全文摘要
本实用新型提供一种电感耦合等离子体蚀刻设备，包括处理腔室；源线圈，通过支撑装置设置在电介质盖的上方，用于将射频能量感应耦合至处理腔室中以在处理腔室中产生并维持等离子；衬底支撑装置，用于支撑所述衬底；其中，线圈的支撑装置包括支撑基座以及设置在支撑基座上的至少一个绝缘支撑柱，绝缘支撑柱以相对于支撑基座径向可调的方式设置在所述支撑基座上；并且绝缘支撑柱包括沿延伸至处理腔室外部的调整部件，调整部件调节绝缘支撑柱相对支撑基座的径向位置。通过上述调整部件，无需拆卸蚀刻设备，在蚀刻设备的外部即可实现源线圈位置的调整，节省了调整时间，操作简单，大大缩短源线圈位置的调整时间，提高机台的利用率。
主设计要求
1.一种电感耦合等离子体蚀刻设备，其特征在于，包括：处理腔室，上部具有电介质盖；源线圈，通过源线圈的支撑装置设置在所述电介质盖的上方，用于将射频能量感应耦合至所述处理腔室中以在所述处理腔室中产生并维持等离子；其中，所述源线圈的所述支撑装置包括支撑基座以及设置在所述支撑基座上的多个绝缘支撑柱，所述绝缘支撑柱以相对于所述支撑基座径向可调的方式设置在所述支撑基座上；并且所述绝缘支撑柱包括延伸至所述处理腔室外部的调整部件以及位于所述处理腔室内部支撑所述源线圈的支撑柱部分，所述调整部件调节所述绝缘支撑柱相对所述支撑基座的径向位置。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920293686.6
申请日:2019-03-08
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:35(福建)
授权编号:CN209607696U
授权时间:20191108
主分类号:H01J 37/32
专利分类号:H01J37/32
范畴分类:38D;
申请人:福建晶安光电有限公司
第一申请人:福建晶安光电有限公司
申请人地址:362411 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
发明人:魏永吉;徐翊翔;许原豪
第一发明人:魏永吉
当前权利人:福建晶安光电有限公司
代理人:秦贺余
代理机构:11479
代理机构编号:北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计