导读:本文包含了场限环论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献，主要关键词:电压,终端,间距,电场,碳化硅,肖特基,功率。
场限环论文文献综述写法
李嘉琳,桑玲,郑柳,田丽欣,张文婷[1]（2019）在《具有场限环终端的6500 V 4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制》一文中研究指出阐述了6 500 V4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的设计、仿真和制备过程,并对流片结果进行了测试,分析了测试结果与仿真结果差异的原因。通过仿真对比分析了漂移区厚度、掺杂浓度、有源区p+区和场限环终端参数对器件电学特性的影响,数值模拟优化了器件元胞和终端结构的漂移区、有源区和场限环的结构参数。根据模拟结果,4H-SiC漂移区掺杂浓度为1.08×1015 cm-3、厚度为60μm,采用经过优化的70个场限环终端结构,通过完整的工艺流程,完成6 500 V4H-SiC JBS的制备。测试结果显示,室温下当6 500 V4H-SiC JBS正向导通电流密度达到3.53×105 A/m2时,正向压降为4 V,器件的反向击穿电压约为8 000 V。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年02期）
杨同同,杨晓磊,黄润华,李士颜,刘奥[2]（2018）在《6500 V SiC场限环终端设计与实现》一文中研究指出针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用叁段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场强度控制在1MV/cm以下,体内的峰值电场强度在2.4MV/cm以下,有效减小了实际工艺中环注入窗口的工艺偏差引起的环间距拉偏对峰值电场强度的影响。环间距拉偏结果显示,在-0.2~+0.2μm的偏差范围内,器件表面(SiO_2/SiC交界处)的峰值电场强度并没有升高,只是峰值的位置发生了改变。最后利用了所设计的场限环终端进行了实际流片。测试结果显示,当施加6 500V的反向电压,漏电流小于10μA。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2018年01期）
石存明,冯全源[3]（2016）在《一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构》一文中研究指出场限环结构以其简单的工艺和较高的效率,在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构中得到广泛应用,但其性能的提高也有限制。沟槽型终端结构对刻蚀工艺要求较高,并未在实际生产中得到大量应用。将场限环终端结构与沟槽终端结构相结合,设计了一种沟槽型场限环终端,在149.7μm的有效终端长度上实现了708V的仿真击穿电压。此结构可以得到较大的结深,硅体内部高电场区距离表面较远,硅表面电场仅为1.83E5V/cm,具有较高的可靠性。同时,工艺中只增加了沟槽刻蚀和斜离子里注入,没有增加额外的掩膜。(本文来源于《微电子学》期刊2016年01期）
任娜,盛况[4]（2015）在《采用场限环终端的2.5mΩ·cm~2,1750V4H-SiC结势垒肖特基二极管（英文）》一文中研究指出该文报道具有最小比导通电阻的~1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky,JBS)二极管的有源区和终端结构进行了优化设计。实验结果验证了场限环(floating guard ring,FGR)终端的优化设计结构具有较强的鲁棒性,能够抵抗工艺中环间距的变化以及钝化层中寄生电荷的影响。实验制作的4H-SiC结势垒肖特基二极管实现了2.5 mΩ·cm2的最小比导通电阻值,接近于理论值(2.4 mΩ·cm2),并且具有优秀的反向阻断特性,获得了最高1.75 k V的阻断电压(达到了95%的理论值)和83%的器件良率,从而实现了SiC JBS二极管品质因数的最高记录(U22B/Ron_sp=1 225 MW/cm)。(本文来源于《中国电机工程学报》期刊2015年21期）
查祎英,田亮,杨霏[5]（2015）在《一种高压4H-SiC二极管改进场限环结终端结构》一文中研究指出设计了一种用于3.3 kV4H-SiC肖特基二极管的场限环(FLR)结终端保护结构。该结终端保护结构是通过在高能离子注入形成二极管p+有源区的同时在结边缘形成多个不同间距的p+场限环来实现的,以避免多次离子注入。借助半导体数值仿真软件Silvaco,对制备二极管所用的4H-SiC材料外延层耐压特性进行了仿真验证;对场限环的环间距和场限环宽度进行了优化,形成由34个宽度5μm的场限环构成的场限环结终端结构。以此为基础,采用4英寸(1英寸=2.54 cm)n型4H-SiC外延片成功制备了3.3 kV4H-SiC二极管器件。简述了制备工艺流程,给出了部分关键工艺参数。对二极管芯片进行了在片测试和分析,反向漏电流密度1 mA/cm2时的击穿电压约为3.9 kV,且70%以上的二极管耐压可达到3.6 kV以上,验证了这一场限环结终端的可行性。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2015年02期）
孙伟锋,王佳宁,易扬波[6]（2009）在《单个浮置场限环终端结构击穿电压模型》一文中研究指出基于B.J.Baliga的击穿电压理论,通过求解双边突变圆柱结的泊松方程,提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果与模拟结果的误差在±7%之内,具有精度高、应用范围广等特点,可以帮助设计者初步确定浮置场限环注入窗口大小及与主结的间距等关键参数。(本文来源于《微电子学》期刊2009年06期）
高嵩,石广源,王中文[7]（2008）在《单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化》一文中研究指出基于横向扩散与纵向扩散构成的冶金结边界为椭圆形这一特点,讨论单场限环结构表面电场强度的分布,给出表面电场强度、主结及环结分担电压的解析表达式。在纵向结深和掺杂浓度一定的条件下,根据临界电场击穿理论,讨论环间距的优化设计方法。单场限环结构主结环结间表面电场强度的绝对值曲线近似呈抛物线,最大电场位于主结处。随着环间距的增大,最大电场变大;随着横向扩散深度的增大,最大电场变小。环右侧最大电场也出现在结处,随着环间距和横向扩散深度的增加,最大电场均减小。在场限环结构中,当主结和环结在表面处的最大电场强度均等于临界电场强度时,击穿电压达到最大值,此时所对应的环间距为最佳环间距。(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2008年02期）
遇寒,沈克强[8]（2007）在《功率半导体器件的场限环研究》一文中研究指出分析了场限环结构原理,总结了影响击穿电压的相关因素.采用圆柱坐标对称解进行分析,讨论了给定击穿电压情况下场限环结构的电场分布和峰值电场表达式及各种确定场限环个数的方法的.最后用流行的2-D半导体器件模拟工具MEDICI对器件终端进行相关模拟,尤其是表面电荷对带场限环的击穿电压和优化环间距的影响做了大量的分析模拟.得出的结论与文献中的数值模拟结果相符合,对设计优化场限环有一定的指导性.(本文来源于《电子器件》期刊2007年01期）
张雯,张俊松[9]（2006）在《多场限环的优化设计方法》一文中研究指出提出了一种多重场限环(FLR)终端结构的优化设计方法。这一方法给出了一种简单的模拟结构用以绘制所谓的击穿电压-间距曲线,由这一曲线可以直接得到最优化结构,而不必进行试验,也不易发生错误。由此种方法得到的结果与实验结果附合的非常好。我们在广泛范围内对这一方法的适用性进行了研究,结果表明这一方法在中等电压范围的FLR终端设计中非常有效。(本文来源于《微处理机》期刊2006年01期）
何进,张兴[10]（2003）在《场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化》一文中研究指出采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响 ,并用流行的 2 -D半导体器件模拟工具 MEDICI对解析计算进行了验证。根据临界电场击穿近似 ,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式。在一定结深和掺杂浓度时 ,理论计算给出了与数值分析一致的优化环间距和最高击穿电压值(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2003年02期）
场限环论文开题报告范文
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用叁段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场强度控制在1MV/cm以下,体内的峰值电场强度在2.4MV/cm以下,有效减小了实际工艺中环注入窗口的工艺偏差引起的环间距拉偏对峰值电场强度的影响。环间距拉偏结果显示,在-0.2~+0.2μm的偏差范围内,器件表面(SiO_2/SiC交界处)的峰值电场强度并没有升高,只是峰值的位置发生了改变。最后利用了所设计的场限环终端进行了实际流片。测试结果显示,当施加6 500V的反向电压,漏电流小于10μA。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场限环论文参考文献
[1].李嘉琳,桑玲,郑柳,田丽欣,张文婷.具有场限环终端的6500V4H-SiC结势垒肖特基二极管的研制[J].微纳电子技术.2019
[2].杨同同,杨晓磊,黄润华,李士颜,刘奥.6500VSiC场限环终端设计与实现[J].固体电子学研究与进展.2018
[3].石存明,冯全源.一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构[J].微电子学.2016
[4].任娜,盛况.采用场限环终端的2.5mΩ·cm~2,1750V4H-SiC结势垒肖特基二极管（英文）[J].中国电机工程学报.2015
[5].查祎英,田亮,杨霏.一种高压4H-SiC二极管改进场限环结终端结构[J].微纳电子技术.2015
[6].孙伟锋,王佳宁,易扬波.单个浮置场限环终端结构击穿电压模型[J].微电子学.2009
[7].高嵩,石广源,王中文.单场限环结构的表面电场分布及环间距的优化[J].微电子学与计算机.2008
[8].遇寒,沈克强.功率半导体器件的场限环研究[J].电子器件.2007
[9].张雯,张俊松.多场限环的优化设计方法[J].微处理机.2006
[10].何进,张兴.场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化[J].固体电子学研究与进展.2003