全文摘要
本实用新型公开了一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚；塑封体用于包裹N颗TVS芯片、N+1块铜板和跳线；引脚设置在塑封体底部，并从塑封体的两侧伸出；N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使N颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构一端的铜板通过跳线与一个引脚电气连接，叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起，实现电气连接；其中N不小于2。因此，本实用新型的器件面积减小，由于采用贴片式封装设计，可使用SMT自动上板，其散热性更好，热阻更低。
主设计要求
1.一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，其特征在于，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚；其中，所述塑封体用于包裹所述N颗TVS芯片、所述N+1块铜板和所述跳线；所述引脚设置在所述塑封体底部，并从所述塑封体的两侧伸出；所述N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片，每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使所述N颗TVS芯片串联连接；而且，所述叠装结构一端的铜板通过所述跳线与一个所述引脚电气连接，所述叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起，实现电气连接；其中，N不小于2。
设计方案
1.一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，其特征在于，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚；其中，所述塑封体用于包裹所述N颗TVS芯片、所述N+1块铜板和所述跳线；所述引脚设置在所述塑封体底部，并从所述塑封体的两侧伸出；所述N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片，每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使所述N颗TVS芯片串联连接；而且，所述叠装结构一端的铜板通过所述跳线与一个所述引脚电气连接，所述叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起，实现电气连接；其中，N不小于2。
2.根据权利要求1所述的一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述TVS芯片的尺寸大小介于84mil-100mil之间。
3.根据权利要求1所述的一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述塑封体的高度不超过7.24mm，长度不超过15.09mm，宽不超过14.90mm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述塑封体的底部具有焊盘。
5.根据权利要求1所述的一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述引脚为平脚贴片结构。
6.根据权利要求1所述的一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，其特征在于，所述塑封体的材料选用环氧树脂，并采用压塑工艺制成。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及二极管设计领域，具体涉及一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管。
背景技术
瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS，又称为钳位型二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件。当瞬态电压抑制二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10-12s量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，将两极间的箝位电压位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。而在高频线路的应用中，由于常规的瞬态电压抑制二极管的结电容通常只有几百pF左右，即使瞬态电压抑制二极管处于不工作的状态下，高频信号往往也会失真。因此，市场上出现了在高频应用上的低电容瞬态电压抑制二极管，既可以减小普通瞬态电压抑制二极管引入带来的信号畸变，又可以对信号中的瞬时高能量脉冲进行吸收。
通过大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，替代放电管配合大量电感的防护方案，以达到缩减PCB空间，降低器件成本的目的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足，提供一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管。
为了实现上述实用新型目的，本实用新型提供了以下技术方案：
一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚；其中，所述塑封体用于包裹所述N颗TVS芯片、所述N+1块铜板和所述跳线；所述引脚设置在所述塑封体底部，并从所述塑封体的两侧伸出；所述N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗所述TVS芯片，每颗所述TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使所述N颗TVS芯片串联连接；而且，所述叠装结构一端的铜板通过所述跳线与一个所述引脚电气连接，所述叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起，实现电气连接；其中，N不小于2。
优选的，所述TVS芯片的尺寸大小介于84mil-100mil之间。
优选的，所述塑封体的高度不超过7.24mm，长度不超过15.09mm，宽不超过14.90mm。
优选的，所述塑封体的底部为焊盘结构。
优选的，所述引脚为平脚贴片结构。
优选的，所述塑封体的材料选用环氧树脂，并采用压塑工艺制成。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果：本实用新型采用一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚；其中，塑封体用于包裹N颗TVS芯片、N+1块铜板和跳线；引脚设置在塑封体底部，并从塑封体的两侧伸出；N+1块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使N颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构一端的铜板通过跳线与一个引脚电气连接，叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起，实现电气连接；其中，N不小于2。该大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，器件面积减小，使用国产小面积芯片替代进口大面积芯片，贴片式封装设计，可使用SMT自动上板，其散热性更好，热阻更低，可承受10KA浪涌电流。
附图说明
图1为一种大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管结构示意图。
其中，1-引脚、2-TVS芯片、3-铜板、4-跳线、5-塑封体。
具体实施方式
下面结合试验例及具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。但不应将此理解为本实用新型上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本实用新型内容所实现的技术均属于本实用新型的范围。
实施例1
本实用新型，大功率双向贴片瞬态电压抑制二极管，包括：N颗TVS芯片、N+1块铜板、跳线、塑封体和两个引脚；其中，塑封体用于包裹N颗TVS芯片、N+1块铜板和跳线；引脚设置在塑封体底部，并从塑封体的两侧伸出；N+1块铜板叠层设置在一起形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片，每颗TVS芯片分别与其两侧的铜板电气连接，使N颗TVS芯片串联连接；而且，叠装结构一端的铜板通过跳线与一个引脚电气连接，叠装结构另一端的铜板与另一个引脚结合在一起，实现电气连接。其中N不小于2。
例如，如图1所示，包括：2个引脚1、3颗TVS芯片2、4块铜板3、跳线4和塑封体5；其中，塑封体5用于包裹3颗TVS芯片2、4块铜板2和跳线4；引脚1设置在塑封体5底部，并从塑封体5的两侧伸出；铜板用于驱散TVS芯片2的PN结产生的热量；4块铜板叠层设置在一起，形成一叠装结构，且每两块相邻设置的铜板之间安装一颗TVS芯片2，每颗TVS芯片2分别与其两侧的铜板电气连接，使3颗TVS芯片串联连接；而且，跳线4的一端与叠装结构一端的铜板连接，另一端与一个引脚连接；叠装结构另一端的铜板与另一个引脚连接。
具体实施过程中，内部结构采用三层芯片叠装，利用二极管串联分压原理，通过多层小面积芯片承受了10KA的浪涌电流，极大地降低了对芯片面积的要求，可使用国产芯片替代进口芯片，同时也减小了封装面积，便于使用安装。
具体实施过程中，TVS芯片的尺寸大小介于84mil-100mil之间。
塑封体的高度不超过7.24mm，长度不超过15.09mm，宽不超过14.90mm。塑封体的引脚为平脚贴片结构，且高度不超过塑封体的高度。
引脚为平脚贴片结构，且引脚从塑封体的水平侧面伸出，焊接面与塑封体在同一水平面，可以使用SMT自动安装于PCB板表面，通过回流焊焊接上板，无需插孔焊接。
塑封体的底部为焊盘结构，塑封体的材料选用环氧树脂，使塑封体具有更好的散热性，并通过底部焊盘设计改进散热，获得更低的热阻，可承受更大的功率，并且塑封体采用压塑工艺制作。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920089044.4
申请日:2019-01-18
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:51(四川)
授权编号:CN209119096U
授权时间:20190716
主分类号:H01L 25/07
专利分类号:H01L25/07;H01L29/861;H01L23/367;H01L23/31
范畴分类:38F;
申请人:乐山无线电股份有限公司
第一申请人:乐山无线电股份有限公司
申请人地址:614000 四川省乐山市人民西路287号
发明人:谭志伟
第一发明人:谭志伟
当前权利人:乐山无线电股份有限公司
代理人:李正
代理机构:51221
代理机构编号:四川力久律师事务所
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计