导读:本文包含了带隙基准电路论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:带隙基准源,温度系数,互补金属氧化物半导体,电源抑制比
带隙基准电路论文文献综述
程亮,赵子龙,侯文彦[1]（2019）在《一种无电阻结构带隙基准源电路》一文中研究指出使用2个工作于与绝对温度成正比的漏电流情况下的MOS管,采用2个管的栅源电压差ΔV_(GS)来产生一个与绝对温度成线性关系的正温度系数电压的方法,设计了一种高精度带隙基准电压源。该结构避免了电阻元件的使用,适用于低功耗系统,节省了芯片面积,电路结构简单。基于CSMC 0.18μmCMOS工艺,对电路进行仿真,结果表明在3V电压下,输出基准电压为1.199V;在-55℃～145℃温度范围内,温漂系数是15×10~(-6)/℃;在低频范围内,全工艺角最坏电源抑制比为-71dB。(本文来源于《山西电子技术》期刊2019年05期）
张哲,余先银,张启辉[2]（2019）在《一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路》一文中研究指出基于经典的带隙基准电路原理,通过优化电路结构和采用寄生NPN晶体管,提出了一种可以降低运放失调电压和等效输入噪声影响的低噪声带隙基准电路。利用运放钳位流过晶体管的电流的比例,降低了运放失调电压和等效输入噪声至带隙输出电压的增益,实现了更稳定的基准电压输出。电路设计采用GSMC 0.18μm工艺,经过Hspice仿真验证,在2.5 V电源电压下,基准输出电压为1.2 V;在(-40～125)℃温度范围内,基准电压温度系数为3.16×10~(-5)/℃;在10 Hz处,噪声密度为2.67μV/√Hz,低频下电源抑制比(PSRR)在95d B以上。(本文来源于《电子产品世界》期刊2019年10期）
黄静,杨羽佳,王玉娇,孙玲,赵继聪[3]（2019）在《一种自偏置全集成的低功耗带隙基准电路设计》一文中研究指出为满足可穿戴集成电路的低功耗应用需求,设计了一种自偏置全集成的带隙基准电压电路。该电路采用纯CMOS结构,利用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压与温度呈反比、热电压与温度呈正比的关系,通过电路结构设计与晶体管尺寸优化,获得一个与温度无关的基准电压。电路中的MOSFET偏置于工作电流极低的亚阈值区,从而有效降低了整个带隙基准电路的功耗。采用CSMC 0.18μm CMOS工艺,在Aether软件环境下完成了电路的仿真和版图设计。后仿真结果表明,室温下,电源电压为3.3 V时,电路总电流为81.2 nA,输出基准电压为1.03 V,启动时间约为0.48μs,功耗约为268 nW,在-40～125℃的范围内温度漂移系数为3.2×10~(-5)/℃。流片后在片测试结果表明,当电源电压在1.6～3.3 V之间变化时,电路输出电压稳定。(本文来源于《半导体技术》期刊2019年07期）
丁玲,李长猛[4]（2019）在《一种多路输出带斩波的带隙基准电路》一文中研究指出带隙基准电路可以在电源电压、温度及工艺的变化环境中产生稳定的参考电压,广泛应用于模拟集成电路、数模混合集成电路和系统集成芯片(SOC)中,其精度决定了整个系统的精度和良率。带隙基准电路有许多性能指标参数,如温度系数曲线,基准值的精度,电路的功耗、电源抑制比等。另外带隙基准电路的难点是电路中存在多个简并点,电路的启动问题是难点也是重点。(本文来源于《中国集成电路》期刊2019年05期）
任贺宇,王军,赵传阵[5]（2019）在《一种宽温度范围低温度系数的CMOS带隙基准电路》一文中研究指出为得到适用于温度传感器、AD/DA和LDO等精密系统的高精度基准电压,提出基于高阶非线性补偿的5段分段补偿技术,在-40～125℃的宽温度范围内,实现一种高精度带隙基准(BGR)电路. 5段分段补偿技术基于电流镜组合构成的电流加减电路实现. BGR电路基于3.3 V电源供电的0.18μm CMOS工艺完成设计.仿真结果表明,所设计BGR电路的温度系数(TC)为0.05×10~(-6)/℃,工作电流约为28μA,电源抑制比(PSRR)约为-100 dB@dc,线性调整率约为11.8μV/V.(本文来源于《天津师范大学学报(自然科学版)》期刊2019年02期）
董晨,段权珍,范艺晖,丁月民,黄胜明[6]（2019）在《应用于便携式ECG的低耗能高精度带隙基准电路设计》一文中研究指出为满足便携心电监测设备中低功耗的应用要求,设计一种应用于便携式心电监测芯片的具有低功耗和高精度特性的带隙基准电路。通过采用工作于亚阈值区域的CMOS晶体管,电路取得了超低功耗。并采用高阶温度曲线补偿技术,提高了电路输出基准电压的精准度。电路采用标准CMOS 180 nm工艺设计,仿真结果表明,在-40～100℃的温度范围内输出基准电压为1.16 V,温度系数约为3.3 ppm/℃,在1.3 V电源电压下功耗为6.2μW。(本文来源于《现代电子技术》期刊2019年02期）
刘晓轩,张玉明,季轻舟,曹天骄[7]（2019）在《一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现》一文中研究指出针对带隙基准电路对集成电路精度的影响,提出了一种新的低温漂带隙基准电路。通过分段温度补偿,补偿了带隙基准电路,减小了温度漂移,优化了基准的温度性能。基于西岳公司3μm18V双极工艺,设计了基准电路和版图,并进行流片。仿真和流片结果表明:在典型工艺角下,基准在-55℃～125℃内,温度系数为1.7×10-6～6.0×10-6/℃;在2.2V的电源幅度范围下,具有0.03mV/V的电源抑制特性。该电路已成功应用于一款线性稳压电源中。(本文来源于《西安电子科技大学学报》期刊2019年02期）
王洋,乔东海[8]（2018）在《低噪声带隙基准电压源电路设计》一文中研究指出为了给系统部分模块供电以及为C—V转换电路和ADC模块提供稳定参考电压,带隙基准电压源电路成为系统中不可缺少的一部分,此外添加两个LDO模块用以产生相应的正负参考电压。带隙基准电压源电路可以产生一个受温度影响较小的电压用来供电,然而如果直接将这个电压按比例放大为C—V转换电路和ADC模块提供参考电压,参考电压的噪声将严重影响这两个模块的性能。为了降低噪声,本文设计一个采用斩波稳定技术的带隙基准电压源电路。电路设计采用XFAB XH018 0.18 m?工艺,经过spectre仿真验证,在-45℃—175℃温度范围内,带隙基准电压温度系数为13.54ppm/℃,最大低频噪声为1.123μV/√Hz@1Hz@175℃,正参考电压最大低频噪声为1.415μV/√Hz@1Hz@175℃,负参考电压最大低频噪声为1.741μV/√Hz@1Hz@175℃。(本文来源于《2018中国西部声学学术交流会论文集》期刊2018-08-23）
谭传武,陈卫兵[9]（2018）在《一种用于TCXO芯片的带隙基准及过温保护电路设计》一文中研究指出基于Bi CMOS工艺设计低温漂、高电源抑制比的自偏置带隙基准电压源及过温保护复合电路。带隙基准采用自偏置电流源和差分运放一体化结构,过温保护电路用NPN管采集电流大小实现振荡器的起振或关断。仿真结果表明:带隙恒为1.24 V,温度在-40℃到125℃变化时,输出变化不超过0.78 m V,复合电路电源抑制比高达95 d B;超温关断时间0.071 s,迟滞开启时间0.064 s,复合电路能为TCXO芯片提供稳定的基准参考和较好的过温保护效果,有很大的实用价值。(本文来源于《电子设计工程》期刊2018年14期）
庄楚楠,许佳雄[10]（2018）在《温度系数连续可调的带隙基准源电路设计》一文中研究指出为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻,通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变,进而改变电路中的电阻比值,实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在-25~125℃的工作温度范围内,带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0ppm/℃,输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7ppm/℃,输出基准电压变化为0.95~2.67V,低频时基准电压的电源抑制比达到73.13dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节,且调节范围较大。(本文来源于《液晶与显示》期刊2018年05期）
带隙基准电路论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于经典的带隙基准电路原理,通过优化电路结构和采用寄生NPN晶体管,提出了一种可以降低运放失调电压和等效输入噪声影响的低噪声带隙基准电路。利用运放钳位流过晶体管的电流的比例,降低了运放失调电压和等效输入噪声至带隙输出电压的增益,实现了更稳定的基准电压输出。电路设计采用GSMC 0.18μm工艺,经过Hspice仿真验证,在2.5 V电源电压下,基准输出电压为1.2 V;在(-40～125)℃温度范围内,基准电压温度系数为3.16×10~(-5)/℃;在10 Hz处,噪声密度为2.67μV/√Hz,低频下电源抑制比(PSRR)在95d B以上。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
带隙基准电路论文参考文献
[1].程亮,赵子龙,侯文彦.一种无电阻结构带隙基准源电路[J].山西电子技术.2019
[2].张哲,余先银,张启辉.一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路[J].电子产品世界.2019
[3].黄静,杨羽佳,王玉娇,孙玲,赵继聪.一种自偏置全集成的低功耗带隙基准电路设计[J].半导体技术.2019
[4].丁玲,李长猛.一种多路输出带斩波的带隙基准电路[J].中国集成电路.2019
[5].任贺宇,王军,赵传阵.一种宽温度范围低温度系数的CMOS带隙基准电路[J].天津师范大学学报(自然科学版).2019
[6].董晨,段权珍,范艺晖,丁月民,黄胜明.应用于便携式ECG的低耗能高精度带隙基准电路设计[J].现代电子技术.2019
[7].刘晓轩,张玉明,季轻舟,曹天骄.一种高精度低温漂带隙基准电路的设计与实现[J].西安电子科技大学学报.2019
[8].王洋,乔东海.低噪声带隙基准电压源电路设计[C].2018中国西部声学学术交流会论文集.2018
[9].谭传武,陈卫兵.一种用于TCXO芯片的带隙基准及过温保护电路设计[J].电子设计工程.2018
[10].庄楚楠,许佳雄.温度系数连续可调的带隙基准源电路设计[J].液晶与显示.2018
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