铋膜电极阳极溶出伏安法检测痕量Cd金属

论文摘要

镉氧化产生的溶出电流与样品中Cd2+的浓度有关。本研究通过方波阳极溶出伏安法（SWASV）在活化铋膜电极（Activated BFE）上对低浓度μg/L水平的Cd（II）进行测定。通过电化学方法对电极进行初步改性,然后电沉积制备铋膜再次对电极进行改进,从而增强了对痕量目标Cd2+的敏感性。对改性前后的玻碳电极（GCE）表面进行SEM、CV、EIS和SWV的表征。为了将这种伏安法传感器应用于含有低浓度Cd2+的实际样品中,对检测Cd2+的实验参数进行了研究。使用选定的条件,在10 min的预富集条件下Cd2+的检测限为1μg/L。

论文目录

• 1 实验方法
•   1.1 仪器和试剂
•   1.2 电化学预处理玻碳电极
•   1.3 活化铋膜玻碳电极的制备
•   1.4 方波伏安法检测Cd2+
•   1.5 测试与表征
• 2 结果与讨论
•   2.1 电极表面结构和形貌分析
•   2.2 电极性能表征对比
•   2.3 铋离子浓度对镉溶出曲线的影响
•   2.4 不同镉浓度梯度溶出曲线
• 3 结论

文章来源

类型: 期刊论文

作者: 要美娜,杨贤金,崔振铎,朱胜利,李朝阳,梁砚琴

关键词: 铋膜,阳极溶出伏安法,化学修饰电极,电化学检测,镉离子

来源: 无机材料学报 2019年01期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 化学

单位: 天津大学材料科学与工程学院先进金属功能材料实验室

基金: 天津市自然科学基金(15JCQNJC03600)~~

分类号: O657.1

页码: 91-95

总页数: 5

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