论文摘要
采用磁控溅射方法沉积了Al/Si薄膜,通过自然氧化形成中间层,再结合快速光热退火制备出微晶硅.研究了铝诱导非晶硅晶化的两个热力学过程:Si的扩散和Si的形核长大.利用拉曼散射光谱仪和X射线衍射仪对薄膜进行了结构表征.结果表明:在铝诱导非晶硅的晶化过程中引入中间氧化层,有利于改善晶化效果,获得晶粒较大且结构均匀的薄膜;低温下,温度对Si的扩散起决定作用,过厚的氧化层会阻碍Si的扩散,使其浓度不能达到临界形核浓度,无法使非晶硅晶化;较大的Al晶粒及Al对Si晶粒的"润湿"能在低温下诱导非晶硅晶化.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 张力元,杨雯,段良飞,杨培志,杜凯翔
关键词: 非晶硅薄膜,磁控溅射,铝诱导晶化,热力学机理,中间氧化层
来源: 云南师范大学学报(自然科学版) 2019年05期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学
单位: 云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,云南省科学技术院
基金: 云南科技计划重点资助项目(2017FA024),国家自然科学基金云南联合基金资助项目(U1802257),云南省高校科技创新团队支持计划资助项目
分类号: O613.72
页码: 15-20
总页数: 6
文件大小: 613K
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