导读:本文包含了输运理论论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:模型,量子,格林,理论,纳米,电荷,中子。
输运理论论文文献综述
白继元[1]（2018）在《耦合多量子点干涉仪系统电输运理论研究》一文中研究指出如何调控半导体量子点系统电输运一直是电子科技领域中具有广阔应用前景的研究课题。半导体量子点通常在单电子静电计、静态存储器元件、量子信息科学、量子计算等方面得以应用。与单量子点系统相比,耦合多量子点系统具有更多可调参数,可以更加容易地控制系统电荷输运、自旋极化输运和热电输运等。耦合多量子点可被用作集成量子芯片的基础电子元器件,而耦合多量子点系统电输运和热电转换的研究,则为设计与制备新型量子功能器件提供必要的理论支撑。本文利用Keldysh非平衡格林函数建立Dyson方程的方法,结合Langreth定理对几种不同构型的耦合多量子点干涉仪系统电荷输运、光子辅助电输运、自旋输运及热电输运进行理论研究。首先,在平行双量子点干涉仪结构基础上侧向悬挂一个量子点,设计成非对称叁量子点干涉仪光子辅助电输运模型。通过调节量子点间耦合强度、含时外场的振幅和频率可以控制系统的平均电流峰值的大小和位置,实现介观器件的整流功能。对含时外场振幅的调控可实现系统平均电流峰与谷之间的转换。调节量子点-电极之间耦合强度的非对称性参数,能够使平均电流主峰与旁带峰更加易于区分,有助于确定系统能级的分立。其次,为使介观量子器件中的自旋极化电流得到更加有效地控制,设计了在Aharonov-Bhom干涉仪两臂中分别嵌入“T-型叁量子点分子”模型,研究了该量子器件中光子辅助电荷及自旋输运特性。当有横向磁通穿过系统时,可观察到平均电流的Aharonov-Bhom效应。通过调节Rashba自旋-轨道耦合强度,可以在整个量子点能级区域内实现纯自旋向上(向下)的极化传输。在对称含时外场作用中,通过调节直流偏压、磁通和Rashba自旋-轨道耦合相位因子,自旋极化的大小和方向都可以有效地控制。在系统中施加时间调制的非对称外场能够实现多光子-电子泵功能。再次,设计并研究了“线型双量子点分子”Aharonov-Bohm干涉仪光子辅助电输运和“线型叁量子点分子”Aharonov-Bohm干涉仪电输运。在“线型双量子点分子”Aharonov-Bohm干涉仪的研究中,调节量子点间耦合强度或磁通可以诱导电导共振峰发生劈裂。控制横向磁通的有无,可实现电导共振峰数值在0与1之间的相互转换,这为制造量子开关提供了一个新的物理解决方案。借助磁通和Rashba自旋-轨道相互作用,该系统可实现自旋过滤。对于“线型叁量子点分子”Aharonov-Bohm干涉仪,当两个“线型叁量子点分子”内点间耦合强度的数值差较小时,在电导谱中可以观察到Fano反共振峰。通过调节系统结构参数,可同时形成两个束缚态。随着磁通量相位因子在)0(-π范围内的增加,系统电导反共振点逐渐演变成反共振带。研究结果为“线型耦合多量子点分子链”嵌入Aharonov-Bohm干涉仪系统电输运的进一步研究提供了新的认知。最后,为提升介观量子器件的热电转换性能,在平行耦合双量子点基础上对称侧向悬挂单量子点。由于对称侧向悬挂量子点的耦合作用,在低温条件下电导谱和热导谱均产生了双Fano共振,这在很大程度上增强了系统热电转换性能。由于局域双极化效应与Fano效应的共同作用,该系统比平行耦合双量子点系统的热电优值提高一倍,基于此该系统可用于设计高效热电转换的量子器件。在相对高温条件下,通过调整量子点-电极耦合强度和量子点能级,可以实现系统热电优值的优化。总之,本文设计并研究了几种典型耦合多量子点干涉仪的电子输运、光子辅助电输运、自旋极化输运和热电输运。阐明了系统结构参数的调节可实现对电导、平均电流、自旋极化电流和热电参量的有效控制。这些典型耦合多量子点干涉仪系统对于实验来说结构并不复杂,对欧姆接触电极进行设计之后便可在实验中实现。本文的结论期望有助于自旋量子器件和热电转换量子器件的设计与研发。(本文来源于《哈尔滨工程大学》期刊2018-11-01）
帅志刚[2]（2018）在《光电材料中的输运理论与计算》一文中研究指出有机半导体作为一种新型光电材料,近年来取得了重要的研究进展。针对有机材料的电致发光、载流子输运、光伏器件中形貌对能量转化效率以及对开路电压和短路电流的影响、热电转换等问题,发展了多尺度的计算模拟方法,并提出了有机半导体的局域电荷量子核隧穿模型。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2018年05期）
邹冬青[3]（2018）在《基于石墨烯和硅烯纳米带电荷与自旋输运理论研究》一文中研究指出随着电子器件小型化的不断发展,从纳米尺度乃至分子尺度上研究器件电学性质的分子电子学越来越受到人们的广泛关注。随着实验技术的不断进步,包括纳米加工技术,自组装技术,扫描隧道显微镜技术以及劈裂结等方法的发展,人们得以在小分子或分子基团甚至是单个分子的水平上制作分子器件,并进一步研究它们的电学输运性质。到目前为止,在纳米尺度上寻找合适的功能分子或纳米材料来实现宏观电子器件所具备的功能,是分子电子学的主要议题。近些年,人们将目光转向了低维纳米材料的研究。特别是石墨烯,一经发现立即开启了人们研究低维纳米材料的热潮。与石墨烯同属于碳族材料的硅烯,被认为能够更好地与现代硅基技术兼容,也同样备受瞩目。要将石墨烯和硅烯应用到电路中,通常会将其切割成纳米带。目前,人们已经开展了大量丰富的工作来研究石墨烯和硅烯纳米带的输运性质,但仍然存在一些问题值得我们去探讨。例如,锯齿形石墨烯纳米带(ZGNRs)基态下两侧边缘碳原子反铁磁耦合,总磁矩是零,限制了其在分子自旋电子学方面的应用,需要采取适当措施调控边缘碳原子的磁化方向;裸露的硅烯纳米带不稳定,因此在硅烯纳米带制备过程中需要将边缘硅原子进行' 修饰,采用不同的化学环境会产生不同的边缘修饰情况,而目前对于不同的边缘修饰情况的硅烯纳米带片段的输运性质尚不明确等等。另外,基于石墨烯和硅烯纳米带的多功能分子器件的设计仍然是当前的一个研究热点。本论文利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的方法研究了锯齿形石墨烯和硅烯纳米带的电荷和自旋输运性质,设计了基于石墨烯纳米带的多功能分子器件,并采用自掺杂的方法对ZGNRs的边缘磁性进行了调控,还研究了不同官能团修饰的锯齿形硅烯纳米带(ZSiNRs)的电荷输运性质。具体研究内容和结果如下:1.低并苯分子连接石墨烯纳米带电极自旋输运性质的研究我们在理论上设计并研究了一种全碳分子结,它是由一系列低并苯分子嵌在ZGNRs电极组成的。我们研究的低并苯分子包括并叁苯、并四苯、并五苯和并六苯。通过施加外部电场或磁场,ZGNRs电极能够由反铁磁态调控为铁磁态。我们模拟了左右ZGNRs电极在外部电磁场作用下被设置成自旋平行和自旋反平行两种组态,并利用第一性原理的方法,计算了该器件在两种组态下的自旋输运性质,深入分析了并苯分子的长度对器件自旋输运性质的影响。理论计算结果显示,自旋极化的ZGNRs电极能够诱导低并苯分子在费米能级附近产生自旋极化的电子态,并且随着苯环数量的增加,这种作用不断增强,能够不断地促进电子输运。此外,在该分子器件中,我们观察到了自旋过滤效应和双向自旋整流效应,并且在很宽的偏压范围内都可以观察到上述现象,其中自旋极化率可以达到接近100%,整流比超过103。在低偏压-0.1V到0.1V范围内,器件还表现出了巨磁电阻效应,磁阻比达到了 8000%。另外,我们还在器件中发现了负微分电阻效应。我们对这些有趣现象的物理机制进行了解释。其中,巨磁电阻效应,自旋过滤和自旋整流效应主要是由于左右电极在费米能级附近的能带波函数对称性不匹配引起的。而负微分电阻效应不仅是由于能带波函数对称性不匹配,还与中心分子的能级有关。我们相信这些发现为基于石墨烯材料的高性能自旋电子器件的设计与合成提供了理论指导。2.边缘去氢对线缺陷石墨烯纳米带磁性和自旋输运性质的调控由于氢终端的ZGNRs总磁矩为零,并且能带结构只发生了轻微的自旋劈裂,限制了其在自旋电子学方面的应用。我们的工作是将扩展的线缺陷-558线缺陷和57线缺陷引入到ZGNRs体系中实现自掺杂,并研究了边缘去氢效应对线缺陷ZGNRs的磁性和自旋输运性质的影响。计算结果表明,边缘去氢效应能够显着诱导或加强558线缺陷ZGNRs的磁性,但对57线缺陷ZGNRs的磁性没有效果。这主要是边缘未饱和的558线缺陷ZGNRs在费米能级附近产生了一个自旋极化的C6边缘态,这个边缘态的产生加强了费米能级附近能带的自旋劈裂。并且,比起纯净的ZGNRs,边缘未饱和的558线缺陷ZGNRs能够实现纳米带两侧边缘碳原子反铁磁耦合到铁磁耦合的转变。此外,边缘去氢效应能够有效地提高我们所研究的分子器件的自旋极化效率。理论分析结果表明费米能级附近σ边缘态的存在对调控基于石墨烯体系的自旋电子器件的自旋输运性质发挥着重要作用。3.边缘氢化氧化对硅烯纳米带电荷输运性质的影响由于纯净的硅烯纳米带的边缘悬挂键不稳定,通常会对其进行化学修饰。在激光刻蚀或者氧化切割硅烯纳米带的过程中,可能会引入各种氢化氧化官能团(H,H2,O或者OH基团)。因此,利用第一性原理的方法,我们研究了边缘氢化或氧化的ZSiNRs片段连接氢原子终端的ZSiNRs电极的输运性质,并系统地检测了不同边缘官能团修饰对其输运性质的影响。我们主要研究了两类体系:一类是边缘官能团H,OH,O和H2位于ZSiNRs的两侧,一类是边缘官能团OH,O和H2位于ZSiNRs的一侧,另一侧始终用H基团饱和。这些对称和非对称的边缘官能团修饰表现出不同的电流-电压曲线特性。对于前者,偏压下的电流都受到抑制,而后者,电流明显增强。这主要是由于对称边缘官能团修饰的ZSiNRs的结构具有沿中心轴的C2对称操作,左右电极的π和π*能带波函数的对称性不匹配能够对输运起到抑制作用。此外,不同边缘官能团修饰ZSiNRs的电流大小的比较结果为:H>OH>O>H2。这主要是由于OH基团与边缘Si原子的杂化方式与H基团类似,都是类sp2杂化,OH基团饱和的ZSiNRs与H基团饱和的ZSiNRs具有相似的能带结构;O基团饱和的ZSiNRs会在费米能级附近产生一条能带提供输运通道;而H2基团饱和的ZSiNRs会在费米能级附近产生带隙不利于输运。因此,边缘官基团修饰在硅基纳米带器件的电荷输运性质方面发挥着重要的作用,理解它们的作用机理对硅基纳米带器件的实际应用具有十分关键的作用。论文包括以下六章内容:第一章为绪论部分,主要介绍了分子电子学的研究背景,分子器件的实验与理论研究进展,分子器件的传输特性以及石墨烯和硅烯及其纳米带的结构与性质。第二章为理论方法部分,介绍了计算电子结构的方法-密度泛函理论,以及计算分子器件输运性质的非平衡格林函数方法。同时还介绍了应用密度泛函理论与非平衡格林函数方法自洽求解器件输运性质的过程。第叁到五章介绍了基于上述理论方法所做的具体工作和计算结果:第叁章研究了低并苯分子连接石墨烯纳米带电极构成器件的自旋输运性质,成功地设计了具有巨磁电阻效应,双向自旋过滤和自旋整流效应以及负微分电阻效应的多功能分子器件;第四章研究了边缘去氢对线缺陷石墨烯纳米带磁性和自旋输运性质的调控,成功地实现了 ZGNRs两侧边缘碳原子反铁磁耦合到铁磁耦合的转变,并提高了器件的自旋极化率;第五章讨论了各种边缘氢化氧化官能团对硅烯纳米带电荷输运性质的影响。第六章对本论文工作进行了总结和展望。(本文来源于《山东大学》期刊2018-04-02）
张德兵[4]（2017）在《托卡马克等离子体准线性输运理论研究》一文中研究指出湍流引起的反常输运是托卡马克等离子体中的一个重要课题,它会影响等离子体的密度剖面、温度剖面和转动剖面,从而影响托卡马克的约束性能。基于李变换扰动方法,回旋动理学的Vlasov方程可以写成Fokker-Planck方程的形式,可以用来系统地计算湍流扰动引起的准线性粒子流、能量流及平行动量流。本文基于李变换扰动方法,分别计算了离子回旋频段的射频波以及离子温度梯度模引起的准线性输运。第一个工作中,我们研究了平板位型下离子回旋频段的射频波引起的准线性输运。在空间均匀的情况下,离子回旋频段的射频波会引起径向粒子流、能量流及平行动量流,对应引起粒子、能量和平行动量在径向方向的再分配。这种再分配流与平衡分布函数的速度空间不均匀性有关。在空间非均匀情况下,径向流包括两部分的贡献:一部分是位型空间不均匀性驱动的,比如密度梯度和温度梯度,另一部分是速度空间不均匀性驱动的再分配流。若射频波有很强的非对称的极向波谱,则再分配流占主导地位。我们还研究了平衡平行流的影响,发现平衡平行流对输运的影响几乎可以忽略。第二个工作中,我们考虑环位型中带平衡平行流的等离子体,研究了离子与离子温度梯度模的磁漂移共振而导致的准线性输运。我们指出准线性输运流中存在由背景磁场的弯曲导致的pinch速度,这一速度与离子温度梯度模引起的粒子位型空间偏移和速度空间偏移的关联有关。我们首先采用"Grad-B model"近似来处理磁漂移共振。基于这个近似,采用李变换扰动方法计算得到的径向粒子流和径向热流的表达式与以前采用湍流均分理论计算得到的表达式很相近。平行流和流剪切并不贡献径向粒子流和径向热流,相应地,平行粘滞的径向分量也不包含密度梯度和温度梯度的贡献。我们提出一种方法来严格处理磁漂移共振,并数值研究了输运系数和输运流与宏观参数的依赖关系。我们发现,严格处理磁漂移共振后,平衡平行流和流剪切对径向粒子流和热流有贡献。在强平行流和流剪切的情况下,热流的方向会变为径向朝里。密度梯度和温度梯度也会贡献平行粘滞的径向分量,这一点与"Grad-B model"近似给出的结果不一致。我们通过分析输运系数中的被积函数,讨论了径向热流和平行粘滞的径向分量中的各pinch分量的方向与宏观参数的依赖关系,发现这些pinch分量指向可以朝里或朝外,与共振条件很相关。严格处理磁漂移共振得到的准线性输运结果是对以前文献结果的修正,有利于我们对输运机制的理解。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2017-05-01）
贾梦宇[5]（2016）在《近场光子输运理论及薄层光学层析非线性图像重建研究》一文中研究指出对宫颈及皮肤等上皮组织的成像具有深度小和空间分辨率高的特点。而现有的介观成像技术,如光学相干层析成像(Optical Coherence Tomography,OCT),由于功能信息的缺失,使其不完全具备对这些上皮组织中的病灶,尤其是(早期)肿瘤的探测能力。薄层光学层析成像(Laminar optical tomography,LOT)是一种新型的介观功能成像技术,可实现0~2.5mm深度范围内100~200μm的空间分辨率,对浅层组织中的黑色素、血红蛋白及荧光团物质较为敏感。然而,现有LOT图像重建方法中对逆问题的线性化假设存在较多局限性,难以满足临床应用的要求。本论文首先对图像重建中的正问题展开研究,针对介观成像中的高密度采样以及准直光源近场建模问题,本文先后提出了叁种光子输运模型并验证了其用于LOT图像重建的可行性。然后,针对成像逆问题中的大数据迭代重建,提出了一种用于LOT非线性吸收图像重建的方法,并通过仿体及动物实验对其进行验证。具体创新点如下:1.提出了基于路径变换及目标体元回归(Rajectory translation and target voxel regression,TT&TVR)技术的数值化正向模型。采用蒙特卡洛(Monte-Carlo,MC)模拟来实现近场区的光子输运建模时,由于LOT属于高密度采样系统,使得利用MC求解正问题的计算效率极低。为此,本论文提出了TT&TVR方法来简化建模过程,实现了仅依靠一次单扫描点的基准MC模拟计算出所有扫描点下的模型预测值,使运算速度至少提升10倍,存储空间缩小大约6.9?10~4倍(接收光子为1.0?10~7)。同时,图像重建的模拟结果表明,该方法实现了较准确的异质体位置、尺寸重建以及较高的重建量化度。2.提出了基于虚拟光源—扩散近似(Virtual source-diffuse approximation,VS-DA)技术的半解析、半数值化的正向模型。考虑到大多数用于描述浑浊介质中的准直光近场区光子输运的解析模型表达式过于复杂,本文提出了虚拟光源技术。该方法用一组沿入射方向的各向同性向点光源来等效代替原连续准直光束。为了获得点光源的强度及分布,可由场的唯一性及迭加定理建立虚拟光源方程,并通过最优化理论进行求解。通过与扩散近似结合,得到了VS-DA模型。该模型既大幅提高了传统单点源DE模型在准直光近场区低反照率场合的建模精度,同时继承了DE模型求解的高效性。通过与几种典型近场模型的对比,验证了VS-DA模型的求解精度及计算效率。3.提出了基于混合辐射传输-扩散方程(Radiative transfer equation-diffusion equation,RTE-DE)的全解析解模型。目前,采用基于子区域分割方法的RTE-DE模型来描述近场光子输运问题时,方程间的耦合计算复杂甚至具有物理上的不准确性。为此,本论文提出一种新型的基于瞬态光子动力学的耦合策略,可实现辐射传输与扩散近似过程物理上的无缝连接。该方法将时域扩散方程在一个约定转化时间点的瞬态解转化为一个局部分布的各向同性点光源,并作为扩散方程的光源项用于描述该时间点之后(即晚期)已被充分散射的传输过程。完整的稳态传输建模由早期稳态辐射传输方程解及晚期的稳态扩散方程解组成。最后通过与全域RTE方程比较,验证了所提出模型用于求解近场区光子密度的准确性。4.提出了基于显性奇异值分解(Singular value decomposition,SVD)递归表达式的非线性LOT吸收图像重建策略。由于介观成像具有扫描点多和小探测距离的特点,基于高阶输运理论的迭代非线性图像重建效率较低难以应用。为此本文提出将Jacobian矩阵合成及其SVD分解转化为求解显性SVD递归表达式,大幅降低了图像重建中每次迭代的计算复杂度,从而实现了具有实际意义的LOT迭代非线性图像重建方法。对于采用缩放原理的快速正向计算,推导了其中的缩放因子—光子路径的表达式并在迭代重建过程中及时更新,完整地诠释了逆问题的非线性本质。最后通过仿体及荷瘤鼠在体实验对重建结果的量化度、空间分辨率及计算效率进行了验证。本论文所提出的近场光子输运模型及非线性成像方法不仅适用于LOT系统,也能够应用于其他介观成像系统。此外,对高密度或(及)大体积成像同样具有重要的参考价值。(本文来源于《天津大学》期刊2016-12-01）
石成,陈颖,李登峰[6]（2016）在《可变外场中非线性系统热输运理论与计算方法》一文中研究指出可变外场对低维纳米非线性体系热输运的调控研究有利于新型热控制器件的设计。本论文比较分析了用于热输运理论研究的玻尔兹曼方法、格林-库伯方法、非平衡格林函数法和量子主方程的优势和局限性,发现非平衡格林函数方法可处理弱耦合体系在可变外场作用下非线性体系的热输运,4阶量子主方程可处理耦合系数在0.45以内的中等程度耦合体系。(本文来源于《兵器装备工程学报》期刊2016年05期）
刘博[7]（2016）在《基于无序体系电荷输运理论的聚合物半导体全器件模型构建与应用》一文中研究指出共轭聚合物材料具有质轻、廉价、易加工等特点,在半导体光电器件制备方面应用前景广阔。然而,与无机半导体材料相比,有机半导体材料的缺点是电荷输运能力较差,表现为迁移率较低。目前使用聚合物半导体材料制备的电子器件还未达到商品化的门槛。应用复杂体系电荷转移理论来描述有机/聚合物体系的电荷输运过程,通过结合激子扩散、载流子复合、电极—半导体接触条件等模块,我们构建出了有机/聚合物太阳能电池(及场效应晶体管)全器件模型。应用全器件模型进行理论与模拟研究,可以方便地建立起微观物理过程与器件宏观性能之间的联系。进而有助于理解器件性能限制因素的本源,并为实验提供改进方向。与目前更流行的、同样包含唯象参数的动力学蒙特卡洛方法全器件模型相比,我们构建的主方程方法全器件模型的最大优势是数值求解容易且快速。对聚合物给—受体二元共混型本体异质结太阳能电池体系进行模拟,光生激子的扩散与分离以及自由载流子在同相内和异相间的输运是核心步骤。在有机/聚合物本体异质结太阳能电池全器件模型合理性验证研究方面——我们发现迁移率与能量无序度间存在非阿瑞尼乌斯二次方关系;通过模拟退火过程,发现活性层相分离程度对器件效率影响很大,存在所谓的“最佳形貌”;迁移率与器件效率间的关系存在争议,我们发现随迁移增加器件效率提高并最终趋于饱和;通过模拟还发现,当电子和空穴迁移率不平衡、电极—活性层接触势垒较高且不平衡时,会导致局部电荷积累,进而导致双分子复合增强。通过将唯象参数引入全器件模型,使得电荷从电极注入及电荷被电极抽取不再是简单的反向过程,从而实现了对注入暗电流和抽取光电流的精确模拟。我们发现对电极—活性层能带进行匹配,可以降低接触势垒,显着提高器件效率;较高的接触势垒导致内量子效率降低的本源是局部空间电荷堆积致使双分子复合损失增多;另外,接触势垒高度对双分子复合速率影响较大,对成对复合速率影响较小。在对铁电聚合物材料界面层—本体异质结太阳能电池体系模拟研究方面:通过对已报道的存在争议的实验结果进行精确模拟,我们解释了一类聚合物铁电材料作为电极修饰界面层的作用机理,指出“电极优化与能带匹配”机理是合理的,而铁电薄膜极化引入“永久额外内电场和串联电阻”这一机理存在漏洞。结构上包含叁个电极的有机场效应晶体管是注入型电荷传输器件,针对其的主方程方法全器件模型构建可以看作是对已有的有机/聚合物太阳能电池模型去除光物理过程模块的简化。目前,利用我们构建的有机场效应晶体管全器件模型模拟,可以得到输出曲线、载流子沿器件厚度一维分布、能量无序度与迁移率关系等结果。(本文来源于《吉林大学》期刊2016-05-01）
年磊磊[8]（2016）在《DNA分子的热电输运理论研究》一文中研究指出纳米材料因具有良好的热电转换效率日益引起人们的广泛关注,深入理解和研究纳米尺度系统的热电输运行为不仅有助于优化和提高电子器件的热电执行性能,而且对设计新型量子热电器件也具有重要意义,进一步为利用废热和节约能源提供理论基础。DNA分子,作为一种天然的有机分子,由于其具有自组装和自识别特性,在分子电子学中充当重要的角色。此外,DNA分子具有双螺旋的空间结构,其手性特征导致DNA分子中的电子输运具有自旋选择性。因此,深入研究DNA分子的自旋相关的热电输运能够为设计自旋热电器件提供新的思路。在第一章中,我们较为详细地介绍了热电效应以及热自旋电子学的研究进展。第二章首先介绍了DNA分子的生物、物理和化学性质,然后介绍了研究DNA分子电子输运的主要方法和相应的研究进展。关于手性DNA分子热电输运特性研究,本文主要开展了以下研究工作:1.利用非平衡格林函数方法研究了铁磁金属—ds DNA—铁磁金属的热电输运性质。发现通过调节温度、自旋—轨道耦合强度、螺旋角等系统参数获得较大的热电转换效率,而且可以实现纯的自旋塞贝克效应。进一步发现自旋—轨道耦合和螺旋角可以增强自旋塞贝克系数,链内的跳跃积分不仅能调控热电系数,还可以决定载流子的种类。2.利用非平衡格林函数方法并结合Landauer-B¨uttiker公式,研究了热偏压驱动下普通金属—ds DNA—铁磁电极结的热自旋效应。发现电流—热偏压曲线中存在热电二极管效应、自旋塞贝克二极管效应以及负微分热电阻现象。利用门电压来调控此系统可以实现纯自旋流输运,并且给出了螺旋角、自旋—轨道耦合相互作用和自旋极化量等因素对电流影响的物理机制。最后,第五章给出了全文的总结和展望。(本文来源于《中国矿业大学》期刊2016-05-01）
[9]（2015）在《中国科学院核能安全技术研究所 中国科学院中子输运理论与辐射安全重点实验室》一文中研究指出中国科学院核能安全技术研究所是中国科学院合肥物质科学研究院和中国科学技术大学联合支持建设的创新型研究所,同时也是中国科学院中子输运理论与辐射安全重点实验室的依托单位。研究所的目标是建成具有国际先进水平的核能安全技术研究基地、核能安全专业高端人才培养中心、核电站及其他核设施安全技术综合支持平台及第叁方评价机构。研究所在多学科交叉先进核能研究团队(FDS团队)研究基础上成立,承担中科院战略性先导科技专项"未来先进核裂(本文来源于《中国核电》期刊2015年03期）
李凯[10]（2015）在《渗透微血管磁性载药粒子的统计力学输运理论模型研究》一文中研究指出磁性载药粒子的靶向治疗方法具有高靶向性、低毒性和非侵入性等优点,使其成为当前治疗癌症方法研究的热点之一。该方法能够提升病变区域的药物浓度,减轻药物对正常组织和细胞的毒副作用,从而提升治疗效果,具有巨大的应用前景和市场需求。本文首先从统计力学角度,建立了磁性载药粒子在渗透微血管中的统计力学输运模型。微血管中血液的流动采用Casson-Newton双流体模型描述,微血管渗透效应采用Darcy定律描述。模型采用Starling假说,同时考虑血液流动和周围组织液流动的耦合效应。载药粒子在微血管中的随机运动效应采用Boltzmann方程进行描述,方程中考虑了载药粒子与红细胞的弹性碰撞效应。其次,通过耦合求解磁场方程、血液压力方程、组织液压力方程和Boltzmann方程,获得了渗透微血管的血液流速分布,血液和组织液的压力分布以及磁性载药粒子在渗透微血管中分布。并在此基础上,得到了磁性载药粒子在渗透微血管中的捕获率。结果表明,载药粒子尺寸的增加和外磁介质与血管的距离的减小能提高捕获率,渗透性较强的微血管以及较低的微血管血液入口流速更有利于捕获率的增加。最后,通过体外实验分析了流体速度和磁铁至管道中心的距离对磁性纳米颗粒捕获率的影响,验证了本文建立的模型的有效性。本文的研究工作及成果为磁性药物靶向治疗方法的临床应用提供了有意义的依据。(本文来源于《东南大学》期刊2015-05-01）
输运理论论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
有机半导体作为一种新型光电材料,近年来取得了重要的研究进展。针对有机材料的电致发光、载流子输运、光伏器件中形貌对能量转化效率以及对开路电压和短路电流的影响、热电转换等问题,发展了多尺度的计算模拟方法,并提出了有机半导体的局域电荷量子核隧穿模型。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
输运理论论文参考文献
[1].白继元.耦合多量子点干涉仪系统电输运理论研究[D].哈尔滨工程大学.2018
[2].帅志刚.光电材料中的输运理论与计算[J].光学与光电技术.2018
[3].邹冬青.基于石墨烯和硅烯纳米带电荷与自旋输运理论研究[D].山东大学.2018
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