探测器（50）、信号源（60）、混频解调器（70）和数据处理器（80）；
待测激光光源（00）、1\/2波片（10）、电光晶体（20）、检偏器（40）、光电探测器（50）、混频解调器（70）和数据处理器（80）依次连通，实现光到电的转换并进行数据测量及处理；
温控器（30）和电光晶体（20）连接，实现对电光晶体（20）的温度控制；
信号源（60）分别与电光晶体（20）和混频解调器（70）连接，给电光晶体（20）和混频解调器（70）提供高频信号。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及偏振光学、激光技术及干涉测量领域，尤其涉及一种测量超高偏振消光比的实验装置。
背景技术
消光比的测量属于偏振参数测量的内容，其测量精度将影响到利用偏振器件对各种光辐射的偏振性质进行测量和鉴别的检测精度，以及影响利用偏振器件对其他具有偏振变换性质的光学器件的偏振响应的检测和分析。所以，随着偏振光学、激光技术、精密光学零件制造及干涉测量科学的发展，超高偏振消光比的精确测量显得尤为重要。
对于偏振分光器件消光比的测量，一般是利用双镜测试法和高消光比测试法等手段，但是上述方法普遍存在着消光比测量不确定度大且无法测量百万甚至更高量级的消光比。
发明内容
本实用新型的目的就在于克服现有技术存在的缺点和不足，提供一种测量超高偏振消光比的实验装置。
本实用新型的目的是这样实现的：
利用偏振光的干涉特性，采用高频电光调制解调技术，避开光电探测中的低频噪声干扰，以及结合特殊设计的测量和数据处理方法，最终实现低噪声、高精度的偏振消光比测量。
一、测量超高偏振消光比的实验装置(简称装置)
本装置包括待测激光光源、1\/2波片、电光晶体、温控器、检偏器、光电探测器、信号源、混频解调器和数据处理器；
待测激光光源、1\/2波片、电光晶体、检偏器、光电探测器、混频解调器和数据处理器依次连通，实现光到电的转换并进行数据测量及处理；
温控器和电光晶体连接，实现对电光晶体的温度控制；
信号源分别与电光晶体和混频解调器连接，给电光晶体和混频解调器提供高频信号。
二、测量超高偏振消光比的实验方法(简称方法)
本方法包括下列步骤：
①待测激光光源、1\/2波片、电光晶体、检偏器、光电探测器、混频解调器和数据处理器依次连通，并将检偏器固定于某一角度；温控器和电光晶体连接；信号源分别与电光晶体和混频解调器连接,并提供频率f为几MHz到几十MHz的信号给电光晶体和混频解调器；
②在电光晶体主轴附近选定1\/2波片待调整的角度θ1…θi…θN；
③将1\/2波片的光轴与电光晶体主轴的夹角调到θi；
④连续改变温控器的温度控制点，即连续改变电光晶体的温度；
⑤在数据处理器处测得一组电压随晶体温度的变化曲线，得到曲线的幅值 Vi；
⑥如果1\/2波片的旋转次数还未到N次时，继续上述步骤；直到i＝80时，即停止转动；
⑦取这些曲线的幅值Vi与相对应的角度θi进行拟合，得Vi-θi曲线；
⑧定出Vi-θi曲线中电压的最小值Vmin；
⑨由公式设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920077730.X
申请日:2019-01-17
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:83(武汉)
授权编号:CN209432407U
授权时间:20190924
主分类号:G01M 11/02
专利分类号:G01M11/02
范畴分类:30A;
申请人:中国科学院武汉物理与数学研究所
第一申请人:中国科学院武汉物理与数学研究所
申请人地址:430071 湖北省武汉市武昌区小洪山西30号
发明人:支允琳;毕进;李刘锋;陈李生
第一发明人:支允琳
当前权利人:中国科学院武汉物理与数学研究所
代理人:黄瑞棠
代理机构:42001
代理机构编号:武汉宇晨专利事务所
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计
标签：消光比论文;