导读:本文包含了正电子湮灭技术论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:正电子,多普勒,塑性,线形,稀土,玻璃,永磁。
正电子湮灭技术论文文献综述
赵勇,张博,Sato,K.[1]（2017）在《用正电子湮灭技术探究Ce-基大块非晶合金的局域原子结构和晶化行为》一文中研究指出Ce-基大块非晶合金具有低玻璃化转变温度(T_g)、优异的玻璃形成能力、良好的塑性精密成型能力、强的过冷液体行为及高压下非晶多形态现象等特性。但目前对其原子结构几乎一无所知,严重限制了人们对于Ce-基非晶合金优异性能的进一步理解。以Ce-Al-Cu~([1,2]),Ce-Al-Cu-Nb~([1]),Ce-Ga-Cu~([3,4])及Ce-Ga-Cu-Ni~([5])系大块非晶合金为研究对象,通过正电子湮灭能谱、等温长度膨胀仪、第一性原理计算等技术手段来表征Ce-基非晶合金的原子排列结构~([6])和反常的晶化行为~([7])。并发现Ce-Ga-Cu系非晶合金中异常的局域原子排列结构有别于其它系列的非晶合金:Ce-Ga-Cu非晶合金中发现两种不同的湮灭时间,分别对应着两种非晶态局域结构:以Ce原子为中心的密排和松散结构。其中前者的排列密度甚至高于面心立方的晶体Ce单质的堆积密度。分析发现这种异常的密堆积结构是Ga元素化学势激发Ce原子4f电子发生的去局域化效应所导致的。非晶合金是通过快速冷却其熔体避免形核结晶而制备出来的,在快速冷却过程中熔体中的自由体积来不及发生湮灭而保留在非晶合金中,从而使得非晶合金密度要小于同成分的晶体材料。换句话说,非晶合金晶化时其体积通常会发生收缩。而通过等温长度膨胀仪测量Ce-Ga-Cu大块非晶合金晶化过程中长度的变化,惊奇地发现其在晶化时长度表现出反常的膨胀,这种行为明显异于一般的非晶体系。正电子湮灭能谱测量结果发现晶化后晶体的结构十分松散,且上文中所提到的Ce-Ga-Cu非晶合金中异常的密度局域结构消失。正电子湮灭技术能够有效地探究金属玻璃的局域原子结构,得到的结构信息对理解玻璃化转变过程、提高玻璃形成能力、理解非晶多形态现象具有重要意义。(本文来源于《第十一届中国钢铁年会论文集——S12.非晶合金》期刊2017-11-21）
聂佳相[2]（2010）在《正电子湮灭技术在玻璃性能与结构表征方面的应用》一文中研究指出本论文采用正电子湮灭寿命谱对氧化物玻璃、硫系玻璃、多孔玻璃的性能与结构进行了系统研究,研究内容主要涉及玻璃组成、玻璃的析晶性能、玻璃的辐照效应、以及玻璃的纳微结构等。本工作还借助玻璃的密度、显微硬度、吸收和透过光谱,以及XRD图谱等测试手段与正电子湮灭寿命谱的实验结果进行比较。结果表明,正电子湮灭技术在研究玻璃组成、析晶性能、抗辐照性能,尤其是在研究纳米尺度的缺陷方面具有独到的优势。用正电子湮灭寿命谱研究了以ZnO为发光中心的闪烁玻璃(55-x)SiO2-45ZnO-xBaF2(x=5,10,15)、重金属氧化物玻璃xPbO-10B2O3-(90-x)SiO2(x=40,45,50,55)以及硫系玻璃GeS2-Sb2S3-PbS和(80-x)GeSe2-xAs2Se3-10PbSe(x=10-90)组成-结构的相互关系,实验结果表明,正电子寿命参数的变化规律与玻璃的密度、显微硬度、以及短波截止波长的变化规律一致。对经不同条件热处理后的氧化物玻璃和硫系玻璃进行了正电子湮灭寿命谱测试,实验结果表明,随着热处理时间的增加,氧化物玻璃和硫系玻璃的正电子寿命各参数值与玻璃的短波吸收或透过光谱的变化规律相一致。由于短波截止波长的变化可以较好地反映玻璃结构中纳米尺度的晶相生成过程,而传统XRD图谱的灵敏度不足以探测所研究的玻璃中的纳米晶,因此正电子湮灭寿命谱弥补了在研究玻璃析晶过程中这方面的不足。本论文还用正电子湮灭寿命谱研究了两个重金属氧化物玻璃系统55PbO-10B2O3-35SiO2和50Bi2O3-10B2O3-32SiO2-8Sb2O3的伽马射线辐照性能,发现两个玻璃系统在辐照作用下的正电子寿命参数有不同的变化规律,但都与玻璃的短波截止波长和透过率的变化规律一致。如对50Bi2O3-10B2O3-(40-x)SiO2-xSb2O3(x=0、1、3、8)玻璃在15.5kGy辐照剂量下辐照之后的研究发现,所有含Sb203的样品,其τ1和τ2均比不含Sb2O3的样品大,且变化规律与玻璃的短波截止波长和透过率的变化规律非常吻合。还用正电子寿命谱的长寿命τ3及其所对应的强度I3作为多孔玻璃孔结构的表征参数,即用长寿命T3表示孔径的大小,用强度I3表示孔的浓度。用DOE方法研究了多孔玻璃在酸析过程中,酸的种类、酸的浓度、酸处理时间、酸处理温度以及酸与玻璃比这五个参数对多孔玻璃孔结构的影响。DOE分析结果表明,在这五个参数中,酸与玻璃比和酸的种类这两个参数对多孔玻璃的正电子湮灭长寿命T3(即孔径)影响最大,而酸与玻璃比和酸的浓度这两个参数对多孔玻璃的正电子湮灭长寿命强度I3(即孔的浓度)影响最大。(本文来源于《华东理工大学》期刊2010-04-02）
康永林,王先进,郁伟中[3]（1990）在《用正电子湮灭技术研究深冲钢板不同应变路径中的位错密度》一文中研究指出本文应用正电子湮灭多普勒增宽测量技术研究了深冲钢板在单向拉伸、平面应变和等双向拉伸变形条件下的位错密度变化规律。结果表明:当等效应变从0.02增加到0.82时,位错密度从2.0×10~9 cm~(-2)增加到5.34×10~(11)cm~(-2),当变形路径不同时,位误密度的增长速度也不同。(本文来源于《钢铁研究学报》期刊1990年01期）
薛嘉渔,季国坤,田中卓,常香荣,吕荣邦[4]（1982）在《用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区内的缺陷分布》一文中研究指出本文用多普勒加宽谱研究了钢材裂纹顶端塑性区内的应变分布及其充氢后的变化。 40MnNb中强度石油用钢在H_2S介质中使用发生氢脆。用这种钢制成10×20×160悬臂梁试样,线切割和疲劳裂纹总长度为5.977mm,经抛光后在悬臂梁上加载,作用于裂纹顶端的应力场强度因子K_I=273kg/mm~(3/2),然后加楔固定裂纹顶端的张开位移。在加载的情况下线切割成2×20×40(mm)薄片状恒位移试样,切割面经砂纸磨光,(本文来源于《核技术》期刊1982年06期）
熊良钺,姜键,曹玔,王蕴玉,熊兴民[5]（1982）在《用正电子湮灭技术研究位错浓度随退火时间的变化》一文中研究指出范性形变时,金属中不仅产生空位,同时也产生位错及其它缺陷。在退火过程中,这些缺陷逐渐消失。这个过程也就是形变样品恢复与再结晶的过程,是研究金属的一个重要课题。(本文来源于《核技术》期刊1982年06期）
陈克勤,金运范,程洁,侯明东,李长林[6]（1982）在《正电子湮灭技术对镍和不锈钢辐照效应的初步探讨》一文中研究指出用正电子湮灭技术研究金属中的缺陷,最近十多年来有着迅速的发展。正电子湮灭寿命、湮灭光子的角关联和多普勒加宽这叁种实验方法对于晶体的缺陷都很灵敏。尤其对于空位、位错、空位聚集体等空位型缺陷特别灵敏。因此,这些方法在金属材料的辐照损伤研究中引起了人们特有的兴趣。本文用正电子湮灭技术研究了72.5MeV的碳离子(_(12)C~(+4))轰击镍和不锈钢的辐照效应,测量了它们的正电子湮灭寿命和多普勒加宽线形参数S。另外,还用高压透射电子显微镜和位错热激活法进行了测量。并对经过辐照和未经过辐照样品的测量结果进行了对比。这叁种实验方法给出了一致的定性结果。(本文来源于《核技术》期刊1982年06期）
王蕴玉,刘年庆,李国栋[7]（1982）在《用正电子湮灭技术观测时效退火处理对永磁材料Fe-Cr-Co-Si和Sm_2(Co、Fe、Cu、Zr)_(17)微观结构的影响》一文中研究指出本工作利用正电子湮灭方法研究了时效退火处理对两种磁性材料Fe-Cr-Co-Si和Sm_2(Co、Fe、Cu、Zr)_(17)微观结构的影响。Fe-Cr-Co-Si永磁合金具有机械加工性能好,最大磁能积高的优点,适于在需要加工的情况下应用。Sm_2(Co,Fe,Cu,zr)_(17)是一种性能十分优良的第二代稀土化合物的永磁材料。它的最大磁能积高达30兆高·奥。这两种永磁材料经时效退火处理,磁性能(矫顽力和磁能积)明显提高。为了进一步提高磁性能和继续设计新的磁性材料,就需要深入探讨材料的宏观性能和微观结构之间的联系。这是当前磁性材料物理研究的一个显着的趋势。目前在研究这类问题的实验中,国外已经使用了核磁共振、穆斯鲍尔效应和μ介子(本文来源于《核技术》期刊1982年06期）
曹必松,王蕴玉,张天宝,田中卓,常香荣[8]（1982）在《用正电子湮灭多普勒增宽技术研究稀土钢》一文中研究指出包头钢铁公司利用加入微量稀土试制成功抗氢脆钢40MnNbR(含Mn 1.25％,Nb 0.04％,R代表稀土),但抗氢脆性能的机理尚有待进一步研究。本文通过测量各种热处理的40MnNbR和16MnR(含Mn1.25％)钢样的多普勒增宽线形参数随稀土含量的变化,研究加入稀土对钢的微观结构的影响,研究正电子在Fe和稀土之间的亲合性,以探索稀土钢的抗氢脆机理。(本文来源于《核技术》期刊1982年06期）
殷定贞,顾华[9]（1982）在《用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨》一文中研究指出近年来,有可能成为新能源材料的金属氢化物受到了广泛重视。不少工作表明,正电子湮灭技术对研究它们的化学结构等问题是一个有价值的方法。1968年,A.Gainotti等测定了一系列金属氢化物的正电子湮灭寿命谱,观察到湮灭速度Γ_1和Γ_2与分子密度有线性关系。苏联等用寿命谱和角关联方法研究了BeH_2和AIH_5的化学键性质。他们在BeH_2的角关联曲线中观察到窄成份,认为是形成了正电子素,并提出离子晶体一般具有较宽的禁带,易形成正电子素,因此BeH_2是离子键,不形成正电子素的AIH_3是(本文来源于《核技术》期刊1982年06期）
王振杰,彭郁卿,袁鹤令,王景成[10]（1982）在《用正电子湮灭技术测量塑性形变不锈钢中的位错密度》一文中研究指出自从1969年Bergersen和Stott提出捕获模型以来,正电子湮灭技术广泛地应用于晶格缺陷的研究。1978年Baran和Rosen第一次用多普勒展宽谱方法测量了冷加工镍、铜、银和金中的位错密度。Dlubek等人于1976年用角分布方法测量了镍中的位错密度及空位浓度随形变量的变化。他们的工作均限于纯金属。本工作用多普勒展宽谱方法测量了不同形变量下的海水用不锈钢中的位错密度,并给出了正电子比捕获速率。(本文来源于《核技术》期刊1982年02期）
正电子湮灭技术论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本论文采用正电子湮灭寿命谱对氧化物玻璃、硫系玻璃、多孔玻璃的性能与结构进行了系统研究,研究内容主要涉及玻璃组成、玻璃的析晶性能、玻璃的辐照效应、以及玻璃的纳微结构等。本工作还借助玻璃的密度、显微硬度、吸收和透过光谱,以及XRD图谱等测试手段与正电子湮灭寿命谱的实验结果进行比较。结果表明,正电子湮灭技术在研究玻璃组成、析晶性能、抗辐照性能,尤其是在研究纳米尺度的缺陷方面具有独到的优势。用正电子湮灭寿命谱研究了以ZnO为发光中心的闪烁玻璃(55-x)SiO2-45ZnO-xBaF2(x=5,10,15)、重金属氧化物玻璃xPbO-10B2O3-(90-x)SiO2(x=40,45,50,55)以及硫系玻璃GeS2-Sb2S3-PbS和(80-x)GeSe2-xAs2Se3-10PbSe(x=10-90)组成-结构的相互关系,实验结果表明,正电子寿命参数的变化规律与玻璃的密度、显微硬度、以及短波截止波长的变化规律一致。对经不同条件热处理后的氧化物玻璃和硫系玻璃进行了正电子湮灭寿命谱测试,实验结果表明,随着热处理时间的增加,氧化物玻璃和硫系玻璃的正电子寿命各参数值与玻璃的短波吸收或透过光谱的变化规律相一致。由于短波截止波长的变化可以较好地反映玻璃结构中纳米尺度的晶相生成过程,而传统XRD图谱的灵敏度不足以探测所研究的玻璃中的纳米晶,因此正电子湮灭寿命谱弥补了在研究玻璃析晶过程中这方面的不足。本论文还用正电子湮灭寿命谱研究了两个重金属氧化物玻璃系统55PbO-10B2O3-35SiO2和50Bi2O3-10B2O3-32SiO2-8Sb2O3的伽马射线辐照性能,发现两个玻璃系统在辐照作用下的正电子寿命参数有不同的变化规律,但都与玻璃的短波截止波长和透过率的变化规律一致。如对50Bi2O3-10B2O3-(40-x)SiO2-xSb2O3(x=0、1、3、8)玻璃在15.5kGy辐照剂量下辐照之后的研究发现,所有含Sb203的样品,其τ1和τ2均比不含Sb2O3的样品大,且变化规律与玻璃的短波截止波长和透过率的变化规律非常吻合。还用正电子寿命谱的长寿命τ3及其所对应的强度I3作为多孔玻璃孔结构的表征参数,即用长寿命T3表示孔径的大小,用强度I3表示孔的浓度。用DOE方法研究了多孔玻璃在酸析过程中,酸的种类、酸的浓度、酸处理时间、酸处理温度以及酸与玻璃比这五个参数对多孔玻璃孔结构的影响。DOE分析结果表明,在这五个参数中,酸与玻璃比和酸的种类这两个参数对多孔玻璃的正电子湮灭长寿命T3(即孔径)影响最大,而酸与玻璃比和酸的浓度这两个参数对多孔玻璃的正电子湮灭长寿命强度I3(即孔的浓度)影响最大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
正电子湮灭技术论文参考文献
[1].赵勇,张博,Sato,K..用正电子湮灭技术探究Ce-基大块非晶合金的局域原子结构和晶化行为[C].第十一届中国钢铁年会论文集——S12.非晶合金.2017
[2].聂佳相.正电子湮灭技术在玻璃性能与结构表征方面的应用[D].华东理工大学.2010
[3].康永林,王先进,郁伟中.用正电子湮灭技术研究深冲钢板不同应变路径中的位错密度[J].钢铁研究学报.1990
[4].薛嘉渔,季国坤,田中卓,常香荣,吕荣邦.用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区内的缺陷分布[J].核技术.1982
[5].熊良钺,姜键,曹玔,王蕴玉,熊兴民.用正电子湮灭技术研究位错浓度随退火时间的变化[J].核技术.1982
[6].陈克勤,金运范,程洁,侯明东,李长林.正电子湮灭技术对镍和不锈钢辐照效应的初步探讨[J].核技术.1982
[7].王蕴玉,刘年庆,李国栋.用正电子湮灭技术观测时效退火处理对永磁材料Fe-Cr-Co-Si和Sm_2(Co、Fe、Cu、Zr)_(17)微观结构的影响[J].核技术.1982
[8].曹必松,王蕴玉,张天宝,田中卓,常香荣.用正电子湮灭多普勒增宽技术研究稀土钢[J].核技术.1982
[9].殷定贞,顾华.用正电子湮灭技术对MgH_2和AlH_3键型的探讨[J].核技术.1982
[10].王振杰,彭郁卿,袁鹤令,王景成.用正电子湮灭技术测量塑性形变不锈钢中的位错密度[J].核技术.1982
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