论文摘要
为了提高近红外发光二极管的性能,我们利用聚3-己基噻吩（P3HT）空穴迁移率高和对近红外光没有吸收的特点,将其作为器件的空穴传输层.实验发现,P3HT改善了基于硅量子点的近红外发光二极管的空穴/电子传输不平衡的现象.进一步地,将聚[9,9-二（3’-（N,N-二甲胺基）丙基）-2,7-芴-交-2,7-（9,9-二辛基芴）]（PFN）作为中间层修饰P3HT,近红外硅量子点发光二极管的性能得到了更大改善,其外量子效率和功率效率分别达到了3.4%和4.4%.性能改善后的近红外硅量子点发光二极管可以用于模拟神经突触的可塑性,如短时程可塑性和长时程可塑性.
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 赵双易,王越,黄稳,金昊,黄沛文,王虎,王坤,李东升,徐明生,杨德仁,皮孝东
来源: Science China Materials 2019年10期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 化学,无线电电子学
单位: State Key Laboratory of Silicon Materials & School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University,College of Information Science and Electronic Engineering, Zhejiang University
基金: mainly supported by the National Key Research and Development Program of China(2017YFA0205700),the National Natural Science Foundation of China(NSFC,61774133 and 6147409),Partial support from the NSFC for Innovative Research Groups(61721005)
分类号: O633.5;TN312.8
页码: 1470-1478
总页数: 9
文件大小: 1223K
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