全文摘要
本实用新型公开了一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，包括加热盘和传片机构，所述加热盘与传片机构构成升降机构，所述加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽；所述传片机构包括升降盘和若干组工位托，所述工位托与工位槽的数量和形状相匹配；所述工位槽和工位托的形状均为圆盘状，所述工位托的一侧设有承片托，所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。本实用新型可以改进砷化镓晶片或通用晶片在PECVD工艺的薄膜生产的过程中成膜均匀差和晶片背面有膜的痕迹，影响后续光刻工序的工艺质量的技术问题，最终可以大大提高晶片热场的均匀性以及晶片成膜后的均匀性，且没有滑片的风险。
主设计要求
1.一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，包括加热盘和传片机构，所述加热盘与传片机构构成升降机构，所述加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽，所述传片机构升降孔设于加热盘的中心，若干个所述工位槽呈矩阵均匀分布在加热盘的四周；所述传片机构包括升降盘和若干组工位托，所述升降盘滑动设于传片机构升降孔内，所述工位托呈矩阵均匀分布在升降盘的四周，所述工位托与工位槽的数量和形状相匹配；其特征在于，所述工位槽和工位托的形状均为圆盘状，所述工位托的一侧设有承片托，所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。
设计方案
1.一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，包括加热盘和传片机构，所述加热盘与传片机构构成升降机构，所述加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽，所述传片机构升降孔设于加热盘的中心，若干个所述工位槽呈矩阵均匀分布在加热盘的四周；所述传片机构包括升降盘和若干组工位托，所述升降盘滑动设于传片机构升降孔内，所述工位托呈矩阵均匀分布在升降盘的四周，所述工位托与工位槽的数量和形状相匹配；其特征在于，所述工位槽和工位托的形状均为圆盘状，所述工位托的一侧设有承片托，所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，其特征在于，所述工位托由直杆、弧形杆和承片托构成，所述承片托包括第一承片托和第二承片托，所述直杆的一端固定设于升降盘的一侧，所述直杆远离升降盘的一侧固定设有弧形杆，所述弧形杆远离直杆的一侧固定设有第一承片托，所述第二承片托固定在弧形杆上，且所述第二承片托的延长线与第一承片托的延长线相互垂直。
3.根据权利要求2所述的一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，其特征在于，所述弧形杆的直径大于晶片的直径，相互垂直的第一承片托和第二承片托之间的距离小于晶片的直径。
4.根据权利要求2或3所述的一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，其特征在于，所述直杆、弧形杆和承片托为一体成型结构。
5.根据权利要求1所述的一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，其特征在于，所述承片托与工位托为一体成型结构。
6.根据权利要求1所述的一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，其特征在于，所述工位槽的数量的为8组，所述工位托的数量为8组。
7.根据权利要求1、2或3所述的一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，其特征在于，所述工位托的高度等于工位槽的高度。
设计说明书
技术领域
本实用新型涉及晶片成膜技术领域，特别是一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构。
背景技术
传统的加热盘和传片机构如图1所示，工位托为直条状，且工位托的高度高于工位槽的高度；目前的砷化镓晶片或通用晶片在PECVD工艺的薄膜生产的过程中均在这种传统的加热盘和传片机构上进行成膜，由于工位托位于晶片的下方，而工位托不具备加热功能，导致晶片的温度不均匀，影响成膜的均匀性；另外，由于传片机构上对晶片进行支撑的工位托与加热盘之间存在间隙，成膜过程中会在晶片的背面留有直条状膜的痕迹，影响后续光刻工序的工艺质量。
实用新型内容
本实用新型针对上述背景技术中的不足，设计了一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，可以改进砷化镓晶片或通用晶片在PECVD工艺的薄膜生产的过程中成膜均匀差和晶片背面有膜的痕迹，影响后续光刻工序的工艺质量的技术问题，最终可以大大提高晶片热场的均匀性以及晶片成膜后的均匀性，且没有滑片的风险。
实现上述目的本实用新型的技术方案为，一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，包括加热盘和传片机构，所述加热盘与传片机构构成升降机构，所述加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽，所述传片机构升降孔设于加热盘的中心，若干个所述工位槽呈矩阵均匀分布在加热盘的四周；所述传片机构包括升降盘和若干组工位托，所述升降盘滑动设于传片机构升降孔内，所述工位托呈矩阵均匀分布在升降盘的四周，所述工位托与工位槽的数量和形状相匹配；所述工位槽和工位托的形状均为圆盘状，所述工位托的一侧设有承片托，所述工位托的高度小于等于工位槽的高度。
进一步地，所述工位托由直杆、弧形杆和承片托构成，所述承片托包括第一承片托和第二承片托，所述直杆的一端固定设于升降盘的一侧，所述直杆远离升降盘的一侧固定设有弧形杆，所述弧形杆远离直杆的一侧固定设有第一承片托，所述第二承片托固定在弧形杆上，且所述第二承片托的延长线与第一承片托的延长线相互垂直。
进一步地，所述弧形杆的直径大于晶片的直径，相互垂直的第一承片托和第二承片托之间的距离小于晶片的直径。
进一步地，所述直杆、弧形杆和承片托为一体成型结构。
进一步地，所述承片托与工位托为一体成型结构。
进一步地，所述工位槽的数量的为8组，所述工位托的数量为8组。
进一步地，所述工位托的高度等于工位槽的高度。
与现有技术相比，本实用新型具有的优点和有益效果是，
1.本实用新型通过加热盘和传片机构，且加热盘上开设有传片机构升降孔和若干组工位槽；传片机构包括升降盘和若干组工位托，工位托与工位槽的数量和形状相匹配；工位槽和工位托的形状均为圆盘状，工位托的一侧设有承片托，这样的组合，使得晶片的热场会更均匀，得到的膜厚也更均匀。
2.本实用新型中工位托的高度小于等于工位槽的高度，由于工位托随升降盘下落后，晶片是实坐在加热盘上，因此晶片背面与加热盘没有间隙，故减少了晶片背面粒子颗粒产生，避免了晶片背面留有直条状膜的痕迹。
3.本实用新型中设有第一承片托和第二承片托，且第二承片托的延长线与第一承片托的延长线相互垂直，以及弧形杆的直径大于晶片的直径，相互垂直的第一承片托和第二承片托之间的距离小于晶片的直径，第一承片托和第二承片托可以更稳固的支撑晶片3，避免滑片情况的出现。
附图说明
图1是本背景技术中现有的加热盘和传片机构的结构示意图；
图2是本实用新型一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构的结构示意图；
图3是本实用新型一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构的俯视图。
图中：1、加热盘；11、传片机构升降孔；12、工位槽；2、传片机构，21、升降盘；22、工位托；221、直杆；222、弧形杆；223、第一承片托；224、第二承片托；3、晶片。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如图1-3所示，一种用于晶片成膜的新型加热盘和传片机构，包括加热盘1和传片机构2，所述加热盘1与传片机构2构成升降机构，所述加热盘1上开设有传片机构升降孔11和若干组工位槽12，所述传片机构升降孔11设于加热盘1的中心，若干个所述工位槽12呈矩阵均匀分布在加热盘1的四周；所述传片机构2包括升降盘21和若干组工位托22，所述升降盘21滑动设于传片机构升降孔11内，所述工位托22呈矩阵均匀分布在升降盘21的四周，所述工位托22与工位槽12的数量和形状相匹配；所述工位槽12和工位托22的形状均为圆盘状，加热盘1和传片机构2这样的组合，使得晶片3的热场会更均匀，得到的膜厚也更均匀；所述工位托22的一侧设有承片托，承片托用于承载晶片3在加热盘1上升下降并传递到下一个工位去做沉积生长欲得到的薄膜(如SiO，SiN)，所述工位托22的高度小于等于工位槽12的高度；优选的，所述工位托22的高度等于工位槽12的高；由于晶片3是实坐在加热盘1上，因此晶片3背面与加热盘1没有间隙，故减少了晶片3背面粒子颗粒产生，避免了晶片3背面留有直条状膜的痕迹。
所述工位托22由直杆221、弧形杆222和承片托构成，所述承片托包括第一承片托223和第二承片托224，所述直杆221的一端固定设于升降盘21的一侧，所述直杆221远离升降盘21的一侧固定设有弧形杆222，所述弧形杆222远离直杆221的一侧固定设有第一承片托223，所述第二承片托334固定在弧形杆222上，且所述第二承片托224的延长线与第一承片托223的延长线相互垂直，可以更稳固的支撑晶片3，避免滑片情况的出现。所述弧形杆222的直径大于晶片3的直径，相互垂直的第一承片托223和第二承片托224之间的距离小于晶片3的直径；所述直杆221、弧形杆222和承片托为一体成型结构，结构稳固，不易出现损坏情况；所述承片托与工位托22为一体成型结构，升降更稳定；所述工位槽12的数量的为8组，所述工位托22的数量为8组，可以同时对多个晶片3进行成膜工作。
具体实施：将晶片3放置在工位托22上的第一承片托223和第二承片托224上，然后升降盘21带动工位托22滑入加热盘1上的工位槽12内，进而晶片3实坐在加热盘1上，且晶片3背面与加热盘1没有间隙，由加热盘1进行加热工作，同时由晶片3顶部的喷头进行喷膜工作，最终成膜。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920025923.0
申请日:2019-01-08
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:12(天津)
授权编号:CN209397261U
授权时间:20190917
主分类号:C23C 16/46
专利分类号:C23C16/46;C23C16/458
范畴分类:25F;
申请人:天津维普泰克科技发展有限公司
第一申请人:天津维普泰克科技发展有限公司
申请人地址:300000 天津市滨海新区华苑产业区鑫茂科技园G-2-A5单元
发明人:张彬彬;王彬
第一发明人:张彬彬
当前权利人:天津维普泰克科技发展有限公司
代理人:汪发成
代理机构:11684
代理机构编号:北京沁优知识产权代理事务所(普通合伙
优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计
标签：张彬彬论文;