论文摘要
金属硅化物材料具有较低的接触电阻,并且与硅材料有较好的兼容性,所以在互补金属氧化物半导体（CMOS）器件中被看作是重要的电极材料。形成镍金属硅化物的关键是镍金属单质的淀积工艺。如何在大深宽比纳米尺度的三维结构中沉积保形性好、纯度高、导电性好的镍金属单质薄膜是亟需解决的问题。利用热法原子层沉积（ALD）技术,以一种新型脒基镍前驱体[Ni（iPr-MeAMD）]2,在深宽比为10:1的硅基底沟槽中沉积得到纯度高、保形性好、连续平滑的镍薄膜。对薄膜进行了X射线衍射（XRD）测试,为单一的α六方晶体结构。考察了不同退火温度下镍金属硅化物的形成,利用扫描电子显微镜（SEM）、能量色散谱（EDS）和XRD进行了物相相变的分析。退火温度400℃下得到NiSi相,其薄膜电阻率最低,约为34μΩ·cm。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 乌李瑛,瞿敏妮,沈贇靓,王英,程秀兰
关键词: 镍薄膜,原子层沉积,沉积速率,金属硅化物,互补金属氧化物半导体
来源: 微纳电子技术 2019年06期
年度: 2019
分类: 信息科技,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工
单位: 上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台
基金: 国家科技部“十三五”高性能计算重点研发计划项目子课题(2016YFB0200205),2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400)
分类号: TQ138.13
DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.06.011
页码: 486-492
总页数: 7
文件大小: 1771K
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标签：镍薄膜论文; 原子层沉积论文; 沉积速率论文; 金属硅化物论文; 互补金属氧化物半导体论文;