导读:本文包含了高电场应力论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:介质,电场,应力,电容,界面,材料,论文。
高电场应力论文文献综述
高文钰,严荣良[1]（1996）在《Fowler－Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究》一文中研究指出本文研究了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的ＭＯＳ结构损伤及其室温退火．结果表明有四种损伤产生：氧化物正电荷建立、Ｓｉ／ＳｉＯ２快界面态增长、慢界面态产生和栅介质电容下降．当终止应力后，前叁种损伤在室温下有所恢复，但最后一种损伤没有变化．实验还表明：产生的慢界面态分布在禁带上半部；高电场下栅介质电容呈现无规阶梯型下降．对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论．还给出产生的慢界面态对高频电容－电压测量的影响．(本文来源于《半导体学报》期刊1996年02期）
高电场应力论文开题报告
高电场应力论文参考文献
[1].高文钰,严荣良.Fowler－Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究[J].半导体学报.1996
论文知识图
