导读:本文包含了热释电材料论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:材料,纳米,钛酸钡,金刚烷胺,电介质,性能,电泳。
热释电材料论文文献综述写法
王艺曈,王文静,常园园,张洋洋[1]（2019）在《高性能无铅热释电材料的研究与制备》一文中研究指出近年来,热释电红外探测器和探测器阵列由于具有非制冷、广谱响应、性价比高等优点,已引起红外技术的重要变革。本文通过传统固相反应法制备了Cu掺杂KNN热释电陶瓷,从而找出更高性能的热释电材料配方。实验结果表明,适量的Cu掺杂可以明显地提高热释电陶瓷的致密度,提高介电常数,降低介电损耗,增大压电常数和机电耦合系数,使热释电系数达到了最大值,改善了热释电陶瓷的性能。(本文来源于《科技视界》期刊2019年17期）
李海洲[2]（2019）在《PVDF基复合热释电材料的制备及其性能研究》一文中研究指出随着人工智能和生物智能的不断发展,对柔性热释电材料提出了更高的要求。柔性热释电材料兼具结构简单、柔性、薄膜化、价格低廉等众多优点,在热释电领域得到了快速的发展。本文以柔性聚偏氟乙烯(PVDF)热释电材料为主体,研究不同材料掺杂后复合材料热释电性能的变化,并对制备工艺进行优化。主要的研究工作如下:(1)以PVDF为主体材料,钛酸钡(BT)为复合添加相,研究了BT的结构对复合薄膜性能的影响。实验结果表明以改性BT纳米线为掺杂物的1-3型复合薄膜性能最好。通过XRD、FTIR和D-E曲线表明,该1-3型复合薄膜中的β相含量最高,剩余极化强度最大;改性后的BT纳米线有助于复合材料β相的生成,主要是由于聚多巴胺和PVDF分子链之间氢键作用,诱导PVDF中的α相转变成β相,从而达到β相增多的效果。不过复合材料的相对介电常数和介电损耗都变大,而且降低了PVDF薄膜本身的抗击穿特性,优质因子等指标也有所下降。(2)以PVDF为主体材料,钽酸锂(LT)为复合添加相,研究了LT对复合薄膜性能的影响。SEM分析表明,复合薄膜表面孔洞很多。FTIR和D-E曲线测试结果表明该复合薄膜α相和β相含量基本保持不变,而剩余极化强度提升明显。热释电及介电测试结果表明,复合材料热释电性能有明显提升,不过介电特性较掺杂前明显降低。(3)以PVDF为主体材料,聚酰亚胺(PI)为复合添加相,研究了PI对复合薄膜性能的影响。SEM分析表明,复合薄膜表面比较致密,这归因于两有机相容性较好。FTIR和D-E曲线测试结果表明复合薄膜中α增加,β相减少,剩余极化强度变小,证明PI有益于PVDF中α的生成或者有益于β相到α相的转变,复合薄膜热释电系数也因此降低。不过介电分析表明,复合薄膜的抗击穿性能提升较大,介电常数相对减小,抗拉伸能力增强。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-03-01）
郭伟立,姚春华,王根水,董显林[3]（2016）在《黑体辐射测量系统的搭建与BST热释电材料性能研究》一文中研究指出我们利用黑体辐射和半导体制冷技术搭建了一套热释电样品特性测试系统,它可测量热释电样品的电压响应率,电流响应率,介电温谱和电流优值等。利用本测试系统,我们测量了Ba_(70)Sr_(30)TiO_3样品的热释电性能,实验结果表明我们的测试系统可给出表征样品热释电特性的有用参数,这些参数对描述样品的红外特性有很大的帮助。(本文来源于《2016年红外、遥感技术与应用研讨会暨交叉学科论坛论文集》期刊2016-12-06）
杨林荣,罗豪苏,李龙,许晴,赵祥永[4]（2014）在《新型热释电材料性能及其在红外探测器中的应用》一文中研究指出弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT),Mn掺杂PMNT,叁元系铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIMNT)和Mn掺杂PIMNT不仅具有优异的压电性能,而且还具有非常优异的热释电性能。通过对弛豫铁电单晶的介电、热释电性能随固熔体组成,结晶学取向的研究,发现了[111]取向的PMN-0.26PT和掺锰PMN-0.26PT单晶的本征热释电系数分别达到15.3×10-4C/m2K和17.2×10-4C/m2k,具有优异的热释电综合性能。掺杂后,二元和叁元体系弛豫铁电单晶介电损耗降至0.0005,使得Mn掺杂PMN-0.26PT单晶的探测优值从15.3×10-5Pa-1/2提高至40.2×10-5Pa-1/2,Mn掺杂PIMNT的探测优值达到19.5×10-5Pa-1/2。高居里温度PIMNT(41/17/42)和Mn掺杂PIMNT(23/47/30)单晶的TC分别达到253℃和179℃,可在更宽的温度范围内应用。晶片减薄后(尤其是减薄至十几微米量级)存在尺寸效应和界面效应,会同时影响了介电常数对频率的响应,使得其整体介电损耗大幅增加。采用红外吸收率更高的多壁碳纳米管作为吸收层,制备了基于Mn掺杂PMNT单晶的高性能热释电探测器,在电压模式下,电压响应率RV为23646V/W,比探测率D*(10 Hz,500 K,25℃)达到1.05×109 cm Hz1/2W-1,并在2Hz达到最大值1.25×109 cm Hz1/2W-1。而在电荷模式下该探测器的电压响应率达到115k V/W(10Hz),探测率在4Hz和10Hz时分别达到3.0×109cm·Hz1/2/W和2.21×109cm·Hz1/2/W,性能比目前商用的高性能Li Ta O3探测器要高出4倍之多,显示出了明显的性能优势。(本文来源于《上海市红外与遥感学会第十九届学术年会论文集》期刊2014-12-04）
李艳艳,张四纯,张新荣[5]（2014）在《热释电材料辅助激光解吸离子化质谱分析小分子物质》一文中研究指出基质辅助激光解吸质谱(MALDI-MS)适合生物大分子的分析,但基质对低质量端小分子物质的测定会产生明显的信号干扰。为了避免基质的影响,本文利用热释电材料的特性,建立了以热释电晶体片作为样品靶板,直接进行红外激光解吸质谱分析小分子物质的方法(称之为pyroelectricity-assisted IR-LDI-MS)。研究中使用波长为1064nm,频率20Hz红外激光器。在检测的5个胺类和酰胺类标准品中,热释电材料作为基片~2时的离子化信号强度比铜片为基片时高10倍以上。该方法对药物成分金刚烷胺标准品的检测限度达到20pg;对以尿液为基体的快克感冒胶囊进行稀释,可检测到150 pg的金刚烷胺。该方法还具有无基质,无高压,样品前处理简单的优点。(本文来源于《中国化学会首届全国质谱分析学术研讨会会议论文集》期刊2014-04-26）
李龙,许晴,赵祥永,罗豪苏[6]（2014）在《新型热释电材料性能及其在红外探测器中的应用》一文中研究指出弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT),Mn掺杂PMNT,叁元系铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIMNT)和Mn掺杂PIMNT)不仅具有优异的压电性能,而且还具有非常优异的热释电性能。通过对弛豫铁电单晶的介电、热释电性能随固熔体组成、结晶学取向的研究,发现了[111]取向的PMN-0.26PT和掺锰PMN-0.26PT单晶的本征热释电系数分别达到15.3×10-4 C/m2 K和17.2×10-4 C/m2 K,具有优异的热释电综合性能。掺杂后,二元和叁元体系弛豫铁电单晶的介电损耗降至0.000 5,使得Mn掺杂PMN-0.26PT单晶的探测优值从15.3×10-5 Pa-1/2提高至40.2×10-5 Pa-1/2,Mn掺杂PIMNT的探测优值达到19.5×10-5 Pa-1/2。高Curie温度(TC)PIMNT(41/17/42)和Mn掺杂PIMNT(23/47/30)单晶的TC分别达到253℃和179℃。采用红外吸收率更高的多壁碳纳米管作为吸收层,制备了基于Mn掺杂PMNT单晶的高性能热释电探测器,该探测器的电压响应率达到115kV/W(10Hz),探测率在4Hz和10Hz时分别达到3.0×109 cm·Hz1/2/W和2.21×109 cm·Hz1/2/W,性能比目前商用的高性能LiTaO3探测器要高出4倍之多,弛豫铁电单晶线阵红外探测器也显示出了明显的性能优势。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2014年04期）
杨明[7]（2014）在《钽酸锂热释电材料及单元结构仿真研究》一文中研究指出钽酸锂(LiTaO3)是一种优秀的热释电材料,由其制作的太赫兹热释电探测器具有体积小、性价比高的优点,且其生产过程对周围环境不存在污染,使其成为军用、商用制备热释电探测器的热门材料。本论文是对基于LiTa O3的太赫兹热释电单元器件进行研究,采用新型的Sol-Gel法制备高性能的LiTaO3薄膜材料,测试了薄膜的介电、铁电、热释电性能,并应用软件对基于实验材料的探测器进行建模和仿真,为太赫兹热释电探测器以后的制备工作提供理论依据。论文主要的研究内容如下:采用新型的Sol-Gel方法制备了高浓度的LiTaO3胶体溶液。使用新型的高溶解度的1.2-丙二醇为实验的溶剂,制备浓度高达1.2 mol/L的LiTaO3溶液,大大减少了匀胶甩胶重复的次数,缩短实验的周期,提高了制备薄膜的效率。研究新型LiTaO3薄膜的制备工艺及其介电、漏电、热释电性能。在Pt和FTO导电薄膜电极上制备LiTaO3薄膜,并研究不同衬底材料、不同退火气氛及温度对LiTaO3薄膜结晶的影响;研究不同退火气氛对LiTaO3薄膜介电常数、介电损耗的影响;研究Pt与新型FTO导电薄膜为下电极的LiTaO3薄膜铁电及热释电的性能。实验中,10 kHz时Pt和新型FTO导电薄膜下电极上制备的LiTa O3薄膜的介电损耗分别为0.006和0.011,介电常数分别为45和54;两种衬底上薄膜漏电电流分别为4.67×10-8 A/cm2和5.12×10-7 A/cm2;在64℃时,其热释电系数值分别为1.43×10-8μC/(cm2·K)和1.22×10-8μC/(cm2·K);计算制备LiTaO3薄膜的电压响应优值和探测度优值,其值分别为0.99×10-10·C·cm·J-1和0.61×10-8·C·cm·J-1。本实验制备的材料与其它类型的热释电材料相比更有优势。应用IntelliSuite软件对基于LiTaO3薄膜的太赫兹热释电探测器的板凳型和锥型结构进行建模与仿真。并将锥型结构与传统的板凳型结构进行对比,研究不同尺寸的探测器和不同的接触面积对探测器结构的热学与力学的影响。证明锥型结构对于薄膜型探测器而言更可行。(本文来源于《电子科技大学》期刊2014-04-02）
彭强祥[8]（2014）在《PZT厚膜热释电材料及非制冷红外器件技术研究》一文中研究指出Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT)热释电厚膜材料的制备技术成熟、工艺重复性好、性能稳定、成本低廉,兼具块材和薄膜的优点,是制备红外探测器的优选材料,是国内外研究的热点与重点。在此背景下,本文利用电泳沉积法制备了图形化的PZT厚膜材料,并对低温烧结、Si/Pb互扩散阻挡层和冷等静压技术叁种材料性能提升方法进行了系统研究。发展了一种新结构的厚膜红外探测器,并进行了器件微细加工工艺和高频响应特性测试等研究。最后,开展了PZT单晶纳米棒在红外探测器中的应用研究,获得了高探测率的多孔PZT纳米棒/纳米粉厚膜器件。首先,在水热法制备PZT纳米粉的基础上,研究了电泳沉积法工艺参数,如悬浮液参数(PH值、分散剂含量和陈化时间)和电泳参数(电压、电流和时间),对制备图形化PZT厚膜质量的影响。研制出了能够满足电泳沉积应用要求的PZT无水乙醇悬浮液:PZT含量为20 gL-1,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)含量为4 gL-1,PH值为5。根据电泳过程中电流随电压、时间的变化规律,建立了厚膜生长速度与时间的线性模型。在30 V的最佳电泳电压下,PZT厚膜最小线宽小于100μm,表面粗糙度约为213 nm,能满足制备热释电红外探测器的应用要求。其次,对Si衬底上制备的PZT厚膜材料,进行了Pb5Ge11O3(PGO)助烧剂、冷等静压和TiOx扩散阻挡层对降低烧结温度、阻止Si/Pb互扩散和提高热释电性能等的影响研究。在PZT厚膜中掺入固相合成法合成的PGO助烧剂,再用冷等静压技术提高PZT厚膜生胚的致密度,增强PGO助烧剂与PZT粉体的接触界面,可将最低结晶温度从750°C降低至710°C。通过优化实验确定PGO含量为3wt%。采用热氧化的方法制备了TiOx硅扩散阻挡层,对750°C、1 h烧结的PZT厚膜断面进行电子能谱仪(EDS)测试,发现400 nm TiOx阻挡层能有效减少基片中Si元素向厚膜的扩散。通过系列实验,得到优化的工艺条件为:PGO助烧剂为3wt%,冷等静压为280 MPa,TiOx扩散阻挡层厚度为400 nm。在750°C烧结温度下,制备的PZT厚膜热释电系数(Pc)为1.71×10-8 Ccm2K-1,介电常数(εr)为330,介电损耗(tanδ)为0.015,电压响应率优值因子(FV)为0.023 m2C-1,探测率优值因子(FD)为1.0×10-5Pa-1/2。材料性能与制备工艺能够满足在Si衬底上制作高性能的PZT厚膜热释电红外探测器的要求。设计了一种新型的“双硅杯”-微桥单元探测器结构,通过Ansys热仿真确定了优化的器件结构、微桥长度、微桥宽度和硅杯底部硅支撑层厚度等参数。通过TMAH湿法腐蚀、电感耦合等离子(ICP)干法刻蚀、光刻和剥离等工艺制作了微桥长度为1 mm、宽度为500μm、PZT厚膜悬空的红外单元探测器,在163 Hz下的探测率D*为7.5×108 cmHz1/2W-1,时间常数51 ms,能满足中高频红外探测应用要求。提出了一种采用PZT单晶纳米棒和纳米粉体材料制备多孔PZT热释电厚膜的新方法。通过添加表面活性剂控制PZT晶核表面能实现定向生长的方法,用水热法制备了(001)取向的PZT单晶纳米棒。用电泳沉积制备PZT单晶纳米棒/纳米粉多孔低介厚膜材料,并阐述了电泳沉积制备多孔PZT纳米棒/纳米粉厚膜的成膜机制。多孔PZT纳米棒/纳米粉厚膜红外探测器的探测率D*在纳米粉厚膜基础上提升了33%,达到1.0×109 cmHz-1/2W-1。最后,在Ti箔、掺铌钛酸锶(NSTO)、TiO2和Al2O3等衬底上,探索了用水热法制备(001)PZT单晶纳米棒阵列的生长机理研究。实验发现:当衬底表面含有Ti原子时,(001)取向的PZT单晶纳米棒阵列的成核密度明显提高,生成产物与衬底附着力好,表明表面Ti原子诱导了PZT单晶纳米棒的成核。通过优化工艺,在NSTO衬底上生长出高致密度的PZT单晶纳米棒阵列,并首次测得未极化PZT纳米棒阵列的热释电系数为1.5×10-9 Ccm2K-1。对PZT单晶纳米棒阵列的系列研究工作为将来开展热释电微纳阵列器件提供了实验基础。(本文来源于《电子科技大学》期刊2014-03-28）
张爱兵[9]（2013）在《基于连续位错模型的热释电材料断裂理论》一文中研究指出热释电陶瓷作为功能材料，由于固有的压电、介电和热释电性质，被广泛的应用于传感器、转换器和制动器等智能系统中。然而，热释电材料本身呈脆性，在制备和使用过程中极易产生裂纹、孔洞和夹杂等缺陷。因此，针对含裂纹等缺陷热释电材料的热、电、应力场的分析是非常有必要的。弄清楚热释电材料断裂的物理和力学机制，从而可以更好的为这些智能系统的结构强度、稳定性、使用寿命和设计等方面提供理论参考。基于扩展的Stroh型解、Green函数方法和奇异积分方程方法，本文针对热释电材料直裂纹扩展、裂纹尖端分叉、界面裂纹和裂纹面热-电边界条件等问题作了系统的研究。具体内容如下：首先，针对热-电-机械多场耦合载荷作用下含裂纹的热释电材料，建立了求解应力场和电位移场的裂纹部分接触模型。裂纹模型分别假设为电绝缘的和电流可导通的。基于Green函数方法，问题简化为具有封闭解的一系列奇异积分方程的求解。在裂纹面应力和电荷自由的假定下，除非有一足够大的远场拉应力作用，否则将有裂纹一端的张开位移为负值。因此，上述热释电介质的热-电-力耦合问题转化为裂纹尖端存在部分接触的断裂模型重新求解。作为外部机械载荷、电位移载荷和热流载荷的函数，分别给出了接触区长度、裂纹尖端应力强度因子和电位移强度因子等重要断裂参量的封闭解。结果显示，对于电绝缘裂纹模型来说，电位移不仅在裂纹尖端具有奇异性，而且在接触区前沿也具有奇异性。对于电流可导通裂纹模型，只有裂纹尖端电位移才具有平方根的奇异性。其次，研究了热释电材料在承受热-电-机械多场耦合载荷作用下裂纹尖端分叉的问题，其中裂纹模型假设为电绝缘的。给出了裂纹与热释电位错（即，位于同一点的热学位错、力学位错和电偶极子）相互作用的Green函数。问题转化为求解在分叉裂纹上具有未知热释电位错密度函数的一组奇异积分方程。并获得了重要的断裂力学参量，如：分叉裂纹尖端的应力和电位移强度因子、能量释放率等。通过数值结果分析了热流和电位移载荷对裂纹扩展路径的影响。众所周知，在理论分析方面，双材料界面裂纹尖端存在着振荡奇异性。为了去除这种不合理的界面断裂振荡奇异性，提出了修正界面位错模型。在数学上，界面位错基本解中的Dirac函数由正态分布函数来表示；在物理上，Dirac函数所表征的单位点力解释为区域分布力，成功的消除了裂纹尖端振荡奇异性。基于上述模型，界面裂纹问题从而转化为求解一组第一类奇异积分方程问题。获得了特定材料配比的应力强度因子、断裂混合度和能量释放率等断裂参量。并成功的将修正界面位错模型应用到解释热释电材料界面裂纹问题。最后，基于有限厚度裂纹模型，研究了裂纹面热电边界条件对热释电材料断裂力学问题的影响。假设裂纹内部充满空气（或真空）。利用Green函数和奇异积分方程方法，获得了有限厚度裂纹尖端的应力和电位移强度因子、以及裂纹内部热流和电位移的封闭解，并与理想裂纹面热电边界条件的数值结果进行对比。结果发现对于裂纹面电边界条件来说，电绝缘裂纹模型是更为合理的。而对于裂纹面热边界条件来说，完全导热和热绝缘裂纹模型都不能准确的反映相关的断裂物理参量，裂纹内部空气类介质的导热率是不能忽略的。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2013-09-01）
蔡光强[10]（2013）在《陶瓷/聚合物热释电材料与器件工艺研究》一文中研究指出由陶瓷相与聚合物基体复合而成的热释电复合材料，兼具氧化物陶瓷材料热释电系数高和高分子聚合物热容小、介电常数低、柔性好、可加工性强等优点，已成为目前热释电材料领域中研究的热点。但热释电复合材料的热释电系数较单晶与陶瓷低、陶瓷与聚合物两相间结合强度差、陶瓷相难以充分极化，这些问题都严重制约着此类红外探测器性能的提高。针对上述问题，本论文从PZT陶瓷相的含量选取、煅烧PZT以增强界面相容度和PZT掺杂改性提高自身极化强度等方面对PZT/P(VDF-TrFE)复合材料进行了详细的讨论和研究，并在此基础上采用激光刻蚀技术制备了一种以PZT/P(VDF-TrFE)复合厚膜为热释电敏感材料的新型热释电红外探测器单元。1、研究了复合材料的制备和极化方法。以N, N-二甲基乙酰胺(DMA)为溶剂制备了P(VDF-TrFE)溶液，加入水热法制备的纯钙钛矿结构PZT粉体配制得到PZT/P(VDF-TrFE)悬浮液，并最后通过流延工艺制备了PZT/P(VDF-TrFE)复合厚膜。研究结果显示，流延法制备的复合材料结构致密、表面平整，内部孔隙率较低。通过对复合材料极化工艺的研究发现，采用对复合材料中陶瓷相与聚合物分别极化的分步极化法能够获得较好的极化效果。2、研究了PZT陶瓷相含量与复合材料性能之间的关系。结果表明，PZT粉体含量对两相间的界面结构有显着影响。当PZT含量为50%时，复合材料内部的气孔率较低，材料与基板间的结合紧密。而当其含量升高到60%时，复合材料两相间的界面开始变得粗糙，材料内部气孔率也有所升高。研究表明，在PZT的质量分数为50%时，复合材料具有最高的热释电系数、较低的介电损耗和与P(VDF-TrFE)聚合物厚膜相近的介电常数，其探测度优值因子F_D与纯P(VDF-TrFE)厚膜相比显着提高。3、研究了PZT粉体的煅烧温度对复合材料性能的影响。高温煅烧有助于改善陶瓷相和聚合物之间的结合强度，优化复合材料的整体性能。结果显示，由700℃煅烧过的PZT粉体制备的复合材料具有最高的热电系数96μC/m~2K，比未优化处理的复合材料提高了20％以上，其探测率优值也相应增加了约13.5％。4、研究了PZT中Mn掺杂含量对复合材料性能的影响。采用水热法合成了具有不同Mn含量的PZTM_x陶瓷粉体，并制备了PZTM_x/P(VDF-TrFE)(x=1，2，3)复合材料。研究发现，Mn掺杂有效地降低了PZT的介电常数，陶瓷相的极化强度也因此得到了改善。当PZTM2用作陶瓷填料时，复合材料的介电损耗最低，并且获得了最高的热释电系数和F_D。PZTM2/P(VDF-TrFE)复合厚膜的热释电系数约为113μC/m~2K，比PZT/P(VDF-TrFE)高约26％。介电和热释电性能的大幅优化使得PZTM2/P(VDF-TrFE)的F_D值提高到了1.77×10~(-5)Pa~(-1/2)，相比于PZT/P(VDF-TrFE)提高了约35％。5、最后采用激光刻蚀工艺将PZT/P(VDF-TrFE)复合材料厚膜制作为2×2mm~2的红外热释电单元型器件，并系统地测试并计算了电压响应率(RV)、噪声电压(Vnoise)、噪声等效功率(NEP)和探测率(D*)等表征红外探测器性能的主要参数。当调制频率为5.3Hz时，探测器最高电压响应率达到5.2×10~3V/W。在调制频率为137.3Hz时，器件的最高探测率为1.9×10~8cmHz~(1/2)W~(-1)。(本文来源于《电子科技大学》期刊2013-04-03）
热释电材料论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着人工智能和生物智能的不断发展,对柔性热释电材料提出了更高的要求。柔性热释电材料兼具结构简单、柔性、薄膜化、价格低廉等众多优点,在热释电领域得到了快速的发展。本文以柔性聚偏氟乙烯(PVDF)热释电材料为主体,研究不同材料掺杂后复合材料热释电性能的变化,并对制备工艺进行优化。主要的研究工作如下:(1)以PVDF为主体材料,钛酸钡(BT)为复合添加相,研究了BT的结构对复合薄膜性能的影响。实验结果表明以改性BT纳米线为掺杂物的1-3型复合薄膜性能最好。通过XRD、FTIR和D-E曲线表明,该1-3型复合薄膜中的β相含量最高,剩余极化强度最大;改性后的BT纳米线有助于复合材料β相的生成,主要是由于聚多巴胺和PVDF分子链之间氢键作用,诱导PVDF中的α相转变成β相,从而达到β相增多的效果。不过复合材料的相对介电常数和介电损耗都变大,而且降低了PVDF薄膜本身的抗击穿特性,优质因子等指标也有所下降。(2)以PVDF为主体材料,钽酸锂(LT)为复合添加相,研究了LT对复合薄膜性能的影响。SEM分析表明,复合薄膜表面孔洞很多。FTIR和D-E曲线测试结果表明该复合薄膜α相和β相含量基本保持不变,而剩余极化强度提升明显。热释电及介电测试结果表明,复合材料热释电性能有明显提升,不过介电特性较掺杂前明显降低。(3)以PVDF为主体材料,聚酰亚胺(PI)为复合添加相,研究了PI对复合薄膜性能的影响。SEM分析表明,复合薄膜表面比较致密,这归因于两有机相容性较好。FTIR和D-E曲线测试结果表明复合薄膜中α增加,β相减少,剩余极化强度变小,证明PI有益于PVDF中α的生成或者有益于β相到α相的转变,复合薄膜热释电系数也因此降低。不过介电分析表明,复合薄膜的抗击穿性能提升较大,介电常数相对减小,抗拉伸能力增强。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
热释电材料论文参考文献
[1].王艺曈,王文静,常园园,张洋洋.高性能无铅热释电材料的研究与制备[J].科技视界.2019
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[4].杨林荣,罗豪苏,李龙,许晴,赵祥永.新型热释电材料性能及其在红外探测器中的应用[C].上海市红外与遥感学会第十九届学术年会论文集.2014
[5].李艳艳,张四纯,张新荣.热释电材料辅助激光解吸离子化质谱分析小分子物质[C].中国化学会首届全国质谱分析学术研讨会会议论文集.2014
[6].李龙,许晴,赵祥永,罗豪苏.新型热释电材料性能及其在红外探测器中的应用[J].硅酸盐学报.2014
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[10].蔡光强.陶瓷/聚合物热释电材料与器件工艺研究[D].电子科技大学.2013