导读:本文包含了化学辅助离子束刻蚀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:离子束,化学,光子,机理,晶体,速率,厚度。
化学辅助离子束刻蚀论文文献综述
单能飞[1]（2004）在《化学辅助离子束刻蚀实验设备设计及其机理的研究》一文中研究指出化学辅助离子束刻蚀属于干法刻蚀的一种,可用来对物理器件进行微细加工。这种干法刻蚀方法是在真空环境中加入反应气体利用离子源产生高能离子束对样品进行轰击,由于反应气体的参与可以大大提高刻蚀速率,而且由于离子束刻蚀具有较好的刻蚀方向性,所以用这种方法来加工二维光子晶体是一种较好的方法。 本文基于光子晶体实验研究的目的,研究设计了一套适用于加工光子晶体的化学辅助离子束刻蚀系统。文中首先讲述了化学辅助离子束刻蚀系统的设计原理,完成了基本结构设计和设备基本参数的选取,所设计的化学辅助离子束刻蚀系统能够满足光子晶体制作的基本要求。然后对设备的刻蚀机理做了初步的研究,最后对刻蚀剖面做了一个简单的模拟。 模拟结果表明:刻蚀过程中的各向同性刻蚀和各向异性刻蚀作用的比例对刻蚀剖面形状影响挺大,离子束发散角的大小对刻蚀剖面也有较大影响。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2004-12-01）
金济仁[2]（1988）在《多晶钨和(100)钨的化学辅助离子束刻蚀》一文中研究指出本文叙述了使用电子碰撞离子源产生的离子束和中性ClF_3定向流的化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)技术。此技术能刻蚀钨箔和厚度超过40μ的钨膜,具有好的方向性,在39mm~2的面积上模子清晰,并具有高的选择性。(100)钨箔用CAIBE刻蚀显示了好的方向性,而多晶钨膜显示了高的刻蚀速率。在行波管中能用此技术作为模子,在阴极表面上当电子发射时达到控制孔隙率的目的。(本文来源于《真空电子技术》期刊1988年06期）
化学辅助离子束刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文叙述了使用电子碰撞离子源产生的离子束和中性ClF_3定向流的化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)技术。此技术能刻蚀钨箔和厚度超过40μ的钨膜,具有好的方向性,在39mm~2的面积上模子清晰,并具有高的选择性。(100)钨箔用CAIBE刻蚀显示了好的方向性,而多晶钨膜显示了高的刻蚀速率。在行波管中能用此技术作为模子,在阴极表面上当电子发射时达到控制孔隙率的目的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
化学辅助离子束刻蚀论文参考文献
[1].单能飞.化学辅助离子束刻蚀实验设备设计及其机理的研究[D].国防科学技术大学.2004
[2].金济仁.多晶钨和(100)钨的化学辅助离子束刻蚀[J].真空电子技术.1988
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