全文摘要
本实用新型涉及一种系统掉电保护电路，包括输入滤波电容组、输入旁路电容C5、输入电压采样跟随电路、电压检测装置DEVICE、微处理器MCU、掉电保护电路；所述输入滤波电容组与所述输入旁路电容C5和所述微处理器MCU依次电连接，所述输入滤波电容组与所述输入电压采样跟随电路和所述微处理器MCU依次电连接，所述微处理器MCU与掉电保护电路电连接。有益效果是：提供了一种系统掉电保护电路，是非常实用的系统掉电检测和保护电路，此电路可以让系统避免突然掉电时丢失数据的现象，有效的提高了产品的可靠性。
主设计要求
1.一种系统掉电保护电路，包括输入滤波电容组、输入旁路电容C5、输入电压采样跟随电路、电压检测装置DEVICE、微处理器MCU、掉电保护电路；所述输入滤波电容组与所述输入旁路电容C5和所述微处理器MCU依次电连接，所述输入滤波电容组与所述输入电压采样跟随电路和所述微处理器MCU依次电连接，所述微处理器MCU与掉电保护电路电连接；所述输入滤波电容组电容组还包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4，所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4依次电连接，所述电容C4输入端通过转换器DC\/DC与所述微处理器MCU电连接；所述输入电压采样跟随电路还包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、差分放大器U1A、双运算放大器lm358、电容C7和肖特基二极管D1BAT54S\/SOT，所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3电连接，所述差分放大器U1A分别与所述双运算放大器lm358和所述电容C7相连，所述双运算放大器lm358与所述肖特基二极管D1BAT54S\/SOT和所述微处理器MCU；所述掉电保护电路还包括电可擦可编程只读存储器U2、电阻R5、电阻R6、电容C8，所述电可擦可编程只读存储器U2与所述微处理器MCU电连接，所述电可擦可编程只读存储器U2与分别与所述电阻R5、所述电阻R6和所述电容C8相连。
设计方案
1.一种系统掉电保护电路，包括输入滤波电容组、输入旁路电容C5、输入电压采样跟随电路、电压检测装置DEVICE、微处理器MCU、掉电保护电路；所述输入滤波电容组与所述输入旁路电容C5和所述微处理器MCU依次电连接，所述输入滤波电容组与所述输入电压采样跟随电路和所述微处理器MCU依次电连接，所述微处理器MCU与掉电保护电路电连接；
所述输入滤波电容组电容组还包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4，所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4依次电连接，所述电容C4输入端通过转换器DC\/DC与所述微处理器MCU电连接；
所述输入电压采样跟随电路还包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、差分放大器U1A、双运算放大器lm358、电容C7和肖特基二极管D1 BAT54S\/SOT，所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3电连接，所述差分放大器U1A分别与所述双运算放大器lm358和所述电容C7相连，所述双运算放大器lm358与所述肖特基二极管D1 BAT54S\/SOT和所述微处理器MCU；
所述掉电保护电路还包括电可擦可编程只读存储器U2、电阻R5、电阻R6、电容C8，所述电可擦可编程只读存储器U2与所述微处理器MCU电连接，所述电可擦可编程只读存储器U2与分别与所述电阻R5、所述电阻R6和所述电容C8相连。
2.根据权利要求1所述的一种系统掉电保护电路，其特征在于：所述电压检测装置DEVICE通过转换器DC\/DC判断掉电时的电压值，如电压值低于所述微处理器MCU的电压值时，为所述微处理器MCU供电。
设计说明书
技术领域
本实用新型属于掉电保护领域，尤其涉及一种系统掉电保护电路。
背景技术
在线修改的ROM器件E2PROM、FLASH MEMORY，它解决了应用系统中实时参数掉电后长时间保存的难题，由于写入速度慢，擦写次数有限，只能用在需要保护的数据量小且写入不频繁的系统中。对需要大容量高速反复保存实时参数的系统，只能用随机存储器RAM加掉电保护电路来实现，在系统正常时由电源给RAM供电，系统掉电时自动转换到由备用电池给RAM供电，电池供电时RAM处于保护状态，防止在系统上电\/掉电过程中的瞬间干扰信号对RAM芯片的写入而改变RAM中的数据。基于RAM的掉电保护电路既具有RAM的高速写入、写入次数无限制的特点，又能象ROM那样长时间保存数据，因此得到了广泛的应用。
现有技术主要采用RAM为基础内置电池，开发出了自掉电保护芯片。用这类单独的掉电保护芯片或电路构成的系统，在实际应用中有时出现工作不稳定现象。存在系统电源的变化使RAM先处于保护状态，而系统尚未复位，微处理器正常工作，此时对RAM进行读写操作，因其已处于保护状态，造成数据读不出写不进的现象，引发系统故障。
对于这种微处理器复位电平与掉电保护电平不一致而影响系统正常工作的问题，提出了采用电可擦可编程只读存储器把系统复位与掉电保护联系在一起的解决方案。系统复位时存储器处于保护状态，系统工作时存储器处于可以正常读写，解决现有技术上述问题。
实用新型内容
为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供一种系统掉电保护电路防止系统重要数据的丢失，增强了系统运行的稳定性和可靠性。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种系统掉电保护电路，包括输入滤波电容组、输入旁路电容C5、输入电压采样跟随电路、电压检测装置DEVICE、微处理器MCU、掉电保护电路；所述输入滤波电容组与所述输入旁路电容C5和所述微处理器MCU依次电连接，所述输入滤波电容组与所述输入电压采样跟随电路和所述微处理器MCU依次电连接，所述微处理器MCU与掉电保护电路电连接；
所述输入滤波电容组电容组还包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4，所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4依次电连接，所述电容C4输入端通过转换器DC\/DC与所述微处理器MCU电连接；
所述输入电压采样跟随电路还包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、差分放大器U1A、双运算放大器lm358、电容C7和肖特基二极管D1BAT54S\/SOT，所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3电连接，所述差分放大器U1A分别与所述双运算放大器lm358和所述电容C7相连，所述双运算放大器lm358与所述肖特基二极管D1BAT54S\/SOT和所述微处理器MCU；
所述掉电保护电路还包括电可擦可编程只读存储器U2、电阻R5、电阻R6、电容C8，所述电可擦可编程只读存储器U2与所述微处理器MCU电连接，所述电可擦可编程只读存储器U2与分别与所述电阻R5、所述电阻R6和所述电容C8相连。
所述电压检测装置DEVICE通过转换器DC\/DC判断掉电时的电压值，如电压值低于所述微处理器MCU的电压值时，为所述微处理器MCU供电。
本实用新型的有益效果是：提供了一种系统掉电保护电路，是非常实用的系统掉电检测和保护电路，此电路可以让系统避免突然掉电时丢失数据的现象，有效的提高了产品的可靠性。
附图说明
图1为系统掉电保护电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例作详细说明。
如图1所示，本实用新型提供了一种系统掉电保护电路，包括输入滤波电容组、输入旁路电容C5、输入电压采样跟随电路、电压检测装置DEVICE、微处理器MCU、掉电保护电路；所述输入滤波电容组与所述输入旁路电容C5和所述微处理器MCU依次电连接，所述输入滤波电容组与所述输入电压采样跟随电路和所述微处理器MCU依次电连接，所述微处理器MCU与掉电保护电路电连接；
所述输入滤波电容组电容组还包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4，所述电容C1、所述电容C2、所述电容C3和所述电容C4依次电连接，所述电容C4输入端通过转换器DC\/DC与所述微处理器MCU电连接；
所述输入电压采样跟随电路还包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、差分放大器U1A、双运算放大器lm358、电容C7和肖特基二极管D1BAT54S\/SOT，所述电阻R1、所述电阻R2、所述电阻R3电连接，所述差分放大器U1A分别与所述双运算放大器lm358和所述电容C7相连，所述双运算放大器lm358与所述肖特基二极管D1BAT54S\/SOT和所述微处理器MCU；
所述掉电保护电路还包括电可擦可编程只读存储器U2、电阻R5、电阻R6、电容C8，所述电可擦可编程只读存储器U2与所述微处理器MCU电连接，所述电可擦可编程只读存储器U2与分别与所述电阻R5、所述电阻R6和所述电容C8相连。
所述电压检测装置DEVICE通过转换器DC\/DC判断掉电时的电压值，如电压值低于所述微处理器MCU的电压值时，为所述微处理器MCU供电。
具体地，当系统的输入电源突然掉电时，由于系统中的其他功能电路的功耗远大于所述微处理器MCU的功耗，因此系统输入电源所述电容组的电压值会比所述输入旁路电容C5电压值下降得快很多，但是给所述微处理器MCU供电线路上的所述输入旁路电容C5上存储的电量能在系统掉电发生时，为所述微处理器MCU在执行掉电数据保存时供电。当所述微处理器MCU检测到系统输入电源所述电容组的电压值低于掉电检测的阈值时，所述微处理器MCU进入执行掉电数据保存的中断处理程序，把系统数据写入到所述电可擦可编程只读存储器U2中进行保存，避免系统重要数据的丢失。
以上本实用新型的具体实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何根据本实用新型技术构思所作出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围内。
设计图
相关信息详情
申请码:申请号:CN201920015632.3
申请日:2019-01-04
公开号:公开日:国家:CN
国家/省市:94(深圳)
授权编号:CN209543276U
授权时间:20191025
主分类号:G06F 1/30
专利分类号:G06F1/30;G06F3/06;H02J9/06
范畴分类:40B;
申请人:深圳伊讯科技有限公司
第一申请人:深圳伊讯科技有限公司
申请人地址:518101 广东省深圳市宝安区新安街道兴东社区67区留芳路6号庭威产业园1号楼4A
发明人:张建平;农新钦;刘东昌;谢建毫
第一发明人:张建平
当前权利人:深圳伊讯科技有限公司
代理人:代理机构:代理机构编号:优先权:关键词:当前状态:审核中
类型名称:外观设计
标签：张建平论文; 滤波电容论文; ram论文; 采样电阻论文; 电容电阻论文; lm358论文; 只读存储器论文; 运算放大器论文; mcu论文;