导读:本文包含了氮氧化硅论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:衰减器,波导,光学,器件,晶态,硅片,多孔。
氮氧化硅论文文献综述写法
王书新,郎婷婷,宋广益,何建军[1]（2019）在《提高损耗均匀性的氮氧化硅阵列波导光栅路由器》一文中研究指出通过在阵列波导的出口末端加入辅助波导,实现一种输入和输出通道数均为7(7×7),通道间隔为400GHz的氮氧化硅阵列波导光栅路由器(AWGR),以提高损耗均匀性。利用引入的辅助波导调节在输出自由传输区的像平面处的场分布,通过优化其结构参数在像平面获得了平顶形状的场分布。与传统的AWGR相比,当光从中心输入通道输入时,带有辅助波导的AWGR所测得的输出损耗不均匀性从2.09dB减少为0.76dB;而当光从边缘输入通道输入时,输出通道输出的损耗不均匀性从1.99dB降低为0.88dB,可满足实际光通信、光互连等系统的需求。由于辅助波导的引入,中心通道的最小插入损耗从2.99dB增加为3.82dB,边缘通道的最小插入损耗从4.83dB增加为5.46dB。所有通道的串扰约为18dB。(本文来源于《光学学报》期刊2019年11期）
李兵,周子皓,尹传强,魏秀琴,周浪[2]（2017）在《氧化硅形态对合成氮氧化硅粉体的影响》一文中研究指出研究了使用SiO_2为氧源合成氮氧化硅时,SiO_2的结晶状态对氮氧化硅形貌的影响。实验使用的SiO_2分别为气相白炭黑和晶体石英粉末,硅固体为平均粒径1.15μm左右的粉末。使用X射线衍射仪对合成物进行物相分析,并用扫描电子显微镜观察其形貌。结果表明:使用气相白炭黑为氧源时,在1 380℃保温4h的条件下,硅粉与气相白炭黑的物质的量比为2.0∶1~2.6∶1可得到纤维状氮氧化硅;以晶态石英为氧源时,在1 450℃保温4h的条件下,固定硅粉与晶态石英的物质的量比为1.5∶1可得到颗粒状氮氧化硅。本工作通过对Si-N-O体系的热力学分析,讨论了不同形貌的氮氧化硅粉体的形成机制。(本文来源于《材料导报》期刊2017年18期）
万慧慧,钟虹敏,张婧,薛兴亚,梁鑫淼[3]（2017）在《碱性化合物在未键合氮氧化硅和硅胶色谱固定相上的保留行为》一文中研究指出以普罗奈尔、阿米替林、小檗碱为分析对象,考察了流动相中有机相比例、pH值、缓冲盐浓度对色谱保留的影响,并与硅胶进行了比较。实验数据表明:氮氧化硅材料对碱性化合物具有很好的色谱保留,具有疏水吸附作用和离子交换的保留特性。与硅胶相比,氮氧化硅固定相在反相色谱模式下具有更强的亲水特性;在pH 2.8条件下氮氧化硅固定相对碱性化合物表现出离子排斥特性。与氮氧化硅材料不同,硅胶在pH2.8条件下并未表现出明显的保留性质变化。(本文来源于《第21届全国色谱学术报告会及仪器展览会会议论文集》期刊2017-05-19）
张杨波,唐昭焕,阚玲,任芳[4]（2017）在《一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺》一文中研究指出针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36V双极工艺兼容、介质的相对介电常数为5.51、击穿电压达81V、电容密度为0.394fF/μm~2的高密度MOS电容,较传统可集成二氧化硅/氮化硅复合介质电容的电容密度提高了35.86%。该工艺还可用于制作大功率MOSFET的栅介质,可提高器件的可靠性。(本文来源于《微电子学》期刊2017年01期）
张笑妍,霍文龙,兰天,崔杰,干科[5]（2016）在《利用氧化硅聚空心微球制备多孔氮氧化硅基复合陶瓷》一文中研究指出氮氧化硅陶瓷因其具有非常低的理论密度(2.81 g/cm~3),高硬度(Hv:17-22 GPa),低热膨胀系数(3.5×10~(-6)K~(-1)),高热稳定性(高达1750°C),优异的抗热震性,高温强度高,以及良好的抗氧化性等性能,被广泛用作高温结构功能材料,也成为了天线罩的候选材料之一。本文以氧化硅聚空心微球作为造孔剂,将其添加到氮化硅浆料中,并结合凝胶注模成型工艺,在0.5 MPa氮气气氛下经过1850°C烧结2 h成功制得多孔氮氧化硅/氮化硅陶瓷。本文利用高温下氮化硅与氧化硅之间的液相烧结反应生成氮氧化硅,同时氧化硅聚空心微球存在空间作为最终产品气孔来源以得到满足需求的多孔陶瓷,并就浆料固相含量对多孔陶瓷的物相组成、微观形貌及其力学性能影响进行了详细探讨。结果表明,固相含量的增加使得多孔陶瓷的β-Si_3N_4相含量逐渐增加,气孔率降低,抗弯强度及断裂韧性增加。(本文来源于《第十九届全国高技术陶瓷学术年会摘要集》期刊2016-10-11）
何善传,贾庆明,苏红莹,马艾华,陕绍云[6]（2016）在《氮氧化硅材料的研究进展》一文中研究指出综述了近几年氮氧化硅复合材料、氮氧化硅薄膜材料和介孔氮氧化硅材料的研究与发展现状。着重介绍了氮氧化硅薄膜材料的发光特性和折射率可调特性,及其不同的制备方法。同时介绍了介孔氮氧化硅材料和Si_3N_4/Si_2N_2O、SiC/Si_2N_2O及BN/SiNOf叁种应用较多的氮氧化硅复合材料的研究现状。并对氮氧化硅材料的研究与应用进行了展望。(本文来源于《材料导报》期刊2016年15期）
李兵,尹传强,魏秀琴,周浪[7]（2016）在《以硅片线锯屑和石英为原料合成氮氧化硅粉体研究》一文中研究指出研究了以回收提纯的太阳电池硅片线锯屑粉与粗粒石英粉为原料直接用N2气体氮化合成氮氧化硅(Si_2N_2O)的工艺条件,分析原料配比和反应温度对氮氧化合成产物的影响。结果表明,采用这种线锯硅屑粉为原料,可以在1450℃下4 h常压纯氮合成条件下得到氮氧化硅产物;当原料摩尔比n(Si)/n(SiO_2)=1.5时,所得产物在XRD检测能力范围显示为纯Si_2N_2O相,不含氮化硅副产物相。从反应相对增重量分析推测,反应体系中可能包含SiO_2在高温和低氧分压条件下的转变为Si_2N_2O的过程。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2016年04期）
尹传强,李兵,魏秀琴,周浪[8]（2015）在《利用硅片线锯屑合成氮氧化硅粉体研究》一文中研究指出以回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑为原料,合成出晶须状氮氧化硅粉体。实验研究了原料摩尔配比、保温温度、保温时间等工艺参数对氮氧化合成产物的影响。结果表明,回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑摩尔比为2.0∶1~2.6∶1、保温温度为1380℃、保温时间为4 h条件下可获得较为纯净的氮氧化硅粉体。产物中同时伴生一种类似于O1-Si Al ON结构的氮氧化硅低温亚稳相(LM Si2N2O),且该亚稳相含量随着原料摩尔配比的降低、温度的升高、时间的延长逐渐降低。所形成的氮氧化硅呈晶须状的原因与白炭黑的气化挥发及随后的氮氧化硅气相沉积生长机制有关。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2015年10期）
宋倩倩,雷建平,陈开鑫[9]（2015）在《氮氧化硅/聚合物混合集成低功耗可变光衰减器》一文中研究指出利用具有相反热光特性的氮氧化硅与聚合物材料,采用混合集成波导结构设计了一种低功耗S型可变光衰减器.该衰减器以聚合物为芯层材料,氮氧化硅为包层材料,在弯曲波导上方制作加热电极从而通过热光效应来实现可调谐的衰减功能.理论分析表明,对于1.55μm的工作波长,衰减器实现50dB的衰减仅需要3.6mW的功率.实验结果可实现0~40dB的衰减范围,相应的最大温度变化为70.4℃,器件插入损耗为5.4dB.(本文来源于《光子学报》期刊2015年06期）
宋倩倩[10]（2015）在《氮氧化硅与聚合物混合集成可变光衰减器》一文中研究指出可变光衰减器(Variable Optical Attenuator,VOA)可以根据用户的要求预期地降低光信号的能量,因此在光器件的性能检测及光通信系统,尤其是密集波分复用(Dense Wavelength Division Multiplexing,DWDM)光通信系统等领域具有重要作用。在光通信系统中,VOA不仅能精确地控制光信号的功率,为全部通信波长提供稳定的衰减量,实现信道的功率均衡,而且能检测传输系统的动态范围,补偿光传输过程中的功率波动。根据其制作技术VOA分为传统机械型、液晶型、微电机型和平面光波导型等。其中基于平面光波导技术的VOA通常利用热光效应来实现,并具有体积小、性能稳定及易于集成等优点,是近年来研究的重点。平面光波导型VOA可以利用无机材料如硅,氮氧化硅(Silicon Oxynitride,Si ON)及有机聚合物材料来制作,其中利用硅或SiON等无机材料制作的VOA具有光学性能优异,稳定性好的优点,但功耗通常较大;利用有机聚合物光波导材料制作VOA具有功耗小、成本低等优点,但其光学性能及稳定性相对较差、易老化。本论文正是针对以上问题,并考虑到SiON材料光学性能优良且具有正的热光系数,而聚合物具有较大的负的热光系数等特点,提出了一种SiON/聚合物混合集成的VOA,论文的主要工作内容及成果如下:1.平面光波导型VOA的参数设计及仿真模拟首先对平面光波导型VOA的实现方式进行了研究,最终选定S型弯曲波导结构;其次,根据选定的SiON与聚合物材料,利用有效折射率方法、马卡梯里方法对构成可VOA的单模矩形光波导进行了分析设计;进一步地,结合弯曲波导损耗理论对VOA的弯曲波导损耗进行了分析,从而得到器件的几何结构参数;接下来,利用热仿真软件对加热电极的功耗进行分析从而完成电极的设计;最后利用BPM对器件的整体性能进行了模拟分析,结果表明,对于1550 nm的工作波长,VOA实现50 dB的衰减,仅需要4.0 mW的功率。2.平面光波导型VOA的工艺制作研究根据以上设计的参数,及选定的材料的性质,对器件的工艺流程进行了设计,在此基础上设计并外协加工制作了器件的光刻掩膜板;对器件的制作工艺如光刻、磁控溅射、感应耦合离子刻蚀等进行了研究,通过多次的实验,优化了工艺参数;最后根据优化的参数,成功制作了相应的器件。3.平面光波导型VOA的测试及优化首先搭建了测试平台,对器件的光学性能如单模特性,插入损耗等进行了测试,测量得到的最低插入损耗为5.4 dB;其次利用背加热改变环境温度的方式对器件进行了测试,结果表明器件可实现0~40 dB的衰减范围,相应的最大温度变化为70.4°C;之后,进一步通过改变VOA电极上所施加的功率对器件进行了测试,结果表明器件可以实现0~50 dB的衰减范围,所需最大功耗为328 m W,器件实现27 dB的衰减需要功耗为83 mW;最后,分析讨论了功耗较大的原因及降低功耗的方案。(本文来源于《电子科技大学》期刊2015-04-30）
氮氧化硅论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了使用SiO_2为氧源合成氮氧化硅时,SiO_2的结晶状态对氮氧化硅形貌的影响。实验使用的SiO_2分别为气相白炭黑和晶体石英粉末,硅固体为平均粒径1.15μm左右的粉末。使用X射线衍射仪对合成物进行物相分析,并用扫描电子显微镜观察其形貌。结果表明:使用气相白炭黑为氧源时,在1 380℃保温4h的条件下,硅粉与气相白炭黑的物质的量比为2.0∶1~2.6∶1可得到纤维状氮氧化硅;以晶态石英为氧源时,在1 450℃保温4h的条件下,固定硅粉与晶态石英的物质的量比为1.5∶1可得到颗粒状氮氧化硅。本工作通过对Si-N-O体系的热力学分析,讨论了不同形貌的氮氧化硅粉体的形成机制。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氮氧化硅论文参考文献
[1].王书新,郎婷婷,宋广益,何建军.提高损耗均匀性的氮氧化硅阵列波导光栅路由器[J].光学学报.2019
[2].李兵,周子皓,尹传强,魏秀琴,周浪.氧化硅形态对合成氮氧化硅粉体的影响[J].材料导报.2017
[3].万慧慧,钟虹敏,张婧,薛兴亚,梁鑫淼.碱性化合物在未键合氮氧化硅和硅胶色谱固定相上的保留行为[C].第21届全国色谱学术报告会及仪器展览会会议论文集.2017
[4].张杨波,唐昭焕,阚玲,任芳.一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺[J].微电子学.2017
[5].张笑妍,霍文龙,兰天,崔杰,干科.利用氧化硅聚空心微球制备多孔氮氧化硅基复合陶瓷[C].第十九届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2016
[6].何善传,贾庆明,苏红莹,马艾华,陕绍云.氮氧化硅材料的研究进展[J].材料导报.2016
[7].李兵,尹传强,魏秀琴,周浪.以硅片线锯屑和石英为原料合成氮氧化硅粉体研究[J].人工晶体学报.2016
[8].尹传强,李兵,魏秀琴,周浪.利用硅片线锯屑合成氮氧化硅粉体研究[J].人工晶体学报.2015
[9].宋倩倩,雷建平,陈开鑫.氮氧化硅/聚合物混合集成低功耗可变光衰减器[J].光子学报.2015
[10].宋倩倩.氮氧化硅与聚合物混合集成可变光衰减器[D].电子科技大学.2015