论文摘要
红光半导体激光器被广泛用于景观照明、塑料光纤通讯、空气质量检测和医疗等方面,但受限于其可靠性不高及光斑质量差的缺点,在制作点光源或耦合进光纤等方面增加了应用成本。为解决此问题,本文设计并制作了基横模工作的650 nm脊型半导体激光器。结合AlGaInP材料的特点,我们使用极窄波导光场扩展结构,使光场渗入限制层,增加了光场扩展宽度,有效降低了激光器的垂直发散角。通过电感耦合等离子刻蚀技术得到陡峭的2μm宽度的窄脊型结构,然后通过湿法工艺去除损伤并腐蚀到阻挡层位置。干湿结合的工艺使得激光器能稳定地基横模输出。制作的激光器远场图形呈近圆形分布,克服了传统半导体激光器光斑狭长的缺点。功率测试在30 mW以上没有出现功率曲线扭折,并且制作的激光器通过了60℃下10 mW的老化测试,推算的平均失效时间(MTTF)大于18 000 h。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 朱振,任夫洋,邓桃,夏伟,徐现刚
关键词: 激光器,陡峭脊型,基横模,近圆形光斑
来源: 光电子·激光 2019年09期
年度: 2019
分类: 信息科技,基础科学
专业: 物理学,无线电电子学
单位: 山东华光光电子股份有限公司,济南大学物理科学与技术学院,山东大学晶体材料国家重点实验室
基金: 国家重点研发计划(2018YFB0406901)资助项目
分类号: TN248.4
DOI: 10.16136/j.joel.2019.09.0065
页码: 901-905
总页数: 5
文件大小: 667K
下载量: 100
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