导读:本文包含了锑化铟论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:阈值,损伤,增透膜,载流子,光伏,有限元,红外探测器。
锑化铟论文文献综述写法
柏伟[1]（2019）在《锑化铟红外焦平面探测器发展现状》一文中研究指出近年来,红外探测器技术发展迅速,在国防、气象、红外遥感和航空航天等众多领域应用广泛。作为中波红外波段最重要的探测器之一,锑化铟(InSb)红外焦平面探测器具有量子效率极高、暗电流小、器件响应线性度高、稳定性好、灵敏度极高等特点,因此备受人们的关注和重视。InSb焦平面探测器性价比高,优势十分突出,其快速发展在很大程度上提高了红外整机性能,同时还覆盖了导弹精确制导、卫星预警探测、机载搜索侦察、红外成像及消防、医疗、电力检测、工业测温等军民两用领域。梳理了国外发达国家在InSb红外焦平面探测器方面的研究情况,分析了其发展方向并对发展前景及趋势进行了展望。(本文来源于《红外》期刊2019年08期）
梁进智,徐长彬,李海燕[2]（2019）在《锑化铟红外焦平面阵列制备技术》一文中研究指出锑化铟作为制备中波红外探测器的主流材料,其光敏芯片规模经历了单元、多元、线列到面阵的发展过程。出于市场应用需求,光敏芯片的制备技术不断更新换代。按发展先后顺序介绍了锑化铟光敏芯片PN结的制备技术,具体包括热扩散技术、离子注入技术和外延技术。目前国内成熟的光敏芯片成结技术为热扩散技术。国外主流厂家在热扩散、离子注入、外延工艺方面都已研发成熟,并投入实际生产。着重介绍了叁种工艺技术的优缺点及配套的焦平面阵列结构设计。(本文来源于《红外》期刊2019年06期）
亢喆,曹海娜,邱国臣,肖钰[3]（2019）在《锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究》一文中研究指出设计了一种专门用于锑化铟红外探测器器件工艺中钝化前的脱水处理工艺技术。包含脱水、干燥和表面处理等一系列的工艺步骤,可作为基于锑化铟材料的焦平面红外探测器器件中钝化前的标准化处理工艺。针对脱水工艺设计中遇到的问题对操作方式进行了重新设计和改进,避免了工艺引入杂质和离子对器件性能造成影响。改进后的工艺在脱水处理后采用高温烘干与吹扫相结合的方式对芯片进行干燥,并加入预处理工艺对脱水后钝化前的芯片进行表面处理,从而使锑化铟材料红外器件工艺适应各种环境湿度的工艺条件。(本文来源于《电子器件》期刊2019年03期）
赵晨,薛文瑞,陈曦,陈岳飞,李昌勇[4]（2018）在《基于磷化铟、砷化铟和锑化铟的光栅型超宽带远红外线吸收器》一文中研究指出设计了一种由磷化铟(In P)、砷化铟(In As)和锑化铟(In Sb) 3种半导体材料复合而成的槽深线性渐变的光栅型超宽带远红外线吸收器。其吸收机理是表面等离子共振效应和电介质腔共振效应。利用频域有限差分法(Finite-Difference Frequency-Domain,FDFD)计算的结果表明,凹槽个数的改变对吸收率的影响相对较大,而凹槽深度、凹槽宽度、涂层厚度和光栅周期的变化对吸收率的影响相对较小。在采用优化的结构参数条件下,以及入射角为0~80°和入射波长为28~75 μm的范围内,此吸收器的平均吸收率可达到92%以上。本文所设计的吸收器有望在远红外探测等方面得到应用。(本文来源于《红外》期刊2018年09期）
刘洋,张悦,牛春晖,吕勇[5]（2018）在《激光辐照锑化铟红外探测器的热应力损伤研究》一文中研究指出通过介绍锑化铟红外探测器的基本构成及其材料热力学相关特征,阐述了激光辐照锑化铟红外探测器造成的损伤机理,采用有限元分析法,分析相关的辐照环境和条件并建立了一种叁维仿真模型。仿真模拟了波长为10.6μm的CO_2激光辐照锑化铟红外探测器时各部分的温度变化及应力变化情况,通过数值分析比较了在光斑面积一定的情况下经过不同功率的激光辐照后锑化铟探测器表面径向及内部轴向发生的温度场变化及应力场变化;探测器表面应力值经过10~6W/cm~2的激光辐照后很快达到最高点,造成损伤,锑化铟与铟柱接触部分的应力值随光斑半径大小不同而有所变化。将锑化铟探测器材料的应力损伤阈值及变化趋势同已有实验数据进行对比,验证了模型的精确性。(本文来源于《激光与红外》期刊2018年07期）
张悦,牛春晖,李晓英,张巧云[6]（2018）在《10.6μm激光对锑化铟红外探测器的热损伤研究》一文中研究指出通过介绍锑化铟红外探测器的基本构成及其材料热学相关特征,阐述了激光辐照锑化铟红外探测器造成的损伤机理,采用有限元分析法,分析相关的辐照环境和条件并建立了一种叁维仿真模型。仿真模拟了波长为10.6μm的CO_2激光辐照锑化铟红外探测器时各部分的温度变化情况,通过数值分析得出了在光斑面积一定的情况下只有激光功率密度增大到一定程度时,锑化铟探测器表面才会发生熔融损伤,且功率密度越高,造成破坏所需的时间越短;对于探测器各部分受到不同脉冲宽度的激光辐照时,损伤阈值与脉冲宽度的对数之间呈线性变化。将锑化铟探测器材料的损伤阈值区间,同已有实验数据进行对比,验证了模型的精确性。(本文来源于《红外技术》期刊2018年06期）
钱银银[7]（2018）在《锑化铟孪晶超格子纳米线的液相控制制备、生长机理及性质研究》一文中研究指出金属锑化物特别是Ⅲ-Ⅴ金属锑化物已被广泛应用于高速光电子器件、红外光电探测器、热电转换、光伏/太阳能发电、电催化以及锂/钠离子电池电极材料等领域,并且表现出优异的物理化学性能和广泛的应用前景。锑化铟(InSb)为典型的四配位化合物,具有闪锌矿结构,是重要的窄带半导体材料。InSb不仅可以用于制作高性能的远红外光电探测器件,而且还可以利用其具有霍耳和磁阻等效应制作相应的电子和光电子器件。众所周知,材料的尺寸、结构、甚至形状对其性质均会产生重要的影响,低维纳米材料所展现的光学和电学等性质与其相对应的块体材料具有显着的区别。目前,InSb纳米线等一维纳米结构/材料主要通过气-液-固(VLS)等多种气相方法来控制制备,而因受反应源缺乏和溶液热力学的限制少有液相方法报道用于其纳米线的制备。为解决上述难题,我们利用目前的商业前躯源,建立和发展了一种温和的液相合成方法,实现了锑化铟孪晶超格子纳米线的控制制备,并且研究探明了该纳米结构的生长机理及相关物化性能。同时,将此液相合成路线还可拓展用于过渡金属锑化物的控制制备和性能研究。本论文主要创新研究结果归纳如下:1.建立了锑化铟孪晶超格子纳米线的液相合成方法。设计和建立了一种基于自催化溶液-液-固(SLS)生长机制的液相合成路径,以可直接通过商业购买的乙酰丙酮铟和叁苯基锑作为反应前驱源,在强还原剂甲硼烷-叔丁基胺络合物的作用下,反应体系中的一部分In(Ⅲ)首先被还原成In(0)形成In纳米颗粒作为锑化铟孪晶超格子纳米线生长的金属催化剂。由于In的标准电极电势E°In(Ⅲ)/In(-0.338 V)小于Sb的标准电极电势E°Sb(Ⅲ)/Sb(0.152 V),从溶液热力学角度来说,反应体系中的Sb(Ⅲ)应先于In(Ⅲ)被还原,然而实验结果表明Sb(Ⅲ)的还原明显滞后于In(Ⅲ),这说明在反应温度为180 ℃条件下,In(Ⅲ)在溶液动力学上比Sb(Ⅲ)更易被还原。由于In(Ⅲ)和Sb(Ⅲ)在热力学与动力学上还原趋势各不相同,会导致溶液中In(0)和Sb(0)的浓度呈现周期性振荡变化。反应一开始溶液中的In(0)浓度占优势,InSb纳米线催化生长按照反应方程式InSb + xIn →(InSb:Inx)形成“片段a”,随后根据反应方程式Sb(Ⅲ)+In(0)→ Sb(0)+ In(Ⅲ),溶液中一部分Sb(Ⅲ)被In(0)还原使Sb(0)浓度开始上升,此时InSb纳米线的生长方式按照反应方程式(InSb:Inx)+ x Sb →(x + 1)InSb形成“片段b”,当溶液中In(0)和Sb(0)的浓度呈现周期性振荡变化,那么“片段a”和“片段b”会周期性地重复出现,继而形成周期性孪晶超格子纳米线结构。此液相合成方法中的金属催化剂是通过强还原剂作用在溶液中原位生成,无需额外引入,这样不仅简化了实验步骤,也避免了由于额外杂质的引入对反应产物的结构和性质造成影响。相关测试结果表明所合成的锑化铟纳米线沿<111>方向生长且具有孪晶超格子结构。同时,我们还系统研究了反应前驱源比例、反应温度、反应时间以及表面活性剂对产物的结构、形貌造成的影响。基于上述液相合成方法,我们在反应时间仅为60秒的情况下制备出具有相同品质的锑化铟孪晶超格子纳米线,这很大程度上降低了反应能耗,为其工业化生产提供良好基础。2.提出了一种锑化铟孪晶超格子纳米线的生长机理,并研究了与此结构相关联的光电性能。一旦强还原剂注入到反应体系中,由于在热力学与动力学上In(Ⅲ)和Sb(Ⅲ)的还原趋势各不相同,导致溶液中还原生成的In(0)和Sb(0)的浓度呈现周期性振荡变化,正是这种变化使得纳米线的生长也随之呈现出相应的周期性振荡变化,从而导致孪晶超格子结构的形成。通过小角X射线散射,我们可以确定每个孪晶超格子周期结构中大约包含36-42个原子层。为了进一步研究锑化铟纳米线的光诱导载流子的瞬态行为,我们通过光泵浦太赫兹光谱测得其载流子寿命仅为皮秒级别;同时,我们成功组装了单根纳米线场效应晶体管来研究锑化铟孪晶超格子纳米线的电子传输特性,通过半导体测试系统测得其为P型半导体且在室温下具有相当高的载流子迁移率,并通过拉曼光谱进一步确定其表面具有很高的载流子浓度。3.发展了过渡金属锑化物的液相合成方法,通过选用不同的过渡金属前驱源与叁苯基锑发生反应,以油胺或十八烯为反应溶剂,在强还原氛围中成功制备出NiSb、CoSb和Ag3Sb叁种不同的过渡金属锑化物。目前已有很多种类的过渡金属锑化物纳米材料通过传统的合成方法制备出来,这些方法包括机械合金法、化学合金法以及基于气-液-固(VLS)生长机制的气相法,以上合成方法往往在反应过程中需要很高的反应温度、很长的反应周期以及会排放污染环境的有害气体而使其应用受到限制。X射线粉末衍射和电镜照片证实了反应产物为纯相且具有良好的结晶性。我们通过配体交换,将吸附在NiSb纳米晶体表面的长链有机配体除去,从而提高其导电性,配体交换的效果可以从衰减全反射傅立叶红外(ATR-FTIR)光谱测试结果中得到确认。随后,我们测试了通过配体交换后的NiSb纳米晶体在钠离子电池存储和电催化析氢方面的性能,测试结果表明其具有良好的循环稳定性和较高的催化活性(塔菲尔斜率为115 mV dec-1,电流密度达到50 mA cm~(-2)仅需过电势531 mV)。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-05-01）
刘晞贤,苏小会,冯攀,王伟涛,高丹[8]（2017）在《特殊光伏锑化铟红外探测器的设计》一文中研究指出HX-2A红外探测器为光伏锑化铟探测器。为了提高响应速度,探测器芯片采用p-n结结构,其p型层厚度小于0.75μm,n型层厚度约为500μm。探测器芯片采用镀增透膜(减反膜)的方法来进一步提高探测率,同时为了增加光学限光片的可靠性,避免引起盲区变化,直接将限光片图形光刻到探测器芯片表面,制成限光片芯片。通过对光电元件的特殊设计及改进,HX-2A红外探测器与原有的HX-2低温光导锑化铟红外探测器相比,响应速度及探测率都有很大提高。(本文来源于《电子工艺技术》期刊2017年05期）
白育堃,魏仁霄,马秀荣,马颖[9]（2017）在《基于锑化铟的可调超材料太赫兹带阻滤波器（英文）》一文中研究指出提出了一种工作在太赫兹频段,基于半导体材料锑化铟的超材料带阻滤波器.由于锑化铟材料介电常数的特性,该滤波器的谐振频率能够进行温度调节.同时,通过有限积分法和等效LMC电路模型分析了滤波器的几何参数对其谐振频率的影响,这两种方法得到的结果具有良好的一致性.在温度的取值范围是220~350K时,滤波器的谐振频率能够从0.91 THz动态调节到1.28 THz,并且其阻带谐振频率的透射系数能够有限地被抑制.该滤波器的传输特性在30°入射角范围内具有良好的稳定性.设计的可调超材料带阻滤波器将在太赫兹无线通信、传感等方面有潜在的应用前景.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2017年03期）
吴学铭,王海晏,寇添,王芳,寇人可[10]（2016）在《工作温度对锑化铟探测系统作用距离的影响》一文中研究指出针对工作温度对光伏型锑化铟探测系统作用距离的影响,通过将特定器件的载流子输运与热噪声方程结合,得到温度与器件归一化探测率的关系,并将其提升到系统级,得到工作温度变化条件下,系统作用距离模型;在模型的基础上,设定探测条件并进行仿真,得到系统作用距离随工作温度变化曲线,分析了温度对系统作用距离的影响;为验证模型准确性,设计并进行了不同温度条件下系统作用距离的实验,对比了仿真与实验结果,并分析误差原因,得出该模型符合实际情况的结论,对改善系统工作环境及优化使用方法有重要意义。(本文来源于《激光与红外》期刊2016年08期）
锑化铟论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
锑化铟作为制备中波红外探测器的主流材料,其光敏芯片规模经历了单元、多元、线列到面阵的发展过程。出于市场应用需求,光敏芯片的制备技术不断更新换代。按发展先后顺序介绍了锑化铟光敏芯片PN结的制备技术,具体包括热扩散技术、离子注入技术和外延技术。目前国内成熟的光敏芯片成结技术为热扩散技术。国外主流厂家在热扩散、离子注入、外延工艺方面都已研发成熟,并投入实际生产。着重介绍了叁种工艺技术的优缺点及配套的焦平面阵列结构设计。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
锑化铟论文参考文献
[1].柏伟.锑化铟红外焦平面探测器发展现状[J].红外.2019
[2].梁进智,徐长彬,李海燕.锑化铟红外焦平面阵列制备技术[J].红外.2019
[3].亢喆,曹海娜,邱国臣,肖钰.锑化铟红外焦平面器件钝化前脱水工艺研究[J].电子器件.2019
[4].赵晨,薛文瑞,陈曦,陈岳飞,李昌勇.基于磷化铟、砷化铟和锑化铟的光栅型超宽带远红外线吸收器[J].红外.2018
[5].刘洋,张悦,牛春晖,吕勇.激光辐照锑化铟红外探测器的热应力损伤研究[J].激光与红外.2018
[6].张悦,牛春晖,李晓英,张巧云.10.6μm激光对锑化铟红外探测器的热损伤研究[J].红外技术.2018
[7].钱银银.锑化铟孪晶超格子纳米线的液相控制制备、生长机理及性质研究[D].中国科学技术大学.2018
[8].刘晞贤,苏小会,冯攀,王伟涛,高丹.特殊光伏锑化铟红外探测器的设计[J].电子工艺技术.2017
[9].白育堃,魏仁霄,马秀荣,马颖.基于锑化铟的可调超材料太赫兹带阻滤波器（英文）[J].红外与毫米波学报.2017
[10].吴学铭,王海晏,寇添,王芳,寇人可.工作温度对锑化铟探测系统作用距离的影响[J].激光与红外.2016